光學薄膜技術(shù)薄膜制造技術(shù)

第三章薄膜制造技術(shù)光學薄膜可以承受物理汽相沉積〔PVD)和化學液相沉積〔CLD)兩種工藝來獲得。CLD工藝簡潔，制造本錢PVD需要使用真空鍍膜機，制造本錢高，但膜層厚度能夠準確掌握，膜層強度好，目前已廣泛使用。PVD分為熱蒸發(fā)、濺射、離子鍍、及離子關(guān)心鍍等。制作薄膜所必需的有關(guān)真空設(shè)備的根底學問用物理方法制作薄膜，概括起來就是給制作薄膜的物質(zhì)加上熱能或動量，使它分解為原子、分子或少數(shù)幾個原子、分子的集合體〔從廣義來說，就是使其蒸發(fā)，并使它們在其他位置重結(jié)合或分散。在這個過程中，假設(shè)大氣與蒸發(fā)中的物質(zhì)同時存在，那就會產(chǎn)生如下一些問題：①蒸發(fā)物質(zhì)的直線前進受阻礙而形成霧狀微粒，難以制得均勻平坦的薄膜；②空氣分子進入薄膜而形成雜質(zhì)；③空氣中的活性分子與薄膜形成化合物；④蒸發(fā)用的加熱器及蒸發(fā)物質(zhì)等與空氣分子發(fā)生反響形成化合物，從而不能進展正常的蒸發(fā)等等。過程稱為抽氣?？諝鈮毫Φ陀谝粋€大氣壓的狀態(tài)稱為真空，薄膜最重要的裝備是真空設(shè)備．以下圖是超高真空設(shè)備的原理圖，在原理上，它與高真空設(shè)備沒有什么不同，但是，為了稍稍改善抽氣時空氣的流淌性，超高真空設(shè)備不太使用管子，多數(shù)將超高真空用的真空泵直接與真空室連接，一般還要裝上關(guān)心真空泵〔如鈦吸氣泵〕來關(guān)心超高真空泵。3.1以下圖是超高真空設(shè)備的原理圖，在原理上，它與高真空設(shè)備沒有什么不同，但是，為了稍稍改善抽氣時空氣的流淌性，超高真空設(shè)備不太使用管子，多數(shù)將超高真空用的真空泵直接與真空室連接，一般還要裝上關(guān)心真空泵〔如鈦吸氣泵〕來關(guān)心超高真空泵。3.1高真空鍍膜機1.真空系統(tǒng)現(xiàn)代的光學薄膜制備都是在真空下獲得的。一般所說的真空鍍膜，根本都是在高真空中進展的。先進展(1)然后進展(2)。由于全部的〔超〕高真空泵只有在真空室的壓力降低到肯定程度時才能進展工作，而且在高真空泵〔如油集中泵〕中，要把空氣之類的分子排出，就必需使排氣口的氣體壓力降低到肯定程度。小型鍍膜機的真空系統(tǒng)低真空機械泵+高真空油集中泵+低溫冷阱低真空機械泵先將真空室抽到＜5pa的低真空，為后續(xù)抽真空供給前提條件；機械泵與油集中泵組成串聯(lián)10-3pa的高真空。大型鍍膜機高真空油集中泵+低真空機械泵+羅茨泵+低溫冷阱羅茨泵作為提高抽氣速度、壓縮抽真空時間、提高生產(chǎn)效率的關(guān)心真空泵。無油真空系統(tǒng)高真空低溫冷凝泵+低真空機械泵低溫冷凝泵的最大優(yōu)點是無油，有效避開了油集中泵的油污染問題。膜層更結(jié)實。2、熱蒸發(fā)系統(tǒng)電阻熱蒸發(fā)電極兩對、電子束蒸發(fā)源一個或兩個。電阻熱蒸發(fā)電極用于蒸發(fā)低熔點材料；電子束蒸發(fā)源用于蒸發(fā)高熔點材料。3、膜層厚度掌握系統(tǒng)①石英晶體膜厚儀——基于石英晶體振蕩頻率隨膜層厚度的增加而衰減的原理進展測厚，測的是膜層的幾何厚度。②光電膜厚儀——以被鍍零件的光透射或反射信號隨膜層厚度的變化值作為測量厚度的依據(jù)，測的是膜層的光學厚度。靈敏度較低。真空與物理汽相沉積用物理方法制作薄膜，概括起來就是給薄膜材料加上熱能或動量，使它們蒸發(fā)，并在其他位置重結(jié)合或分散。PVD設(shè)備被稱做真空鍍膜機。這些設(shè)備的共同突出的特點就是需要高真空。PVD與真空1、熱蒸發(fā)工藝過程1一般運用的加熱方式主要有電流加熱、高頻加熱和電子束加熱。2PVD存在的問題常壓時，氣體分子密度太高，進入膜層成為雜質(zhì)。蒸發(fā)膜料大多因碰撞而無法直線到達被鍍件。3PVD的優(yōu)點氣體分子的平均自由行程大于蒸發(fā)源到被鍍件之間的距離。被鍍膜層材料在高真空條件下簡潔蒸發(fā)，簡潔獲得高純膜，膜層堅硬，成膜速度快。真空與壓強101325帕斯卡也即一個標準大氣壓強約101KPa氣體狀態(tài)，并非一無全部。處于真空狀態(tài)下的氣體稀簿程度，通常用“真空度”來表示?！罢婵斩取鳖櫭剂x就是真空的程度。是真空泵等抽真空設(shè)備的一個主要參數(shù)。真空度的計量承受與壓強一樣的方法和單位。高真空度——低壓強；低真空度——高壓強壓強單位：P〔帕斯卡Pascal1(atm)標準大氣壓=760mmHg=101325Pa真空在薄膜制備中的作用主要有二個方面：成與基板的結(jié)合能，以得到結(jié)實的光學薄膜。二是抑制蒸發(fā)材料的分子與真空室中剩余氣體之間的反響。PVD所需真空度根本確定原則：氣體分子的平均自由程大于蒸發(fā)源到被鍍件之間的距離d。即膜料蒸汽的每一個分子都無碰撞地噴鍍到零件外表。經(jīng)計算，當d=1m時，真空度p=7×10-3Pa，但此時的碰撞概率為63%。規(guī)定：碰撞概率＜10%p≈7×10-4Pa大多數(shù)鍍膜機的d=0.5m，所以光學鍍膜機的真空度指標設(shè)定為 p＜1.3×10-3Pa這時才能有效地削減碰撞現(xiàn)象的產(chǎn)生。真空的獲得與檢驗真空泵是獲得真空的關(guān)鍵設(shè)備，現(xiàn)代光學薄膜技術(shù)中獲得真空的設(shè)備主要有以下幾種：機械泵——羅茨泵——油集中泵——分子泵——冷凝泵等。真空泵1、真空與真空泵抽真空——抽出容器內(nèi)的氣體，獲得真空狀態(tài)的過程或動作。真空泵——用于抽出容器內(nèi)氣體的機器。2、常見真空泵類型⑴分類氣體傳輸泵——能使氣體不斷吸入和排出而到達抽氣的目的。如油封旋片式機械泵、羅茨泵。氣體捕集泵——利用泵體、工作物質(zhì)對氣體分子的吸附和分散作用抽出容器內(nèi)的氣體。如低溫泵、吸附泵。⑵各種真空泵的工作范圍實際上能夠直接用于抽大氣并向大氣中排氣的真空泵只有機械泵。而單獨使用機械泵只能獲得低真空。因此，鍍膜機的真空機組最少需要兩個真空泵形成接力式真空機組，才能獲得所需要的高真空度。3、旋片式機械泵機械泵是承受旋片式的轉(zhuǎn)子和定子組成，隨著轉(zhuǎn)子的旋轉(zhuǎn)，不斷地進展吸氣、壓縮和排氣的循環(huán)過程，使連到機械泵的真空室獲得真空。油的作用：機械泵的密封油即機械泵油，它是一種礦物油。4、油集中泵典型的高真空泵在圓柱狀的筒內(nèi)安裝著三級噴嘴，圓筒下部的油用裝在下面的電爐加熱蒸發(fā)，使氣壓到達1托左右，然后從三個噴嘴向出氣口的方向噴射。從進氣口集中來的空氣分子被卷進噴射的油蒸氣中而向著出氣口方向加速前進。被與排氣口連接的機械泵抽走。在集中泵的進氣口一般要安裝水冷擋板或者液態(tài)氮捕集器，使油蒸氣冷凝，以削減油蒸氣向真空室中集中。也會因吸取空氣中的水分等而使泵的性能下降。因此，在油集中泵不工作時，肯定要關(guān)閉進氣口和出氣口的閥門，以盡量使內(nèi)部保持良好的真空狀態(tài)。5、羅茨泵提高由機械泵和油集中泵組成的真空機組的抽氣速度。①在較寬的壓強范圍內(nèi)有較快的抽速；②啟動快，能馬上工作；③對被抽氣體中含有的灰塵和水蒸氣不敏感④轉(zhuǎn)子不必潤滑，泵腔內(nèi)無油；⑤振動小，轉(zhuǎn)子動平衡條件好，沒有排氣閥；⑥驅(qū)動功率小，機械摩擦損失?、邩?gòu)造緊湊。羅茨泵在泵腔內(nèi)，有二個“8”字形的轉(zhuǎn)子相互垂直地安裝在一對平行軸上，由傳動比為1的一對齒輪帶動作彼此反向的同步旋轉(zhuǎn)運動。由于轉(zhuǎn)子的不斷旋轉(zhuǎn)，被抽氣體從進氣口吸入到轉(zhuǎn)子與泵殼之間的空間v內(nèi)，再經(jīng)排氣口排出。在轉(zhuǎn)子之間，轉(zhuǎn)子與泵殼內(nèi)壁之間，保持有肯定的間隙，可以實現(xiàn)高轉(zhuǎn)速運行。3～5級的羅茨型轉(zhuǎn)子,它為三級羅茨泵的構(gòu)造,各級轉(zhuǎn)子由中間壁來隔離,形成各級的泵腔,上一級的排氣口連到下一級的進氣口,各級串聯(lián)應(yīng)用,各級轉(zhuǎn)子的直徑和外形是一樣的,而各級轉(zhuǎn)子的寬度有時是不同的。低溫冷凝泵低溫冷凝泵是一種利用低溫冷凝和低溫吸附原理抽氣的真空泵抽氣原理:在低溫泵內(nèi)設(shè)有由液氦或制冷機冷卻到極低溫度的冷板。它使氣體分散，從而到達抽氣作用。低溫抽氣的主要作用是低溫冷凝、低溫吸附和低溫捕集。①低溫冷凝：氣體分子冷凝在冷板外表上或冷凝在已冷凝的氣體層上；抽氫時，冷板溫度比抽空氣時10毫米左右。度下的蒸氣壓力低得多。③低溫捕集：在抽氣溫度下不能冷凝的氣體分子，被不斷增長的可冷凝氣體層掩埋和吸附。冷凝板的面積可做得很大，具有很大的抽氣速率，是一般的集中泵難以到達的。低溫冷凝泵的特點：①真正的無油真空泵：低溫冷凝，保持真空，無污染；H2O、H2等氣體抽速很大；③運行費用低：只需電和冷卻水，不需液氮等低溫液體④適應(yīng)性強：無運動部件，不受外界干擾；⑤可以安裝在任何方位；⑥運動部件少且低速運行，壽命長；10-7Pa10-9Pa的極限真空度。PVD使用的高真空系統(tǒng)真空度的檢測真空度以剩余氣體的壓力表示。真空度是用真空計進展測量的，但是，被測量的真空度不同，必需承受不同的真空計。在一般的真空設(shè)備2-3個真空計。1、熱電偶真空計原理：通過熱電偶中熱絲的溫度與壓強的關(guān)系確定真空度。3的溫度隨著規(guī)管內(nèi)真空度的提高而上升。測量范圍：0.13～13pa優(yōu)點：①測量的壓強是被測容器的真實壓強；②能連續(xù)測量，并能遠距離讀數(shù)；③構(gòu)造簡潔，簡潔制造；④即使突然遇到氣壓急劇上升，也不會燒毀。缺點：①標準曲線因氣體種類而異；②讀數(shù)滯后；③受外界影響大；④老化現(xiàn)象嚴峻，必需常常校準。2、熱陰極電離真空計〔高真空測量〕10-1Pal0-5Pa的真空，它都能比較準確地測量?！锕ぷ髟怼娮釉陔妶鲋酗w行時從電場獲得能量，假設(shè)與氣體分子碰撞，將使氣體分子以肯定幾率發(fā)生電離，產(chǎn)生正離子和次級電子。其電離幾率與電子能量有關(guān)。電子在飛行路途中產(chǎn)生的正離子數(shù)，正比n,在肯定溫度下正比于氣體的壓力p。可依據(jù)離子電流的大小指示真空度。測量范圍：0.1～1×10-5Pa關(guān)于這種真空計應(yīng)當留意的是：由于真空計工作時燈絲處于加熱狀態(tài)，所以，假設(shè)它在加熱狀態(tài)下使用于差的真空狀態(tài)或者誤入空氣，燈絲就會因氧化而燒斷。蒸發(fā)系統(tǒng)：熱蒸發(fā);濺射;離子鍍;離子關(guān)心蒸發(fā)熱蒸發(fā)真空蒸鍍法是法拉第在1857年首創(chuàng)的，這是最簡便的薄膜制作方法，也是試驗室中最普及的方法，真空蒸鍍法原理簡潔，只要在真空中把制造薄膜的物質(zhì)加熱蒸發(fā)并使其蒸氣附著在基底或工件的外表上就行了。蒸發(fā)的過程就是熱交換過程，用這種方法制作的薄膜稱為真空蒸鍍薄膜。真空蒸鍍法的優(yōu)點是：(l)整個設(shè)備的構(gòu)造比較簡潔；很多物質(zhì)都可以簡潔地用真空蒸鍍法蒸鍍；薄膜的形成機理比較簡潔，可簡潔地用晶核的形成和生長理論來解釋；由于制作薄膜時熱和電的干擾小，所以適用于薄膜形成時薄膜物理性質(zhì)的爭論；能制作具有與主體材料不同成分比的化合物，也能制作具有與主體材料不同晶體構(gòu)造的物質(zhì)。真空蒸鍍法的缺點：薄膜與基片外表之間的結(jié)合力一般是比較弱的；對薄膜構(gòu)造敏感的一些性質(zhì)，再現(xiàn)性差，牢靠性差，無論用什么方法來制作薄膜這一問題都存在，然而真空蒸鍍的薄膜卻特別突出；鍍法來制作薄膜；分子也會進入薄膜成為雜質(zhì)。蒸發(fā)材料的根本加熱裝置——蒸發(fā)源因此，它所需要的根本裝置就是真空裝置、加熱裝置〔蒸發(fā)源〕及附著面〔基片外表。真空蒸鍍法的特點就是需要蒸鍍材料的加熱裝置。在真空中加熱物質(zhì)的方法，有電阻加熱法、電子轟擊法等等，此外還有高頻感應(yīng)加熱法，但由于高頻感應(yīng)加熱法所需的設(shè)備浩大，很少承受。1、電阻加熱源〔〕做成舟箔或絲狀的蒸發(fā)源，裝上蒸鍍材料，或用坩堝裝上蒸鍍材料，讓電流通過蒸發(fā)源加熱蒸鍍材料使其蒸發(fā)，這就是電阻加熱法。電阻加熱源主要用于蒸發(fā)Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料。⑵優(yōu)點：簡潔、經(jīng)濟、操作便利。⑶缺點：①不能蒸發(fā)高熔點材料；②膜料簡潔熱分解；③膜料粒子初始動能低，膜層填充密度低，機械強度差。蒸發(fā)源做成什么外形？蒸發(fā)源的形態(tài)一般有螺線形、舟形、盒形、坩堝形等等。螺線形蒸發(fā)源:螺線形是線狀蒸發(fā)源所承受的外形。把直徑為0.3～0.5毫米的金屬線或多股金屬線〔鎢是最硬的材料，簡潔整形但質(zhì)脆；鉭是格外簡潔加工的材料〕卷在木螺絲之類的模子上，做成螺線狀的籠形線圈。這種蒸發(fā)源也有市售商品，但自己制作是很簡潔的。加熱電流用20安，承受這樣的電流就是高熔點金屬線也很簡潔蒸鍍，當薄膜材料做成粒狀或線狀時，通常就使用這種方法蒸鍍。舟形蒸發(fā)源:不能裝在螺線中。與此相反，舟形蒸發(fā)源的蒸發(fā)方向被限制在半個空間中，而且，不管何種形態(tài)的薄膜材料都可以裝入舟形蒸發(fā)源中，由于舟形蒸發(fā)源是通過使金屬片變形而做成的，所以可制成各種各樣外形。這種形式的蒸發(fā)源，薄膜材料只能從下向上蒸發(fā)。此外，由于加熱所需的電流也有超過100安的，所以需要特別的變壓器。盒形蒸發(fā)源:當薄膜材料是很細的粉末時，因粉末中含有空氣，所以在真空抽氣和加熱時，粉末會向上飛濺或者成顆粒狀飛出。為了使這種粉末狀材料均勻地以分子狀態(tài)蒸發(fā)，可承受盒形蒸發(fā)源。這種蒸發(fā)源的加熱器是一個網(wǎng)格狀的圓筒，為削減熱損失，在圓筒外側(cè)設(shè)有兩個隔熱圓筒，在加熱器和第一隔熱圓筒之間裝人薄膜材但重要的是不能破壞溫度的均勻性。2、電子束加熱源熔點的限制〔高熔點的氧化物材料，蒸發(fā)溫度在2023℃以上〕等等。用電子槍來加熱蒸發(fā)可以避開這些問題。將電子集中轟擊薄膜材料的一局部而進展加熱的方法?，F(xiàn)在一般承受e型電子槍。電子束加熱法的根本原理是：當電子槍燈絲經(jīng)高溫加熱后，產(chǎn)生熱電子放射，這些熱放射電子經(jīng)陰極〔燈絲〕270°角的偏轉(zhuǎn)到達坩堝蒸發(fā)源材料的外表，使電子束所帶有的巨大的動能轉(zhuǎn)化為熱能，對材料進展快速加熱，造成局部高溫而汽化蒸發(fā)，這種電子槍因電子束軌跡成e型，因而得名為e型電子槍。e型電子槍的電子束對材料加熱蒸發(fā)時，其能量密度很大，蒸汽分子動能快速增加，所以它能得到比電阻加熱法更結(jié)實，更致蜜的膜層。另外，可以在X軸方向和Y軸方向附加二個交變的磁場，則可使電子束在材料外表肯定的范圍內(nèi)進展掃描?？杀荛_材料“挖坑”現(xiàn)象的產(chǎn)生，使蒸發(fā)速率處于平穩(wěn)狀態(tài)。特點：①可蒸發(fā)高熔點材料；②膜料簡潔熱分解；③膜料粒子初始動能高，膜層填充密度高，機械強度好。優(yōu)點：設(shè)備簡潔，大多數(shù)材料都可以作為膜層材料蒸發(fā)。蒸發(fā)鍍膜與其他真空鍍膜方法相比，具有較高的沉積速率，可鍍制單質(zhì)和不易熱分解的化合物膜。濺射什么是濺射？用高速正離子轟擊膜料〔靶〕外表，通過動量傳遞，使其分子或原子獲得足夠的動能而從靶外表逸出〔濺射，在被鍍零件外表分散成膜。通常將欲沉積的材料制成板材──靶,固定在陰極上?；糜谡龑Π忻娴年枠O上,距靶幾厘米。系統(tǒng)抽至高真空后充入氬氣，在陰極和陽極間加幾千伏電壓，兩極間即產(chǎn)生輝光放電。放電產(chǎn)生的正離子在電場作用下飛向陰極，與靶外表原子碰撞，受碰撞從靶面逸出的靶原子稱為濺射原子。濺射原子在基片外表沉積成膜。與蒸發(fā)鍍膜不同，濺射鍍膜不受膜材熔點的限制,可濺射一些難熔物質(zhì)。輝光放電濺射1、輝光放電：10-3～10-4Pa的真空中，在兩個電極之間加上高電壓時產(chǎn)生的放電現(xiàn)象。利用電極間的輝光放電進展濺射。氣體放電的典型應(yīng)用：①正常輝光放電用于離子源。增大電流時，離子濃度增加，而電壓不變，離子能量不變。②反常輝光放電用于濺射。電流電壓可調(diào)，便利成膜速率和轟擊能量的掌握。③弧光放電用于弧源離子鍍。一源同時完成快速成膜和離子轟擊雙重功能。⑵低頻溝通輝光放電兩靶交替成為陰陽極，用于零件雙面同時鍍膜。2、射頻輝光放電極間電壓變化頻率超過10MHz時，電場能夠通過任何一種類型的阻抗耦合進去，電極不再要求肯定是導體。因此，可用于濺射任意一種材料。即可以濺射非金屬靶，又可以在絕緣體上鍍膜。3、濺射方式：〔1〕直流濺射10-3～10-4Pa〔如Ar〕至1～10-1Pa，并在陰極上加數(shù)千伏的高壓，這時便消滅輝光放電。離子向靶加速，通過動量傳遞，靶材原子被濺出而淀積在基板上。直流濺射構(gòu)造簡潔，可以長時間進展濺射。缺點是：不能濺射介質(zhì)材料，濺射速率低，而且基板外表因受到電子轟擊而有較高的溫度，對不能承受高溫的基板應(yīng)用受到限制。三極／四極濺射熱陰極和一個與靶無關(guān)的陽極來維持，而靶偏壓是獨立的，這樣便可大大降低靶電壓，并在較低的氣壓下〔如10-1Pa〕進展放電。假設(shè)引入一個定向磁場，把等離子體聚成肯定的外形，則電離效率將顯著提高，因此有時稱三極或四極濺射為等離子體濺射，從而使濺射速率從陰極濺射的 80nm/min提高到2023nm/min。此外，由于引起基板發(fā)熱的二次電子被磁場捕獲，避開了基板溫升。特點：①熱陰極與陽極間的低壓大電流弧光放電形成等離子體，靶和基片雖置于等離子體邊緣，但不參與放電；②靶上施加負偏壓，將離子從等離子體引向靶，形成濺射鍍。四極濺射相對三極濺射在熱陰極前增設(shè)了一個關(guān)心陽極〔圖中的柵極，有穩(wěn)定放電的作用。優(yōu)點：離子密度高，工作氣壓低，成膜速率快，基片溫升低。缺點：仍不能濺射介質(zhì)靶。射頻濺射〔又稱高頻濺射〕電壓，穿過靶的是位移電流。上升，致使正離子不能連續(xù)轟擊靶材料而終止濺射。假設(shè)在絕緣靶反面裝上一金屬電極，并施加頻率為5～30MHz的高頻電場，則濺射便可持續(xù)。高頻溝通電場使靶交替地由離子和電子進展轟擊，初看起來這似乎會使濺射速率減小一半，其實，它的濺射速率卻高于陰極濺射。為了說明這一點，假設(shè)等離子體電位為零，靶材料的電壓為VT，金屬電極的溝通電壓為VM。電極在正半周時，由于電子很簡潔運動，VTVM的離子數(shù)，則靶材料有好長一段時間呈負性，或者說相當于靶自動地加了一個負偏壓Vb，于是靶材料能在正離子轟擊下進展濺射。另一方面，電子在高頻電場中的振蕩增加了電離幾率。由于這兩個緣由，使濺射速率提高。磁控濺射前面所述的濺射系統(tǒng)，主要缺點是濺射速率較低。為了在低氣壓下進展高速濺射，必需有效地提高氣體的離化率。磁控濺射是在平行于陰極外表施加強磁場，將電子束約束在陰極靶材外表近域，提高氣體的電離10倍左右。對很多材料，濺射速率到達了電子束的蒸發(fā)速率。膜層與基材的結(jié)合力強、鍍膜層致密、均勻等優(yōu)點。磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應(yīng)用對象。但有一共同點：利用磁場與電子交互作用，使電靶面從而濺射出靶材。1、常見構(gòu)造被鍍件參與放電〔陽極〕型①平面磁控濺射：靶為平面陰極。永久磁鐵在靶外表形成磁場，它同靶與基板之間的高壓電場構(gòu)成正交電磁場。平行于陰極靶外表的磁場將電子約束在陰極靶外表四周，形成高密度的等離子體，有效地提高濺射速度，并削減了轟擊零件的電子數(shù)目，降低了零件因電子轟擊而溫升。磁控濺射不僅可以得到很高的濺射速率，而且在濺射金屬時還可避開二次電子轟擊而使基板保持接近冷態(tài)，這對單晶和塑料基板具有重要的意義。磁控濺射可制備金屬膜和介質(zhì)膜。②柱面磁控濺射：利用圓柱形磁控陰極實現(xiàn)濺射的技術(shù)，磁控源是關(guān)鍵局部，陰極在中心位置的叫磁控源；陽極在中心位置的叫反磁控源。用于大面積平面的均勻濺射沉積〔柱面靶掃描濺射沉積。被鍍件不參與放電型在磁控器內(nèi)，自設(shè)一個陽極，形成一個可獨立工作的濺射源。被鍍件獨立于濺射源之旁。2、磁控濺射特點電場與磁場正交設(shè)置，約束電子在靶面近域，致使靶面近域有高密度等離子體，濺射速率很高；(2)(3)磁控濺射源可以像熱蒸發(fā)源一樣使用，從而使被鍍件的外形和位置不再受限制。離子束濺射用離子源放射的高能離子束直接轟擊靶材，使靶材濺射、沉積到零件外表成膜。離子束濺射淀積〔IBS〕技術(shù)是一種制備優(yōu)質(zhì)光學薄膜的重要方法，并在光通訊波分復(fù)用濾光片〔DWDM濾光片〕中得到重要的應(yīng)用。這種系統(tǒng)的主要特點是運用一個功率大的RF〔射頻〕離子源產(chǎn)生高密度的高能的離子去轟擊靶材。因此，可以在高真空條件下實施高速的濺射淀積，而關(guān)心離子源用來改善薄膜構(gòu)造的致密度和生成氧化物的反響度。這樣的設(shè)備，可以實現(xiàn)在低溫下〔＜100℃〕超低光