第三章位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)_第1頁(yè)
第三章位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)_第2頁(yè)
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第三章位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)_第4頁(yè)
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3?1位錯(cuò)的滑移⑴刃型位錯(cuò)的滑移⑵螺型位錯(cuò)的滑移⑶理論強(qiáng)度與實(shí)際強(qiáng)度產(chǎn)生差異的原因位錯(cuò)處原子能量高一滑移能壘小一所需外力小位錯(cuò)滑移僅需打斷位錯(cuò)線附近少數(shù)原子的鍵合,因此所需的外加剪應(yīng)力將大大降低?;旌衔诲e(cuò)的滑移位錯(cuò)線沿各點(diǎn)的法線方向在滑移面上運(yùn)動(dòng),滑動(dòng)方向垂直于位錯(cuò)線方向,與柏氏矢量有夾角。⑷位錯(cuò)滑移面與滑移方向①位錯(cuò)的滑移面:b與位錯(cuò)線所組成的面。注:位錯(cuò)的滑移面與晶體的滑移面不是一回事。②位錯(cuò)的滑移方向晶體滑移方向與外力方向、柏氏矢量方向一致位錯(cuò)滑移方向:位錯(cuò)線的法向⑸判斷晶體滑移方向的右手定則W 側(cè) 慚中常卄憶骷上矽般動(dòng)神■,?■?“ 斛T相氏矢IT同旬劇哥酣飾位蜒的構(gòu)特方由3外加切龐力r及16氐矢億&的矢SE刃西怔■型位范合粗扯品3.2位錯(cuò)的攀移位錯(cuò)的攀移:刃型位錯(cuò)在垂直于滑移面方向上的運(yùn)動(dòng)⑴正攀移:在刃位錯(cuò)處的一排原子可因熱運(yùn)動(dòng)而移去,成為填隙原子或者吸收空位,使位錯(cuò)向上移到另一個(gè)滑移面比滑移需更大能量。攀移伴隨原子的遷移,需要空位的擴(kuò)散,需要熱激話,比滑移需更大能量。⑵攀移的阻力對(duì)抗攀移阻力所作的功=產(chǎn)生點(diǎn)缺陷所需能量。⑶攀移的動(dòng)力

I化學(xué)攀移力①過(guò)飽和空位(或間隙原子),向位錯(cuò)線附近滲透而聚集在位錯(cuò)線上,促使正刃位錯(cuò)向上攀移,好像有力沿攀移方向作用在位錯(cuò)上,這種力稱為滲透力②溫度越高并存在過(guò)飽和空位時(shí),刃型位錯(cuò)易于攀移。II彈性攀移力作用于半原子面上的正應(yīng)力分量作用下,刃位錯(cuò)所受的力Fy Fy二-b〈x應(yīng)力的作用:(半原子面?zhèn)龋簯?yīng)力有利于正攀移,拉應(yīng)力有利于負(fù)攀移3.3位錯(cuò)的交滑移圖3.10面心立方圖3.10面心立方品體中的雙交髓移示?圖雙交滑移:交滑移后的位錯(cuò)再轉(zhuǎn)回和原滑移面平行的滑移面上繼續(xù)運(yùn)動(dòng)3.4位錯(cuò)的密度⑴①位錯(cuò)的密度(定義):?jiǎn)挝惑w積中包含位錯(cuò)線的總長(zhǎng)度。竝屋餐址的丄業(yè)瞇軒説輻?.矍一②位錯(cuò)密度(計(jì)算):垂直于位錯(cuò)線的平面上單位面積內(nèi)的位錯(cuò)露頭數(shù),即單位觀察表面內(nèi)的蝕坑數(shù)(蝕坑法)竝屋餐址的丄業(yè)瞇軒説輻?.矍一⑵位錯(cuò)密度和晶體的強(qiáng)度位錯(cuò)密度較低時(shí),T隨p的增加而減小;位錯(cuò)密度較高時(shí),T隨p的增加而增大⑶提高晶體強(qiáng)度途徑①盡量減小位錯(cuò)密度:晶須一一極細(xì)的絲狀單晶體,直徑只有幾個(gè)微米,基本不含位錯(cuò),強(qiáng)度比塊狀材料高幾個(gè)數(shù)量級(jí)。②盡量增加位錯(cuò)密度:非晶態(tài)材料:位錯(cuò)密度極高的材料(遠(yuǎn)高于冷加工的金屬),因而強(qiáng)度也非常高。小結(jié)1?位錯(cuò)是晶體中的線缺陷;2?位錯(cuò)可以看成是已滑移區(qū)和未滑移區(qū)的邊界線。3?根據(jù)b與位錯(cuò)線1的相對(duì)位向,可將位錯(cuò)分為三類:刃型位錯(cuò)(b與1垂直),螺型位錯(cuò)(b與1平行)和混合位錯(cuò)(b與1成任意角)4?位錯(cuò)線必須是連續(xù)的。它或者起止于晶體表面(或晶界),或形成封閉回路(位錯(cuò)環(huán)),或者在結(jié)點(diǎn)處和其他位錯(cuò)相連。5.b的最重要性質(zhì)是它的守恒性,即流向某一結(jié)點(diǎn)的位錯(cuò)線的柏氏矢量之和等流出該結(jié)點(diǎn)的位錯(cuò)線的柏氏矢量之和。6?名詞解釋:⑴刃型位錯(cuò):當(dāng)一個(gè)完整晶體某晶面以上的某處多出半個(gè)原子面,該晶面象刀刃一樣切入晶體,這個(gè)多余原子面的邊緣就是刃型位錯(cuò)。⑵螺型位錯(cuò):晶體的某一部分相對(duì)于其余部分發(fā)生滑移,原子平面沿著一根軸線盤旋上升,每繞軸線一周,原子面上升一個(gè)晶面間距。在中央軸線處即為一螺型位錯(cuò)。⑶柏氏矢量:把位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)引起原子切動(dòng)的方向和距離,稱為“柏氏矢量”⑷滑移:位錯(cuò)線在它和柏氏矢量b構(gòu)成的晶面上移動(dòng)攀移:刃型位錯(cuò)在垂直于滑移面方

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