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文檔簡介
5.3.1霍爾傳感器的工作原理5.3.2霍爾元件的基本結構5.3.3霍爾元件的基本測量電路5.3.4霍爾傳感器的應用5.3霍爾傳感器5.3.1霍爾傳感器的工作原理5.3霍爾傳感器5.3.1霍爾傳感器的工作原理霍爾效應:半導體薄片置于磁場中(磁場方向垂直于薄片),當有電流流過時,在垂直于電流和磁場的方向上將產生電動勢,這種現(xiàn)象稱為霍爾效應。產生的電動勢稱為霍爾電勢。5.3.1霍爾傳感器的工作原理霍爾效應:半導體薄片置于磁場設圖中的材料是N型半導體,導電的載流子是電子。在z軸方向的磁場作用下,電子將受到一個沿x軸負方向力的作用,這個力就是洛侖茲力。它的大小為:
FB=evB設圖中的材料是N型半導體,導電的載流子是電子。在z軸方向的磁
電荷的聚積必將產生靜電場,即為霍爾電場,該靜電場對電子的作用力為FE與洛侖茲力方向相反,將阻止電子繼續(xù)偏轉,其大小為式中EH為霍爾電場,e為電子電量,UH為霍爾電勢。當FB=FE時,電子的積累達到動態(tài)平衡,即所以:電荷的聚積必將產生靜電場,即為霍爾電場
設流過霍爾元件的電流為I時所以:所以:
導體的電流密度為:設流過霍爾元件的電流為I時所以:
若磁場B和霍爾元件平面的法線成一角度θ,則作用于霍爾元件的有效磁感應強度為Bcosθ,因此
UH=KHIBcosθ若磁場B和霍爾元件平面的法線成一角度θ,則作用于霍爾——霍爾系數(shù)由材料的物理性質決定,反映霍爾效應的強弱。由于金屬導體內的載流子濃度大于半導體內的載流子濃度,所以,半導體霍爾系數(shù)大于導體?!魻栂禂?shù)
——靈敏度單位磁感應強度和單位控制電流作用時,所產生的霍爾電勢。它不僅與霍爾系數(shù)有關,還與霍爾元件的幾何尺寸有關。一般要求霍爾元件靈敏度越高越好,由霍爾元件靈敏度的公式可知,霍爾元件的靈敏度與厚度成反比?!`敏度通過以上分析可知:1)霍爾電壓UH與材料的性質有關
n愈大,UH愈小,
n愈小,UH愈大,但n太小,需施加極高的電壓才能產生很小的電流。因此霍爾元件一般采用N型半導體材料2)霍爾電壓UH與元件的尺寸有關。
d
愈小,UH
愈大,所以霍爾元件的厚度都比較薄,但d太小,會使元件的輸入、輸出電阻增加。通過以上分析可知:1)霍爾電壓UH與材料的性質有關2)霍爾電3)P型半導體,其多數(shù)載流子是空穴,也存在霍爾效應,但極性和N型半導體的相反。4)霍爾電壓UH與磁場B和電流I成正比,如果其中一個為常數(shù),另一個為待測量,只要測出UH,就可求出待測量。3)P型半導體,其多數(shù)載流子是空穴,也存在霍爾效應,但極性和5.3.2霍爾元件基本結構霍爾元件由霍爾片、引線和殼體組成?;魻柶且粔K矩形半導體單晶薄片,引出四個引線。1、1′引線稱為激勵電極;2、2′引線稱為霍爾電極。在電路中霍爾元件可用兩種符號表示,如圖(c)所示。(a)外形(b)霍爾片(c)符號5.3.2霍爾元件基本結構(a)外形(b)霍爾片(c)符號國產霍爾元件型號的命名方法:國產霍爾元件型號的命名方法常見的國產霍爾元件型號有HZ-1、HZ-2、HZ-3、HT-1、HS-1等國產霍爾元件型號的命名方法:國產霍爾元件型號的命名方法常見的
5.3.3霍爾元件的基本測量電路
霍爾元件的基本測量電路如圖所示。激勵電流由電壓源E供給,其大小由可變電阻來調節(jié)?;魻栐敵鼋迂撦d電阻RL,RL可以是放大器的輸入電阻或測量儀表的內阻?;緶y量電路
5.3.3霍爾元件的基本測量電路基本測量電路5.3.4霍爾傳感器的應用
1.測量磁場和電流特斯拉計霍爾式鉗形電流表
5.3.4霍爾傳感器的應用1.測量磁場和電流
2.測量位移霍爾式位移傳感器的工作原理如圖所示。磁場強度相同的磁鐵,極性相反地放置,霍爾元件處在兩塊磁鐵的中間。由于磁鐵中間的磁感應強度B=0,因此霍爾元件輸出的霍爾電也等于零。
若霍爾元件在x軸方向移動,霍爾元件感受到的磁感應強度也隨之改變,在其工作范圍內,B=KBx,其中斜率KB為常數(shù);這時UH不為零,UH的大小反映出霍爾元件的位移。若霍爾元件在x軸方向移動,霍爾元件感受到的磁感應強度3.測量轉速幾種不同結構的霍爾式轉速傳感器如圖所示。小磁鐵固定在轉盤上,轉盤與被測轉軸相連,當被測轉軸轉動時,轉盤隨之轉動,小磁鐵通過霍爾傳感器時,霍爾傳感器便產生一個相應的脈沖,檢測出單位時間的脈沖數(shù),便可知被測轉速。3.測量轉速幾種不同結構的霍爾式轉速傳感器如圖所示。第5章霍爾傳感器2課件5.3.1霍爾傳感器的工作原理5.3.2霍爾元件的基本結構5.3.3霍爾元件的基本測量電路5.3.4霍爾傳感器的應用5.3霍爾傳感器5.3.1霍爾傳感器的工作原理5.3霍爾傳感器5.3.1霍爾傳感器的工作原理霍爾效應:半導體薄片置于磁場中(磁場方向垂直于薄片),當有電流流過時,在垂直于電流和磁場的方向上將產生電動勢,這種現(xiàn)象稱為霍爾效應。產生的電動勢稱為霍爾電勢。5.3.1霍爾傳感器的工作原理霍爾效應:半導體薄片置于磁場設圖中的材料是N型半導體,導電的載流子是電子。在z軸方向的磁場作用下,電子將受到一個沿x軸負方向力的作用,這個力就是洛侖茲力。它的大小為:
FB=evB設圖中的材料是N型半導體,導電的載流子是電子。在z軸方向的磁
電荷的聚積必將產生靜電場,即為霍爾電場,該靜電場對電子的作用力為FE與洛侖茲力方向相反,將阻止電子繼續(xù)偏轉,其大小為式中EH為霍爾電場,e為電子電量,UH為霍爾電勢。當FB=FE時,電子的積累達到動態(tài)平衡,即所以:電荷的聚積必將產生靜電場,即為霍爾電場
設流過霍爾元件的電流為I時所以:所以:
導體的電流密度為:設流過霍爾元件的電流為I時所以:
若磁場B和霍爾元件平面的法線成一角度θ,則作用于霍爾元件的有效磁感應強度為Bcosθ,因此
UH=KHIBcosθ若磁場B和霍爾元件平面的法線成一角度θ,則作用于霍爾——霍爾系數(shù)由材料的物理性質決定,反映霍爾效應的強弱。由于金屬導體內的載流子濃度大于半導體內的載流子濃度,所以,半導體霍爾系數(shù)大于導體。——霍爾系數(shù)
——靈敏度單位磁感應強度和單位控制電流作用時,所產生的霍爾電勢。它不僅與霍爾系數(shù)有關,還與霍爾元件的幾何尺寸有關。一般要求霍爾元件靈敏度越高越好,由霍爾元件靈敏度的公式可知,霍爾元件的靈敏度與厚度成反比?!`敏度通過以上分析可知:1)霍爾電壓UH與材料的性質有關
n愈大,UH愈小,
n愈小,UH愈大,但n太小,需施加極高的電壓才能產生很小的電流。因此霍爾元件一般采用N型半導體材料2)霍爾電壓UH與元件的尺寸有關。
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愈小,UH
愈大,所以霍爾元件的厚度都比較薄,但d太小,會使元件的輸入、輸出電阻增加。通過以上分析可知:1)霍爾電壓UH與材料的性質有關2)霍爾電3)P型半導體,其多數(shù)載流子是空穴,也存在霍爾效應,但極性和N型半導體的相反。4)霍爾電壓UH與磁場B和電流I成正比,如果其中一個為常數(shù),另一個為待測量,只要測出UH,就可求出待測量。3)P型半導體,其多數(shù)載流子是空穴,也存在霍爾效應,但極性和5.3.2霍爾元件基本結構霍爾元件由霍爾片、引線和殼體組成?;魻柶且粔K矩形半導體單晶薄片,引出四個引線。1、1′引線稱為激勵電極;2、2′引線稱為霍爾電極。在電路中霍爾元件可用兩種符號表示,如圖(c)所示。(a)外形(b)霍爾片(c)符號5.3.2霍爾元件基本結構(a)外形(b)霍爾片(c)符號國產霍爾元件型號的命名方法:國產霍爾元件型號的命名方法常見的國產霍爾元件型號有HZ-1、HZ-2、HZ-3、HT-1、HS-1等國產霍爾元件型號的命名方法:國產霍爾元件型號的命名方法常見的
5.3.3霍爾元件的基本測量電路
霍爾元件的基本測量電路如圖所示。激勵電流由電壓源E供給,其大小由可變電阻來調節(jié)?;魻栐敵鼋迂撦d電阻RL,RL可以是放大器的輸入電阻或測量儀表的內阻。基本測量電路
5.3.3霍爾元件的基本測量電路基本測量電路5.3.4霍爾傳感器的應用
1.測量磁場和電流特斯拉計霍爾式鉗形電流表
5.3.4霍爾傳感器的應用1.測量磁場和電流
2.測量位移霍爾式位移傳感器的工作原理如圖所示。磁場強度相同的磁鐵,極性相反地放置,霍爾元件處在兩塊磁鐵的中間。由于磁鐵中間的磁感應強度B=0,因此霍爾元件輸出的霍爾電也等于零。
若霍爾元件在x軸方向移動,霍爾元件感受到的磁感應強度也隨之改變,在其工作范圍內,B=KBx,其中斜率KB
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