半導體制造工藝-刻蝕

兩大關鍵問題：選擇性方向性：各向同性/各向異性待刻材料的刻蝕速率掩膜或下層材料的刻蝕速率橫向刻蝕速率縱向刻蝕速率圖形轉移過程演示圖形轉移＝光刻＋刻蝕1刻蝕速率R

(etchrate)單位時間刻蝕的薄膜厚度。對產(chǎn)率有較大影響刻蝕均勻性

(etchuniformity)一個硅片或多個硅片或多批硅片上刻蝕速率的變化選擇性S

(Selectivity)不同材料之間的刻蝕速率比各項異性度A

(Anisotropy)刻蝕的方向性

A=0,各項同性；A=1,各項異性掩膜層下刻蝕

(Undercut)橫向單邊的過腐蝕量 刻蝕的性能參數(shù)2A＝00<A<1A=1Uniformity/non-uniformity均勻性/非均勻性Rhigh:最大刻蝕速率Rlow:最小刻蝕速率方向性：過腐蝕（鉆蝕）：假定S＝時3刻蝕要求:1.得到想要的形狀（斜面還是垂直圖形）2.過腐蝕最小（一般要求過腐蝕10％，以保證整片刻蝕完全）3.選擇性好4.均勻性和重復性好5.表面損傷小6.清潔、經(jīng)濟、安全兩類刻蝕方法：濕法刻蝕——化學溶液中進行反應腐蝕，選擇性好干法刻蝕——氣相化學腐蝕（選擇性好）或物理腐蝕（方向性好），或二者兼而有之4刻蝕過程包括三個步驟：反應物質量輸運（Masstransport）到要被刻蝕的表面在反應物和要被刻蝕的膜表面之間的反應反應產(chǎn)物從表面向外擴散的過程5濕法刻蝕反應產(chǎn)物必須溶于水或是氣相6BOE：bufferedoxideetching或BHF:bufferedHF加入NH4F緩沖液：彌補F和降低對膠的刻蝕實際用各向同性例1：SiO2采用HF腐蝕例2：Si采用HNO3和HF腐蝕（HNA）例3：Si3N4采用熱磷酸腐蝕7例4：Si采用KOH腐蝕各向異性Si+2OH-+4H2OSi(OH)2+++2H2+4OH-硅濕法腐蝕由于晶向而產(chǎn)生的各向異性腐蝕8原子密度：<111>><110>><100>腐蝕速度：R(100)100R(111)9HNA各向同性腐蝕自終止10利用Si的各向異性濕法腐蝕制作的MEMS（MicroElectroMechanicalSystems）結構11濕法法腐腐蝕蝕的的缺缺點點在大大規(guī)規(guī)模模集集成成電電路路制制造造中中，，濕濕法法腐腐蝕蝕正正被被干干法法刻刻蝕蝕所所替替代代：：（1））濕濕法法腐腐蝕蝕是是各各向向同同性性，，干干法法可可以以是是各各向向異異性性（2））干干法法腐腐蝕蝕能能達達到到高高的的分分辨辨率率，，濕濕法法腐腐蝕蝕較較差差（3））濕濕法法腐腐蝕蝕需需大大量量的的腐腐蝕蝕性性化化學學試試劑劑，，對對人人體體和和環(huán)環(huán)境境有有害害（4））濕濕法法腐腐蝕蝕需需大大量量的的化化學學試試劑劑去去沖沖洗洗腐腐蝕蝕劑劑剩剩余余物物，，不不經(jīng)經(jīng)濟濟12干法法刻刻蝕蝕化學學刻刻蝕蝕（（各各項項同同性性，，選選擇擇性性好好））———等等離離子子體體激激活活的的化化學學反反應應(等等離離子子體體刻刻蝕蝕)物理理刻刻蝕蝕（（各各向向異異性性，，選選擇擇性性差差））———高高能能離離子子的的轟轟擊擊(濺濺射射刻刻蝕蝕)離子子增增強強刻刻蝕蝕（（各各向向異異性性，，選選擇擇性性較較好好））———反反應應離離子子刻刻蝕蝕13化學學刻刻蝕蝕物物理理刻刻蝕蝕14離子子增增強強刻刻蝕蝕-IonEnhancedetching等離離子子體體刻刻蝕蝕的的化化學學和和物物理理過過程程并并不不是是兩兩個個相相互互獨獨立立的的過過程程，，而而且且相相互互有有增增強強作作用用無離離子子，，XeF2對Si不不刻刻蝕蝕純Ar離離子子，，對對Si不不刻刻蝕蝕Ar離離子子和和XeF2相互互作作用用，，刻刻蝕蝕速速率率很很快快物理理過過程程（（如如離離子子轟轟擊擊造造成成的的斷斷鍵鍵/晶晶格格損損傷傷、、輔輔助助揮揮發(fā)發(fā)性性反反應應產(chǎn)產(chǎn)物物的的生生成成、、表表面面抑抑制制物物的的去去除除等等））將將有有助助于于表表面面化化學學過過程程/化化學學反反應應的的進進行行15典型型的的RF等等離離子子刻刻蝕蝕系系統(tǒng)統(tǒng)和和PECVD或或濺濺射射系系統(tǒng)統(tǒng)類類似似16等離離子子體體等離離子子刻刻蝕蝕基基本本原原理理等離離子子體體（Plasma）的的含含義義包含含足足夠夠多多的的正正負負電電荷荷數(shù)數(shù)目目近近于于相相等等的的帶帶電電粒粒子子的的物物質聚聚集集狀狀態(tài)態(tài)。。由于于物物質質分分子子熱熱運運動動加加劇劇，，相相互互間間的的碰碰撞撞就就會會使使氣氣體體分分子子產(chǎn)產(chǎn)生生電電離離，，這這樣樣物質質就就變變成成由由自自由由運運動動并并相相互互作作用用的的正正離離子子和和電電子子組組成成的的混混合合物物(蠟蠟燭燭的的火火焰就就處處于于這這種種狀狀態(tài)態(tài))。。我我們們把把物物質質的的這這種種存存在在狀狀態(tài)態(tài)稱稱為為物物質質的的第第四四態(tài)態(tài)，，即即等等離子子體體(plasma)。。因因為為電電離離過過程程中中正正離離子子和和電電子子總總是是成成對對出出現(xiàn)現(xiàn)，，所所以以等等離離子體體中中正正離離子子和和電電子子的的總總數(shù)數(shù)大大致致相相等等，，總總體體來來看看為為準準電電中中性性。。液態(tài)態(tài)固態(tài)態(tài)氣態(tài)態(tài)等離離子子體體17刻蝕蝕機機制制、、等等離離子子體體探探測測與與終終點點的的控控制制刻蝕蝕機機制制刻蝕蝕工工藝藝包包括括5個個步步驟驟：：1、、刻刻蝕蝕過過程程開開始始與與等等離離子子體體刻刻蝕蝕反反應應物物的的產(chǎn)產(chǎn)生生；；2、、反反應應物物通通過過擴擴散散的的方方式式穿穿過過滯滯留留氣氣體體層層到到達達表表面面；；3、、反反應應物物被被表表面面吸吸收收；；4、、通通過過化化學學反反應應產(chǎn)產(chǎn)生生揮揮發(fā)發(fā)性性化化合合物物；；5、、化化合合物物離離開開表表面面回回到到等等離離子子體體氣氣流流中中，，接接著著被被抽抽氣氣泵泵抽抽出出。?；颈究炭涛g蝕方方式式為為：：物理理方方式式：：濺濺射射刻刻蝕蝕，，正正離離子子高高速速轟轟擊擊表表面面；；化學學方方式式：：等等離離子子體體產(chǎn)產(chǎn)生生的的中中性性反反應應物物與與物物質質表表面面相相互互作作用用產(chǎn)產(chǎn)生生揮揮發(fā)發(fā)性性產(chǎn)產(chǎn)物物。?；瘜W學方方式式有有高高腐腐蝕蝕速速率率、、高高的的選選擇擇比比與與低低的的離離子子轟轟擊擊導導致致的的缺缺陷陷，，但但有有各各向向同同性性的的刻刻蝕蝕輪輪廓廓。。物物理理方方式式可可以以產(chǎn)產(chǎn)生生各各向向同同性性的的輪輪廓廓，，但但伴伴隨隨低低的的選選擇擇比比與與高高的的離離子子轟轟擊擊導導致致的的缺缺陷陷。。將將二二者者結結合合，，如如反反應應離離子子刻刻蝕蝕（（RIE））。。1819等離離子子體體探探測測大多多數(shù)數(shù)的的等等離離子子體體工工藝藝中中發(fā)發(fā)出出的的射射線線范范圍圍在在紅紅外外光光到到紫紫外外光光之之間間，，一一個個簡簡單單的的縫縫隙隙方方法法是是利利用用光光學學發(fā)發(fā)射射光光譜譜儀儀（（OES））來來測測量量這這些些發(fā)發(fā)射射光光譜譜的的強強度度與與波波長長的的關關系系。。利利用用觀觀測測到到的的光光譜譜波波峰峰與與已已知知的的發(fā)發(fā)射射光光譜譜比比較較，，通通過過可可以以決決定定出出中中性性或或離離子子物物質質的的存存在在。。物物質質相相對對的的密密度度，，也也可可以以通通過過觀觀察察等等離離子子體體參參數(shù)數(shù)改改變變時時光光強強度度的的改改變變而而得得到到。。這這些些由由主主要要刻刻蝕蝕劑劑或或副副產(chǎn)產(chǎn)物物所所引引起起的的發(fā)發(fā)射射信信號號在在刻刻蝕蝕終終點點開開始始上上升升或或下下降降。。干法法刻刻蝕蝕必必須須配配備備一一個個用用來來探探測測刻刻蝕蝕工工藝藝結結束束點點的的監(jiān)監(jiān)視視器器，，即即終終點點探探測測系系統(tǒng)統(tǒng)。。激激光光干干涉涉度度量量法法用用來來持持續(xù)續(xù)控控制制晶晶片片表表面面的的刻刻蝕蝕速速率率與與終終止止點點。。在在刻刻蝕蝕過過程程中中，，從從晶晶片片表表面面反反射射的的激激光光會會來來回回振振蕩蕩，，這這個個振振蕩蕩的的發(fā)發(fā)生生是是因因為為刻刻蝕蝕層層界界面面的的上上界界面面與與下下界界面面的的反反射射光光的的相相位位干干涉涉。。因因此此這這一一層層材材料料必必須須透透光光或或半半透透光光才才能能觀觀測測到到振振蕩蕩現(xiàn)現(xiàn)象象。。振振蕩蕩周周期期與與薄薄膜膜厚厚度度的的變變化化關關系系為為：：終點點控控制制20刻蝕時間（任意單位）反射系數(shù)（任意單位）硅化物多晶硅硅化物/多晶硅刻蝕實驗曲線21Sputteringmode：：硅片片置置于于右右側側電電極極，，該該電電極極接接地地（（反反應應腔腔體體通通常常也也接接地地，，則則增增大大該該電電極極有有效效面面積積））；；右側側暗暗區(qū)區(qū)電電壓壓差差小小，，通通過過離離子子轟轟擊擊的的物物理理刻刻蝕蝕很很弱弱RIEmode：：硅片片置置于于面面積積較較小小的的左左側側電電極極，，右右電電極極仍仍接接地地；；左左側側暗暗區(qū)區(qū)電電壓壓差差大大，，通通過過離離子子轟轟擊擊的的物物理理刻刻蝕蝕很很強強22SiCl4TiCl4反應應離離子子刻刻蝕蝕（（RIE））：：常用用刻刻蝕蝕氣氣體體為為含含鹵鹵素素的的物物質質，，如如CF4，SiF6，Cl2，HBr等等，，加加入入添添加加氣氣體體如如：：O2，H2，Ar等等。。O2用于于刻刻蝕蝕光光刻刻膠膠。。反應應產(chǎn)產(chǎn)物物必必須須是是氣氣相相或或者者易易揮揮發(fā)發(fā)（（volatile））23刻蝕蝕方方程程式式等離離子子刻刻蝕蝕基基本本原原理理為何何處處在在等等離離子子體體環(huán)環(huán)境境下下進進行行刻刻蝕蝕在我我們們的的工工藝藝中中，，是是用用CF4和O2來刻刻蝕蝕擴擴散散后后的的硅硅片片，，其其刻刻蝕蝕原原理理如如下下：：CF4=CFx*+(4-x)F*(x≤≤3)Si+4F*=SiF4↑SiO2+4F*=SiF4+O2↑反應應的的實實質質，，打打破破C-F、、Si-Si鍵鍵，，形形成成揮揮發(fā)發(fā)性性的的Si-F硅硅鹵鹵化化物物。。CΘF+SiΘΘSi=Si-F+17kcal/mol反應應需需要要一一個個凈凈正正能能量量，，CF4本本身身不不會會直直接接刻刻蝕蝕硅硅。。等等離離子子體體高高能能量量的電電子子碰碰撞撞會會使使CF4分分子子分分裂裂生生產(chǎn)產(chǎn)自自由由的的氟氟原原子子和和分分子子團團，，使使得得形形成成SiF是是能能量量有有利利的的。。24氧氣氣的的作作用用等離離子子刻刻蝕蝕基基本本原原理理在CF4進氣氣中中加加入入少少量量氧氧氣氣會會提提高高硅硅和和二二氧氧化化硅硅的的刻刻蝕蝕速速率率。。人人們們認認為為氧氧氣氣與與碳碳原原子子反反應應生生成成CO2，這這樣樣從從等等離離子子體體中中去去掉掉一一些些碳碳，，從從而而增增加加F的濃濃度度，，這這些些成成為為富富氟氟等等離離子子體體。。往往CF4等離離子子體體中中每每增增加加12%的的氧氧氣氣，，F(xiàn)濃濃度度會會增增加加一一個個數(shù)數(shù)量量級級，，對對硅硅的的刻刻蝕蝕速速率率增增加加一一個個數(shù)數(shù)量量級級。。25CF4等離子子體26Si+4F*SiF4SiO2+4F*SiF4+O2Si3N4+12F*3SiF4+2N2硅、Si3N4和SiO2刻蝕CF4中添加少量O2可增加對Si，SiO2和Si3N4的腐蝕速率少量添添加氣氣體可可增加加選擇擇性10%O2可獲得得最大大的Si/SiO2刻蝕比比27在CF4中加入入少量量H2，可使使CFx：F*的濃濃度比比增加加。從從而而使SiO2:Si及Si3N4：Si的腐腐蝕速速率比比增大大28增加F/C比（（加氧氧氣）），可可以增增加刻刻蝕速速率減少F/C比（（加氫氫氣）），刻刻蝕過過程傾傾向于于形成成高分子子膜29刻蝕方方向性性的增增加增加離離子轟轟擊（（物理理刻蝕蝕分量量）側壁增增加抑抑制物物（inhibitor）DRIE30本節(jié)課課主要要內(nèi)容容什么是圖形轉移技術？刻蝕的兩個關鍵問題？選擇性方向性光刻＋刻蝕干法刻刻蝕純物理理刻蝕蝕純化學學刻蝕蝕反應離離子刻刻蝕RIE增加方方向性性、選選擇性性的方方法CF4/O2濕法腐蝕：Si——HNA各向同性——KOH各向異性SiO2——HFMEMS31反應等等離子子體刻刻蝕技技術與與設備備一個反反應等等離子子體刻刻蝕反反應器器包括括一個個真空空腔、、抽氣氣泵系系統(tǒng)、、電源源供應應產(chǎn)生生器、、壓力力探測測器、、流量量控制制器與與終點點探測測器等等。3211010010001101001000低于高密度ECR，ICP低壓整批RIE單片晶片RIE桶狀等離子體刻機33反應離離子刻刻蝕（（RIE））平行板板系統(tǒng)統(tǒng)RFRF34電子回回旋共共振（（ECR））等離離子體體刻蝕蝕機大多數(shù)數(shù)的等等離子子體抗抗蝕機機，除除了三三極RIE外，，都無無法提提供獨獨立控控制等等離子子體參參數(shù)的的能力力。導導致轟轟擊損損傷的的嚴重重問題題。ECR結合合微波波電源源與靜靜電場場來驅驅使電電子沿沿磁場場線作作一定定角頻頻率的的回旋旋。當當此頻頻率等等于外外加微微波頻頻率時時，電電子能能量與與外加加磁場場產(chǎn)生生共振振耦合合，造造成大大量的的分解解與電電離。。35其他高高密度度等離離子體體刻蝕蝕機由于ULSI的的線寬寬持續(xù)續(xù)縮小小，逼逼近傳傳統(tǒng)的的RIE系系統(tǒng)極極限，，除了了ECR系系統(tǒng)外外，其其他形形式的的高密密度等等離子子體源源（HDP），，如電電感耦耦合等等離子子體源源（ICP）、、變壓壓器耦耦合等等離子子體源源（TCP）、、表面面波耦耦合等等離子子體源源（SWP）也也已開開始發(fā)發(fā)展。。這些些設備備擁有有高等等離子子體密密度與與低工工藝壓壓強。。另外，，HDP等等離子子體源源對襯襯底的的損傷傷較小小（因因為襯襯底有有獨立立的偏偏壓源源與側側電極極電勢勢），，并有有高的的的各各向異異性（（因為為在低低壓下下工作作但有有高活活性的的等離離子體體密度度）。。然而，，由于于其復復雜且且成本本較高高，這這些系系統(tǒng)可可能不不會使使用于于非關關鍵性性的工工藝，，如側側壁間間隔與與平坦坦化工工藝。。36等離子體RFRF介電板變壓器器耦合合等離離子體體反應應設備備示意意圖37集成等等離子子體工工藝半導體體晶片片都是是在潔潔凈室室里加加工制制作，，以減減少大大氣中中的塵塵埃污污染。。當器器件尺尺寸縮縮小，，塵埃埃的污污染成成為一一個嚴嚴重的的問題題。為為了減減少塵塵粒的的污染染，集集成等等離子子體設設備利利用晶晶片操操作機機將晶晶片置置于高高真空空環(huán)境境中從從一個個反應應腔移移到另另一個個反應應腔。。同時時可以以增加加產(chǎn)率率。38TiW刻蝕腔AlCu刻蝕腔鈍化層剝蝕腔真空裝載鎖住腔卡式裝/卸載腔多層金金屬互互聯(lián)（（TiW/AlCu/TiW）39反應等等離子子體刻刻蝕的的應用用等離子子體刻刻蝕系系統(tǒng)已已由應應用于于簡單單、整整批的的抗蝕蝕劑剝剝蝕快快速發(fā)發(fā)展到到大的的單片片晶片片加工工。下下表列列舉了了不同同刻蝕蝕工藝藝所用用到的的一些些化學學劑。。被刻蝕材料刻蝕用的化學藥品深Si溝槽HBr/NF3/O2/SF6淺Si溝槽HBr/Cl2/O2多晶硅HBr/Cl2/O2,HBr/O2,BCl3/Cl2,SF6AlBCl3/Cl2,SiCl4/Cl2,HBr/Cl2AlSiCuBCl3/Cl2N2W只有SF6,NF3/Cl2TiW只有SF6WSi2，TiSi2，CoSi2CCl2F2/NF3,CF4/Cl2,Cl2/N2/C2F6SiO2CF4/CHF3/Ar,C2F6,C3F8/CO,C5F8,CH2F2Si3N4CHF3/O2,CH2F2,CH2CHF240硅溝槽槽刻蝕蝕當器件件尺寸寸縮小小時，，晶片片表面面用作作隔離離DRAM儲存存單元元的儲儲存電電容與與電路路器件件間的的區(qū)域域也會會相對對減少少。這這些表表面隔隔離區(qū)區(qū)域可可以利利用硅硅晶片片的深深溝槽槽刻蝕蝕，再再填入入適當當?shù)慕榻橘|或或導體體物質質來減減少其其所占占的面面積。。深溝溝槽深深度通通常超超過5um，主主要是是用于于形成成存儲儲電容容，淺淺的溝溝槽其其深度度通常常不會會超過過1um，，一般般用于于器件件間的的隔離離。氯基或或溴基基的化化學劑劑對硅硅有高高刻蝕蝕速率率，且且對以以二氧氧化硅硅為掩掩蔽層層的硅硅刻蝕蝕有高高選擇擇比。。HBr+NF3+SF6+O2混合合氣可可用于于形成成深度度約7um的溝溝槽電電容，，此氣氣體也也用于于淺溝溝槽的的刻蝕蝕。亞亞微米米的深深硅溝溝槽刻刻蝕時時，常?？捎^觀測到到與高高寬比比有管管的刻刻蝕，，這是是因深深窄溝溝槽中中的離離子與與中性性原子子的輸輸運會會受到到限制制。41多晶硅硅與多多晶硅硅化物物柵極極刻蝕蝕多晶硅硅與多多晶硅硅化物物（即即多晶晶硅上上覆蓋蓋有低低電阻阻金屬屬硅化化物））常用用作MOS器件件的柵柵極材材料。。各向向異性性刻蝕蝕及對對柵極極氧化化層的的高選選擇比比是柵柵極刻刻蝕時時最重重要的的需求求。例如，，對1GDRAM而言言，其其選擇擇比需需超過過150（（即多多晶硅硅化物物與柵柵極氧氧化層層的刻刻蝕速速率比比為150:1）。。另外，，為符符合各各向異異性刻刻蝕與與高選選擇比比的要要求，，等離離子體體技術術的趨趨勢是是利用用一相相對低低的功功率產(chǎn)產(chǎn)生低低壓與與高密密度的的等離離子體體。大多數(shù)數(shù)氯基基與溴溴基化化合物物可用用于柵柵極刻刻蝕而而得到到所需需的各各向異異性與與選擇擇比。。42介質刻刻蝕定義介介質層層（尤尤其是是二氧氧化硅硅與氮氮化硅硅）的的圖案案是先先進半半導體體制造造技術術中的的關鍵鍵工藝藝。因因為具具有較較高的的鍵結結合能能量，，介質質的刻刻蝕必必須利利用氟氟基增增強等等離子子體。。垂直直的圖圖案輪輪廓可可通過過側壁壁鈍化化來實實現(xiàn)，，通常常將含含碳的的氟化化物加加入等等離子子體中中（CF4、CHF3、、C4F8）。。必須須使用用轟擊擊能量量較高高的離離子才才能將將此聚聚合物物形成成的鈍鈍化層層從氧氧化層層上去去除，，以及及將反反應物物質與與氧化化物表表面混混合形形成的的SiFx的產(chǎn)產(chǎn)物。。低壓強強操作作與高高等離離子體體密度度有利利于高高寬比比有關關的刻刻蝕，，然而而HDP會會產(chǎn)生生高溫溫電子子并接接著產(chǎn)產(chǎn)生高高比例例的分分解離離子與與自由由基，，它比比RIE或或是磁磁性增增強RIE產(chǎn)生生更多多的活活性自自由基基與離離子。。43金屬導導線刻刻蝕－－AlIC制制作中中，金金屬層層的刻刻蝕是是一個個相當當重要要的步步驟。。鋁、、銅與與鎢是是金屬屬導線線常用用的材材料，，它們們通常常需要要各向向異性性刻蝕蝕。氟氟與鋁鋁反應應產(chǎn)生生非揮揮發(fā)性性的AlF3，，在1240℃℃時，，其蒸蒸汽壓壓只有有1Torr。。氯基基化學學劑常常用于于鋁的的刻蝕蝕。氯氯對鋁鋁有極極高的的化學學刻蝕蝕速率率并且且在刻刻蝕時時會有有橫向向鉆蝕蝕現(xiàn)象象。將將含碳碳氣體體或是是氮氣氣加入入反應應中，，可在在側壁壁產(chǎn)生生鈍化化層而而得到到各向向異性性刻蝕蝕。暴露于于大氣氣環(huán)境境中是是鋁刻刻蝕的的另一一個問問題。。Al側壁壁上殘殘留的的氯與與抗蝕蝕劑容容易與與常壓壓下的的水氣氣形成成HCl腐腐蝕鋁鋁。在在晶片片暴露露與大大氣前前，先先臨場場通入入CF4等等離子子體，，用F取代代Cl；然然后再再通入入氧等等離子子體去去除抗抗蝕劑劑；緊緊接著著立刻刻將晶晶片浸浸入去去離子子水中中，如如此可可避免免Al的腐腐蝕。。44CuCu是是Al的后后起之之秀，，低的的電阻阻率與與高的的抗電電遷移移性能能。然然而，，銅的的鹵化化物揮揮發(fā)性性較低低，室室溫下下的等等離子子體刻刻蝕并并不容容易。?？涛g蝕銅膜膜的溫溫度需需高于于200℃℃。因因此，，銅的的金屬屬導線線制作作使用用“嵌嵌入式式”工工藝而而不用用刻蝕蝕。嵌嵌入式式工藝藝包括括：1、平平坦的的介電電層上上刻蝕蝕出溝溝槽或或渠道道；2、金金屬填填入溝溝槽中中來作作為連連線導導線；；3、化化學機機械拋拋光。。在兩層層嵌入入式工工藝中中，牽牽涉了了一系系列的的洞（（接觸觸孔或或通孔孔）的的刻蝕蝕出來來并以以金屬屬填入入，然然后CMP。嵌入式式工藝藝的優(yōu)優(yōu)點是是免掉掉了金金屬刻刻蝕的的步驟驟，而而銅刻刻蝕正正是IC工工業(yè)從從鋁改改成銅銅導線線時最最擔心心的問問題。。45兩層嵌嵌入式式工藝藝中不不同的的工藝藝步驟驟抗蝕劑劑刻蝕停停止層層抗蝕劑劑連線通孔46LPCVD(低低壓化化學汽汽相沉沉積)W已廣廣泛用用于接接觸孔孔填塞塞與第第一層層金屬屬層，，這是是因為為鎢有有完美美的淀淀積均均勻覆覆蓋性性。氟氟基與與氯基基化合合物均均可以以刻蝕蝕鎢，，且生生成揮揮發(fā)性性產(chǎn)物物。利利用鎢鎢全面面回蝕蝕得到到鎢插插栓是是鎢刻刻蝕的的一項項重要要應用用。SiO2TiN阻擋擋層WAlCuWSiO2AlCu479、靜夜四無無鄰，荒居居舊業(yè)貧。。。12月-2212月-22Wednesday,December28,202210、雨中黃葉葉樹，燈下下白頭人。。。20:36:4120:36:4120:3612/28/20228:36:41PM11、以我獨沈久久，愧君相見見頻。。12月-2220:36:4120:36Dec-2228-Dec-2212、故人江海別別，幾度隔山山川。。20:36:4120:36:4120:36Wednesday,December28,202213、乍乍見見翻翻疑疑夢夢，，相相悲悲各各問問年年。。。。12月月-2212月月-2220:36:4120:36:41December28,202214、他鄉(xiāng)生生白發(fā)，，舊國見見青山。。。28十十二月20228:36:41下午午20:36:4112月-2215、比不不了得得就不不比，，得不不到的的就不不要。。。。十二月月228:36下下午午12月月-2220:36December28,202216、行動動出成成果，，工作作出財財富。。。2022/12/2820:36:4120:36:4128December202217、做前，能能夠環(huán)視四四周；做時時，你只能能或者最好好沿著以腳腳為起點的的射線向前前。。8:36:41下下午8:36下下午20:36:4112月-229、沒有失敗，，只有暫時停停止成功！。。12月-2212月-22Wednesday,December28,202210、很多事情努努力了未必有有結果，但是是不努力卻什什么改變也沒沒有。。20