陣列感應(yīng)處理流程new

陣列感應(yīng)處理流程內(nèi)容提要一、資料驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)二、處理流程

合格的測(cè)井資料是進(jìn)行正確處理與解釋的基礎(chǔ)，資料數(shù)據(jù)是否正確，質(zhì)量是否優(yōu)良，是我們進(jìn)行處理工作之前必須要確認(rèn)的。陣列感應(yīng)測(cè)井資料在驗(yàn)收時(shí)應(yīng)主要遵循以下標(biāo)準(zhǔn)：.原圖曲線是否完整齊全..檢查同一頻率各陣列響應(yīng)的一致性，由短陣列到長(zhǎng)陣列，曲線應(yīng)平緩過(guò)渡。

.檢查相同陣列不同頻率的曲線由低頻到高頻的過(guò)渡，通常頻率越高，其視電導(dǎo)率越低。由低頻到高頻，曲線過(guò)渡平緩。.在非滲透層，各曲線應(yīng)基本重合。.在滲透層，各曲線反映的地層侵入剖面應(yīng)合理。.除特殊因素外，曲線應(yīng)沒(méi)有不期望的尖峰及其它異常顯示。測(cè)井資料驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)陣列感應(yīng)處理流程主要包括以下步驟:一、HDILPROC預(yù)處理程序

二、HDIL1DINV高分辯率陣列感應(yīng)一維反演處理程序

處理流程HDILPROC預(yù)處理程序一、HDILPROC預(yù)處理程序程序說(shuō)明:

Hdilproc程序用于處理高分辯率陣列感應(yīng)儀（HDIL）采集的視電導(dǎo)率數(shù)據(jù)，程序可以進(jìn)行趨膚校正、井眼校正、完成真分辨率聚焦、垂直分辨率匹配。用于這個(gè)程序的最初輸入曲線是指包含7線圈間隔的實(shí)際數(shù)據(jù)的原始多頻陣列，處理程序只能處理西方阿特拉斯HDIL儀器采集的數(shù)據(jù)，而不能處理其它陣列感應(yīng)儀采集的數(shù)據(jù)。Hdilproc是進(jìn)行HDIL數(shù)據(jù)處理的第一步，Hdilproc自動(dòng)生成hdil1dinv（hdilidinv.inp）和hdil2dinv（hdilzdinv.inp）輸入文件。實(shí)際應(yīng)用在hdil1dinv處理的曲線是在最初的Hdilproc處理步驟中生成的垂直分辯率匹配曲線（1、2或4英尺分辯率），為生成垂直分辯率匹配曲線,打開合適的分辯率匹配輸出曲線設(shè)置。HDILPROC預(yù)處理程序預(yù)處理程序界面如下圖所示輸入文件名及處理井段深度HDILPROC預(yù)處理程序預(yù)處理程序界面如下圖所示Hdilproc程序主要接受以下輸入曲線：·井徑曲線·HDIL頻率陣列·真分辯率聚焦電阻率·泥漿電阻率·井眼參數(shù)

HDILPROC預(yù)處理程序預(yù)處理程序界面如下圖所示函數(shù)選擇：選擇一系列數(shù)值表明處理函數(shù)的數(shù)量和類型，應(yīng)用到HDIL數(shù)據(jù)時(shí)作為陣列輸入到控制文件中。1）預(yù)處理2）趨膚影響校正3）井眼校正4）真分辯率聚焦5）分辯率匹配一個(gè)函數(shù)的輸出作為下一步的輸入，例如真分辯率聚焦的輸出作為垂直分辯率匹配的輸入，真分辯率聚焦的輸入是井眼校正的輸出。HDILPROC預(yù)處理程序預(yù)處理程序界面如下圖所示聚焦選擇：實(shí)際處理中選擇標(biāo)準(zhǔn)聚焦HDILPROC預(yù)處理程序預(yù)處理程序界面如下圖所示校正選擇：·CorrectionType校正類型選擇·ToolPosition儀器位置選擇·BoreholeSize井徑曲線選擇·MudResitivity泥漿電阻率方法選擇·AdaptiveVariable校正過(guò)程中不同的井眼參數(shù)選擇此選項(xiàng)的選取是預(yù)處理過(guò)程中的關(guān)鍵所在，合適與否將直接影響預(yù)處理結(jié)果，并進(jìn)而影響后續(xù)一維反演處理的成果，后面將結(jié)合實(shí)例對(duì)此選項(xiàng)做具體分析。HDILPROC預(yù)處理程序預(yù)處理程序界面如下圖所示

校正參數(shù)：1）BITSIZE：輸入在處理深度間隔內(nèi)的鉆頭直徑值。2）DIPANGLE：輸入處理深度間隔內(nèi)相對(duì)于井眼的地層平均傾角。3）STOFF：當(dāng)儀器居中時(shí)，輸入儀器到井壁間的距離。這個(gè)數(shù)值通常為1.5英寸，但在小井眼時(shí)可小于1.5英寸，在大井眼時(shí)可大于1.5英寸。

4）RMMULT：用于對(duì)泥漿電阻率輸入數(shù)值進(jìn)行規(guī)一化。這個(gè)乘法因子應(yīng)用于所有用于井眼校正的泥漿電阻率值。HDILPROC預(yù)處理程序預(yù)處理程序界面如下圖所示

泥漿參數(shù):１）輸入定義的深度、井眼溫度、地溫梯度可以計(jì)算處理深度間隔內(nèi)每個(gè)點(diǎn)的溫度，這個(gè)溫度可以用來(lái)評(píng)價(jià)和校正泥漿電阻率。２）輸入在已知溫度下的泥漿電阻率測(cè)量值，用于計(jì)算井眼溫度下的泥漿電阻率，進(jìn)行井眼校正。３）輸入的泥漿電阻率、井底溫度通常給測(cè)量的泥漿樣品溫度和井底溫度，參考深度通常情況下輸入井底深度。HDILPROC預(yù)處理程序預(yù)處理程序界面如下圖所示

處理選項(xiàng):·BitSizeUnit:鉆頭尺寸單位旗標(biāo),選擇公制或英制.

·TemperatureUnit:溫度單位旗標(biāo),選擇攝氏或華氏。HDILPROC預(yù)處理程序預(yù)處理程序界面如下圖所示輸出曲線:HDILPROC預(yù)處理程序主要輸出經(jīng)過(guò)預(yù)處理、趨膚影響校正、井眼校正以及真分辯率聚焦和垂直分辯率匹配后的不同垂直分辨率(1ft、2ft、4ft)及不同探測(cè)深度（10in、30in、50in、70in、90in、120in)的電阻率曲線。為后續(xù)進(jìn)行陣列感應(yīng)一維反演計(jì)算做數(shù)據(jù)準(zhǔn)備。HDILPROC預(yù)處理程序校正選項(xiàng)ABHCFLAG:選擇一個(gè)旗標(biāo)值指示對(duì)子陣列數(shù)據(jù)應(yīng)用的井眼校正方法。

標(biāo)準(zhǔn)校正方法:假定井眼參數(shù)校正（井眼尺寸、泥漿電阻率、儀器位置）很精確，然而通常達(dá)不到要求的精度可能導(dǎo)致不好的校正結(jié)果，特別是在大井眼或井眼不規(guī)則時(shí)。自適應(yīng)校正方法:假定提供的其中一個(gè)井眼參數(shù)不準(zhǔn)確，用一種模型技術(shù)調(diào)整參數(shù)以便使校正的淺子陣列測(cè)量盡可能地互相之間保持一致。在實(shí)際的處理中，這種自適應(yīng)技術(shù)假定知道三個(gè)井眼參數(shù)中的兩種（泥餅電導(dǎo)率、井眼尺寸、儀器位置），有足夠的精度，可解決地層電導(dǎo)率的第三個(gè)參數(shù)。在多數(shù)情況下，用自適應(yīng)方法進(jìn)行井眼校正將優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)校正。這種方法在沒(méi)有精確的井眼參數(shù)時(shí)，如井徑缺失或不精確、泥漿電阻率未知、或儀器在井眼中位置發(fā)生改變時(shí)能夠提供可接受的結(jié)果。通常用自適應(yīng)校正方法。但是當(dāng)井眼規(guī)則時(shí)，用標(biāo)準(zhǔn)方法也可得到好的結(jié)果。HDILPROC預(yù)處理程序校正選項(xiàng)TOOLPOS:選擇一個(gè)旗標(biāo)值指示井眼校正時(shí)HDIL儀器位置。在井眼條件較好,即井壁規(guī)則時(shí),我們可選擇居中

,此時(shí)校正方法多選擇標(biāo)準(zhǔn)校正。但在大多數(shù)情況下,井眼條件并不理想時(shí),儀器在井眼中并不是處于居中位置,這種情況下我們應(yīng)采用偏心選項(xiàng)進(jìn)行處理,此時(shí)校正方法多選擇自適應(yīng)校正。HDILPROC預(yù)處理程序校正選項(xiàng)CALFLAG:選擇旗標(biāo)值指示是否應(yīng)用井徑曲線或固定鉆頭尺寸用于井眼校正。如果井徑數(shù)據(jù)可用的話，應(yīng)用井徑曲線。然而當(dāng)井徑不可用或不理想時(shí)，井徑較小的變化可能導(dǎo)致校正上較大的變化。在這種情況下，應(yīng)用一個(gè)固定的井眼尺寸提供一個(gè)更可靠的校正，實(shí)際處理中我們采用鉆頭直徑。如果選擇井徑濾波，那么對(duì)井徑數(shù)據(jù)進(jìn)行濾波，最長(zhǎng)的HDIL子陣列的線圈間距約為10英尺，如果深度間隔包含厚度較薄且高電阻率層，井徑濾波將導(dǎo)致過(guò)多校正電阻率；處理結(jié)果不夠真實(shí)準(zhǔn)確,在實(shí)際處理中我們基本不采用這種方法。HDILPROC預(yù)處理程序校正選項(xiàng)RMUDFLAG:選擇一個(gè)旗標(biāo)值指示提供用于井眼校正的泥漿電阻率方法。選擇地溫梯度，輸入地溫梯度值;選擇泥漿電阻率曲線，由于多數(shù)情況下通過(guò)HDIL儀器測(cè)量井下泥漿電阻率，用這種方法得到一條泥漿電阻率曲線，這種測(cè)量在淡水泥漿或大井眼時(shí)最精確，在鹽水泥漿或小井眼時(shí)不可信，因?yàn)橐艿絻x器的限制和地層電阻率的影響。一般說(shuō)來(lái)，這種儀器不適用于低電阻率泥漿條件。如果選擇油基泥漿，可以認(rèn)為井眼沒(méi)有電導(dǎo)率。如果選擇泥漿溫度曲線，輸入溫度曲線。HDILPROC預(yù)處理程序校正選項(xiàng)ABHCOPT:選擇旗標(biāo)值指示在井眼校正處理過(guò)程中改變井眼參數(shù)。一般選擇淡水泥漿的儀器位置和鹽水泥漿的泥漿電阻率，很少選擇井眼尺寸。在特殊的井眼條件下（鹽水泥漿、大井眼、大Rt/Rm比值等等）通過(guò)執(zhí)行兩次自適應(yīng)校正，得到最佳效果。在第一步，允許改變泥漿電阻率；在第二步允許改變儀器的Stoff。在第一步的基礎(chǔ)上可以為第二步提供更精確的泥漿電阻率，這可以通過(guò)輸入的泥漿電阻率（Rmud）或通過(guò)第一步作為輸入曲線的泥漿電阻率來(lái)完成。不同校正選項(xiàng)對(duì)預(yù)處理結(jié)果影響實(shí)例圖一

奈1-52-50井

校正選項(xiàng):自適應(yīng)校正儀器居中鉆頭直徑井眼尺寸校正選項(xiàng):自適應(yīng)校正儀器居中井徑曲線井眼尺寸從圖中可以看出,在其它參數(shù)一致的條件下,當(dāng)其它校正選項(xiàng)為自適應(yīng)校正、儀器居中、井眼尺寸時(shí)，選擇輸入鉆頭直徑或井徑曲線對(duì)處理生成的曲線影響很小，二者生成的曲線形態(tài)基本一致。不同校正選項(xiàng)對(duì)預(yù)處理結(jié)果影響實(shí)例圖二

奈1-52-50井

校正選項(xiàng):自適應(yīng)校正儀器偏心鉆頭直徑儀器位置校正選項(xiàng):自適應(yīng)校正儀器偏心井徑曲線儀器位置

從圖中可以看出,在其它參數(shù)一致的條件下,當(dāng)其它校正選項(xiàng)為自適應(yīng)校正、儀器偏心、儀器位置時(shí)，選擇輸入鉆頭直徑或井徑曲線對(duì)處理生成的曲線影響較大，二者生成的曲線形態(tài)有明顯差異。不同校正選項(xiàng)對(duì)預(yù)處理結(jié)果影響實(shí)例圖三

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校正選項(xiàng):自適應(yīng)校正儀器居中井徑曲線井眼尺寸校正選項(xiàng):自適應(yīng)校正儀器偏心井徑曲線儀器位置

從圖中可以看出,在其它參數(shù)一致的條件下,均選擇自適應(yīng)校正+井徑曲線時(shí)，分別給入儀器居中+井眼尺寸和儀器偏心+儀器位置兩種不同的組合處理生成的曲線形態(tài)有明顯差異。不同校正選項(xiàng)對(duì)預(yù)處理結(jié)果影響實(shí)例圖四

奈1-52-50井

校正選項(xiàng):自適應(yīng)校正儀器居中井徑曲線儀器位置校正選項(xiàng):自適應(yīng)校正儀器偏心井徑曲線儀器位置從圖中可以看出,在其它參數(shù)一致的條件下,當(dāng)其它校正選項(xiàng)為自適應(yīng)校正、井徑曲線、儀器位置時(shí)，選擇儀器居中或偏心對(duì)處理生成的曲線影響很小，二者生成的曲線形態(tài)基本一致。

常用的校正選項(xiàng)組合為儀器居中+井眼尺寸或儀器偏心+儀器位置。分析認(rèn)為是由于本井斜度小，儀器居中或偏心對(duì)結(jié)果影響不大。不同校正選項(xiàng)對(duì)預(yù)處理結(jié)果影響實(shí)例圖五

奈1-52-50井

校正選項(xiàng):自適應(yīng)校正儀器居中井徑曲線井眼尺寸校正選項(xiàng):自適應(yīng)校正儀器偏心井徑曲線井眼尺寸從圖中可以看出,在其它參數(shù)一致的條件下,當(dāng)其它校正選項(xiàng)為自適應(yīng)校正、井徑曲線、井眼尺寸時(shí)，選擇儀器居中或偏心處理生成的曲線形態(tài)有明顯差異。

可以看出，儀器偏心+井眼尺寸的組合處理生成的曲線是不正確的，說(shuō)明這種組合方式是不合理的。二、HDIL1DINV高分辯率陣列感應(yīng)一維反演處理流程程序說(shuō)明：Hdil1dinv程序利用一維反演技術(shù)去估算原狀地層電阻率（Rt1d）、沖洗帶電阻率（Rxo1d）、和侵入帶的深度。反演模型假定地層電阻率只沿徑向變化，用于反演的數(shù)據(jù)必須進(jìn)行井眼校正。一維反演技術(shù)是基于六條聚集分辯率匹配曲線的整體徑向幾何因子，隨著探測(cè)深度的增加，在處理過(guò)程中，應(yīng)考慮每一次測(cè)量的相對(duì)精度。每一點(diǎn)的處理都要確定侵入和非侵入模式的解，最終“最可能”模式是根據(jù)用戶提供的選擇標(biāo)準(zhǔn)來(lái)選取。在后反演步驟中，通過(guò)輸入曲線、計(jì)算曲線和參數(shù)所提供的侵入指示組合可以降低或者去除侵入影響。HDIL1DINV陣列感應(yīng)一維反演處理流程HDIL1DINV陣列感應(yīng)一維反演處理流程一維反演程序界面如下圖所示輸入文件名及處理井段深度HDIL1DINV陣列感應(yīng)一維反演處理流程一維反演程序界面如下圖所示輸入曲線：?INVIDI1井眼直徑?INVIDI2泥漿電阻率?INVIDI310inch匹配曲線?INVIDI420inch匹配曲線?INVIDI530inch匹配曲線?INVIDI660inch匹配曲線?INVIDI790inch匹配曲線?INVIDI8120inch匹配曲線?INVIDI9估算的沖洗帶電阻率（Rxo）?INVIND侵入指示曲線HDIL1DINV陣列感應(yīng)一維反演處理流程一維反演程序界面如下圖所示PROCOPT：選擇一個(gè)旗標(biāo)值，指示一種處理類型。選項(xiàng)一計(jì)算侵入和非侵入的反演結(jié)果，運(yùn)用后反演步驟，選擇一個(gè)模型消除或減小侵入影響；選項(xiàng)二用已反演的結(jié)果（輸出曲線），它只運(yùn)用后反演步驟。后反演步驟選擇一個(gè)模型可消除或減少短時(shí)間侵入的影響。程序開始運(yùn)行時(shí)必須用選項(xiàng)一計(jì)算反演結(jié)果，一旦這個(gè)結(jié)果計(jì)算出來(lái)，最后模型結(jié)果可以只運(yùn)行后反演步驟。HDIL1DINV陣列感應(yīng)一維反演處理流程一維反演程序界面如下圖所示

CALFLAG:輸入一個(gè)旗標(biāo)值，選擇所使用的井徑曲線來(lái)源。HDILPROC計(jì)算生成一條用于井眼校正的井眼直徑曲線，當(dāng)用CALFLAG=1時(shí)，這條曲線做為一條輸入曲線；當(dāng)CALFLAG=0時(shí)，必須提供一個(gè)鉆頭尺寸參數(shù)(鉆頭直徑）。HDIL1DINV陣列感應(yīng)一維反演處理流程一維反演程序界面如下圖所示OILBASE：輸入一個(gè)旗標(biāo)值，指示此泥漿是導(dǎo)電的（OILBASE=0）或是不導(dǎo)電的（OILBASE=1），泥漿導(dǎo)電影響到測(cè)量數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性。程序用一條輸入的泥漿電阻率曲線或一個(gè)固定參數(shù)值來(lái)確定水基泥漿的電導(dǎo)率，油基泥漿的電導(dǎo)率設(shè)為0mΩ/m。OILBASE=0：水基泥漿OILBASE=1：油基泥漿HDIL1DINV陣列感應(yīng)一維反演處理流程一維反演程序界面如下圖所示RMUDFLAG：指示是用一條輸入曲線（RMUDFLAG=0）或一個(gè)用固定參數(shù)值（RMUDFLAG=1）來(lái)提供導(dǎo)電泥漿的電導(dǎo)率，泥漿電導(dǎo)率影響測(cè)量數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性。RMUDFLAG=0=泥漿電阻率曲線RMUDFLAG=1=固定泥漿電阻率

在預(yù)處理過(guò)程中產(chǎn)生一條用于井眼校正的泥漿電阻率輸出曲線，當(dāng)RMUDFLAG=0時(shí)，這條曲線被用做輸入曲線；當(dāng)RMUDFLAG=1時(shí)，必須提供一個(gè)參數(shù)值（RMUD）。HDIL1DINV陣列感應(yīng)一維反演處理流程一維反演程序界面如下圖所示VBITUNIT：賦一個(gè)旗標(biāo)值，指示井眼尺寸參數(shù)的單位。HDIL1DINV陣列感應(yīng)一維反演處理流程一維反演程序界面如下圖所示RXOGFLAG：選擇一條輸入曲線，作為初始沖洗帶電阻率（Rxo）計(jì)算值。

RXOGFLAG=０：10英寸縱向分辨率匹配曲線；

RXOGFLAG

=１：Rxo計(jì)算輸入曲線。如果是增阻侵入（Rxo>Rt），那么10英寸縱向分辨率匹配曲線的類型不接近Rxo值，得到唯一可靠的Rxo是困難的。此時(shí)應(yīng)選擇RXOGFLAG

=１。如果是減阻侵入（Rxo<Rt），則多選擇RXOGFLAG=０HDIL1DINV陣列感應(yīng)一維反演處理流程一維反演程序界面如下圖所示RXOFILT：選擇一種對(duì)Rxo測(cè)量輸入曲線進(jìn)行過(guò)濾的濾波器．實(shí)際處理中我們常選擇２英尺濾波器。Rxo測(cè)量曲線通常是一條高縱向分辨率微側(cè)向曲線，選擇測(cè)量曲線分辨率的匹配方式，需要給RXOFILT一個(gè)適當(dāng)?shù)闹?，也就是為反演處理選擇一條縱向分辨率匹配曲線。HDIL1DINV陣列感應(yīng)一維反演處理流程一維反演程序界面如下圖所示VBITSIZE：輸入一個(gè)井眼直徑值?？梢允且粭l輸入曲線，也可以是標(biāo)準(zhǔn)鉆頭直徑。實(shí)際處理中常用后者。RMUD：賦一個(gè)泥漿電阻率值，這個(gè)值可從輸入曲線中讀取。但是如果曲線不可靠，就必須提供一個(gè)參數(shù)，通常我們選用測(cè)量的泥漿電阻濾值。ACBH：為縱向分辨匹配的精確度賦一個(gè)值（０，１），作壞井眼校正。當(dāng)井眼狀況很差（如大、不規(guī)則井眼和導(dǎo)電泥漿）時(shí)，校正并不理想。如果在井眼校正過(guò)程中出現(xiàn)較大的誤差，則增大該值。如果井眼校正非常好，并且所有探測(cè)深度曲線在非滲透層都重合，則把該值減小。RXOGERR：沖洗帶電阻率初始計(jì)算時(shí)，給定一個(gè)預(yù)期誤差。這個(gè)值確定誤差的上、下限，在這個(gè)限定范圍內(nèi)進(jìn)行Rxo的計(jì)算。這個(gè)值表示Rxo曲線與實(shí)測(cè)電阻率誤差百分?jǐn)?shù)。HDIL1DINV陣列感應(yīng)一維反演處理流程一維反演程序界面如下圖所示POSTINV：選擇一個(gè)或多個(gè)指示后反演處理的選項(xiàng)，這些選項(xiàng)可以消除或重新計(jì)算侵入影響應(yīng)用到反演結(jié)果中確定是非侵入還是侵入。POSTINV=1：置信模型。侵入和非侵入模型都有范圍為0-1的相關(guān)置信系數(shù)，如果地層是侵入的，則侵入模型置信系數(shù)較高，而非侵入系數(shù)低。模型置信度代表了侵入性指示。POSTINV=2：侵入類型。確定增阻侵入（Rxo>Rt）或減阻侵入（Rxo<Rt）。POSTINV=3：電阻率比值。如果Rxo與Rt的比值接近1，侵入解釋較為困難。深和淺侵入的數(shù)據(jù)響應(yīng)很相似。POSTINV=4：侵入指示。泥巖有典型的非滲透性和非侵入性，泥巖中的侵入指示可以作為壞井眼校正（主要影響淺探測(cè)深度曲線），侵入指示選項(xiàng)允許用一條輸入曲線重新計(jì)算并限制侵入在泥巖部分的顯示。HDIL1DINV陣列感應(yīng)一維反演處理流程一維反演程序界面如下圖所示CHI2CO：為非侵入置信系數(shù)輸入一個(gè)下限截止值，置信系數(shù)的范圍從0到1。

RATCO：給沖洗帶電阻率和真電阻的比值輸入一個(gè)完全侵入截止值。如果侵入是增阻的（Rxo>Rt），電阻率比值用Rxo/Rt計(jì)算；如果是減阻侵入（Rxo<Rt）電阻率比值就用Rt/Rxo計(jì)算；計(jì)算的比值總是大于1。當(dāng)比值接近1侵入會(huì)逐漸減小。INVCO：輸入侵入截止值給侵入指示曲線。VOINVCO：輸入非侵入截止值給侵入指示曲線。程序運(yùn)用INVCO和VOINVCO這兩個(gè)數(shù)值結(jié)合來(lái)修正用侵入指示曲線確定的侵入。

HDIL1DINV陣列感應(yīng)一維反演處理流程一維反演程序界面如下圖所示侵入類型INVTYP：輸入一個(gè)旗標(biāo)值