2020年硅基負(fù)極材料行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀_第1頁
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2020年硅基負(fù)極材料行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀一、硅基負(fù)極材料行業(yè)概述負(fù)極材料種類較多,根據(jù)活性物質(zhì)的不同,可分類碳材料和非碳材料兩大類。其中,非碳系負(fù)極材料包括硅基材料、錫基材料、鈦基材料和金屬鋰(全固態(tài)鋰電池負(fù)極材料)等。鋰電池負(fù)極材料分類石墨作為目前商業(yè)化應(yīng)用最廣的鋰離子電池負(fù)極材料,其實(shí)際比容量已接近理論比容量極限372mAh/g,進(jìn)一步提升空間有限,不足以滿足未來動(dòng)力電池高能量密度要求。硅基負(fù)極材料理論比容量高達(dá)4200mAh/g,約為石墨負(fù)極的10倍,同時(shí)具有較低的脫嵌鋰電位(略高于石墨),在充電時(shí)可以避免表面的析鋰現(xiàn)象,安全性能優(yōu)于石墨負(fù)極材料。因此,硅基負(fù)極材料被認(rèn)為是當(dāng)前石墨負(fù)極材料的替代首選。主要負(fù)極材料性能特征對(duì)比二、硅基負(fù)極材料行業(yè)現(xiàn)狀分析在對(duì)能量密度要求逐步提升的行業(yè)背景下,硅基負(fù)極材料逐步成為產(chǎn)業(yè)關(guān)注焦點(diǎn)。近年來,隨著下游動(dòng)力電池行業(yè)對(duì)高能量密度負(fù)極材料需求的增長,硅基負(fù)極材料出貨量快速增長。數(shù)據(jù)顯示,2016年中國硅基負(fù)極材料出貨量僅為0。06萬噸,2020年出貨量激增,達(dá)0。9萬噸,同比上升143。24%。2016-2020年中國硅基負(fù)極材料出貨量及增長情況目前,國內(nèi)硅基滲透率仍然很低。據(jù)統(tǒng)計(jì),2020年中國硅基負(fù)極材料在負(fù)極滲透率僅為2。5%,有較大的提升空間。2017-2020年中國硅基負(fù)極材料在負(fù)極滲透率三、硅基負(fù)極材料行業(yè)主要生產(chǎn)企業(yè)國內(nèi)主要硅基負(fù)極材料生產(chǎn)企業(yè)包括中科電氣、貝特瑞、江西正拓、深圳斯諾等,其中能夠?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)的企業(yè)較少,貝特瑞具備先發(fā)優(yōu)勢,目前已經(jīng)進(jìn)入了松下-特斯拉的供應(yīng)鏈,實(shí)現(xiàn)大批量供貨。目前其他廠商尚處于研發(fā)或小批量量產(chǎn)階段。硅基負(fù)極材料部分企業(yè)產(chǎn)品性能對(duì)比四、硅基負(fù)極材料行業(yè)發(fā)展困境目前,硅基負(fù)極材料產(chǎn)業(yè)化的發(fā)展仍面臨重重阻礙,歸納為以下三點(diǎn):硅基負(fù)極材料行業(yè)發(fā)展困境五、硅基負(fù)極材料行業(yè)研究方向硅基負(fù)極材料理論比容量是石墨的十倍,為下一代負(fù)極材料最佳之選。石墨作為目前商業(yè)化應(yīng)用最廣的鋰離子電池負(fù)極材料,其實(shí)際比容量已接近理論比容量極限372mAh/g,進(jìn)一步提升空間有限,不足以滿足未來動(dòng)力電池高能量密度要求。硅負(fù)極材料理論比容量高達(dá)4200mAh/g,約為石墨負(fù)極的10倍,同時(shí)具有較低的脫嵌鋰電位,略高于石墨,在充電時(shí)可以避免表面的析鋰現(xiàn)象,安全性能優(yōu)于石墨負(fù)極材料。因此,硅基負(fù)極材料被認(rèn)為是當(dāng)前石墨負(fù)極材料的替代首選。當(dāng)前商業(yè)化程度較高的硅基負(fù)極材料主要有硅/炭復(fù)合材料和氧化亞硅復(fù)合材料。硅/炭復(fù)合材料結(jié)合了硅高比容量與炭材料高導(dǎo)電、低膨脹、循環(huán)穩(wěn)定等特點(diǎn),具有出色的能量密度。氧化亞硅復(fù)合材料相較于硅/炭復(fù)合材料具有更小的體積效應(yīng)和更加穩(wěn)定的循環(huán)性能,應(yīng)用更加廣泛,在鋼殼、軟包、方形鋁殼等各類電芯中均可使用。此外,預(yù)鋰化技術(shù)的應(yīng)用對(duì)于提高硅負(fù)極材料的首次效率、能量密度、循環(huán)壽命以及降低電池的體積膨脹具有關(guān)鍵作用,深入研究硅負(fù)極材料與其黏結(jié)劑、電解液、添加劑及高容量正極等材料的匹配性對(duì)于推動(dòng)可實(shí)用化硅負(fù)極的研究同樣具有重要價(jià)值。晶圓檢測設(shè)備行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀一、半導(dǎo)體制造流程半導(dǎo)體制造流程主要分為三步,第一步為芯片設(shè)計(jì)驗(yàn)證;第二步為晶圓制造;第三步為封裝測試。其中在每一步都需要經(jīng)過測試環(huán)節(jié),半導(dǎo)體檢測設(shè)備主要用于半導(dǎo)體制造過程中檢測芯片性能與缺陷,貫穿于半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中,可分為晶圓制造環(huán)節(jié)的檢測設(shè)備和封測環(huán)節(jié)的檢測設(shè)備。半導(dǎo)體制造流程二、晶圓檢測行業(yè)市場規(guī)模2020全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額712億美元,同比增長9。2%,中國半導(dǎo)體設(shè)備銷售額187。2億美元,同比增長39。2%。中國半導(dǎo)體設(shè)備銷售額占比從2017年14。5%提升至2020年26。3%,首次成為半導(dǎo)體設(shè)備的最大市場。2016-2021年Q1中國半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)銷售額及占全球比重2020年,晶圓制造環(huán)節(jié)占半導(dǎo)體設(shè)備銷售額86。12%。半導(dǎo)體設(shè)備主要包含晶圓制造設(shè)備、(封測環(huán)節(jié))檢測設(shè)備和封裝設(shè)備三類,根據(jù)數(shù)據(jù)顯示2020年三者分別占比86。1%、8。5%和5。4%。2020年半導(dǎo)體銷售額占比情況晶圓制造主要包含八大環(huán)節(jié),晶圓制造環(huán)節(jié)檢測設(shè)備價(jià)值量占比約為13%。2020年,晶圓制造環(huán)節(jié)設(shè)備銷售額約為613億美元,因此預(yù)計(jì)2020年全球晶圓制造環(huán)節(jié)檢測設(shè)備市場規(guī)模為79。69億美元。2020年晶圓制造環(huán)節(jié)設(shè)備占比情況三、晶圓制造環(huán)節(jié)檢測設(shè)備分類晶圓制造環(huán)節(jié)檢測設(shè)備(過程工藝控制)主要包括量測類設(shè)備和缺陷檢測類設(shè)備,價(jià)值量占比分別為40%和50%,控制軟件等其他設(shè)備占剩余10%。晶圓制造環(huán)節(jié)檢測設(shè)備四、晶圓檢測設(shè)備行業(yè)競爭格局根據(jù)數(shù)據(jù)顯示,2020年KLA占晶圓制造環(huán)節(jié)檢測設(shè)備市場58%的銷售額份額,應(yīng)用材料、日立

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