《微電子工藝設計》實驗教學大綱

微電子工藝設計

實驗教學大綱目錄TOC\o"1-5"\h\z《微電子工藝設計》1一、課程簡介2二、課程實驗教學的目的、任務與要求2三、實驗方式與基本要求2四、實驗項目設置2五、教材（講義、指導書）3六、實驗報告要求3七、考試（考核）方式3八、使用說明4課程名稱：微電子工藝設計課程編號:056511英文名稱：MicroelectronicsProcessDesign課程性質：非獨立設課課程屬性：專業(yè)方向課應開實驗學期：第7學期學時學分：課程總學時--48實驗學時--16課程總學分一-3實驗學分一一實驗者類別：本科生適用專業(yè)：電子信息工程；電子科學與技術。先修課程：數字電子技術；模擬電子技術。一、課程簡介微電子工藝學時電子科學與技術專業(yè)的一門專業(yè)課程，其任務是介紹半導體器件，集成電路的材料性能，工藝原理、工藝步驟及工藝集成的基礎知識，使學生對微電子工藝的設計與實施有一個基本的系統知識為日后從事半導體器件及集成電路的設計及生產提供知識儲備。通過本課程的學習，學生需要熟悉半導體襯底的特點；掌握微電子工藝的設計與實施步驟；了解工藝集成的原理與方法。二、課程實驗教學的目的、任務與要求通過本課程的學習，使學生掌握半導體器件的制作方法和工藝過程，培養(yǎng)學生實際動手能力、獨立處理問題和解決問題的能力。三、實驗方式與基本要求實驗方式：學生1?2人一機，獨立進行實驗，配合所學課程，記錄實驗數據，進行結果分析?；疽螅?、掌握利用熱氧化方法制備SiOz的原理、方法和工藝過程。2、掌握光刻的方法，學會能夠按照平面晶體管和集成電路的設計要求，在Si。?或金屬蒸發(fā)層上面刻蝕出與掩膜版完全相對應的幾何圖形。3、掌握真空蒸發(fā)制備鋁薄膜的方法，學會利用干涉法測量鋁薄膜的厚度。4、通過實驗了解光刻掩膜版在硅平面生產器件中的作用，掌握制版工藝原理及一些簡單的工藝操作。5、學會使用晶體管特性測試儀，并利用其簡單檢測晶體管的質量。四、實驗項目設置注凝出；1.標2驗正1綜的設南驚5.其他加黜1.擷吟利擷n專業(yè)"4其它匆陵1.必修2.選留3.艇序號實驗編號實驗項目名稱實驗內容提要實驗時數實驗類型實驗類別實驗要求每組人數101熱氧化制備Si02利用熱氧化方法制備Si02的原理、方法和工藝過程2必修202光刻工藝在Si(L或金屬蒸發(fā)層上面刻蝕事與掩膜版完全相對應的幾何圖形2必修303蒸發(fā)工藝真空蒸發(fā)制備鋁薄膜6必修404制版工藝簡單掩膜版的制備4必修505P-N結特性測量使用晶體管特性測試儀，并利用其簡單檢測晶體管的質量2必修合計16五、教材(講義、指導書)(1)美StephenA.Campbell著，曾瑩等譯，微電子制造科學原理與工程技術，電子工業(yè)出版社。(2)莊同曾，《集成電路制造技術一一原理與實踐》，電子工業(yè)出版社六、實驗報告要求要求有實驗目的、原理、內容和步驟以及實驗結果和數據分析，不可偷工減料。七、考試(考核)方式(1)平時成績考查學生預習情況、在平時的實驗中注意人身安全和設備的安全情況、實驗課的出勤情況等。(2)實驗操作在每次的實驗中，我們認真對每個同學的實驗過程、儀器操作使用、實驗技能與效果，以及實驗記錄等四個環(huán)節(jié)進行當場評價、登記。(3)實驗報告實驗報告質量是衡量實驗效果的依據，是反映學生分析問題、研究問題、解決問題、撰寫科技論文的能力。