GB/T 10118-2009高純鎵

犐犆犛７７．１５０．９９

犎６６

中華人民共和國國家標準

犌犅／犜１０１１８—２００９

代替ＧＢ／Ｔ１０１１８—１９８８

高純鎵

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２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

書

中華人民共和國

國家標準

高純鎵

ＧＢ／Ｔ１０１１８—２００９

中國標準出版社出版發(fā)行

北京復興門外三里河北街１６號

郵政編碼：１０００４５

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開本８８０×１２３０１／１６印張０．５字數(shù)７千字

２０１０年１月第一版２０１０年１月第一次印刷

書號：１５５０６６·１３９７１１

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書

犌犅／犜１０１１８—２００９

前言

本標準代替ＧＢ／Ｔ１０１１８—１９８８《高純鎵》。

本標準與ＧＢ／Ｔ１０１１８—１９８８相比，主要有如下變動：

———增加了檢出雜質(zhì)元素的種類；

———降低了原標準中檢出雜質(zhì)元素的含量；

———引入了ＭＢＥ級牌號高純鎵；

———對原標準的試驗方法進行了修改，增加了輝光質(zhì)譜法等。

本標準的附錄Ａ為資料性附錄。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。

本標準負責起草單位：國瑞電子材料有限責任公司。

本標準參加起草單位：南京金美鎵業(yè)有限公司。

本標準主要起草人：于洪國、邢志國。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１０１１８—１９８８。

Ⅰ

書

犌犅／犜１０１１８—２００９

高純鎵

１范圍

本標準規(guī)定了高純鎵的要求、試驗方法、檢驗規(guī)則及標志、包裝、運輸、貯存及訂貨單（或合同）內(nèi)

容等。

本標準適用于以純度不小于９９．９９％的工業(yè)鎵為原料，經(jīng)電解精煉、拉制單晶或其他提純工藝制得

的純度不小于９９．９９９９％的鎵。產(chǎn)品供制備化合物半導體材料和高純合金。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據(jù)本標準達成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。

ＹＳ／Ｔ４７４ＩＣＰＭＳ分析法測定高純鎵中的痕量元素

３要求

３．１產(chǎn)品分類

產(chǎn)品按純度分為Ｇａ０６、Ｇａ０７、ＭＢＥ級三個牌號：

Ｇａ０６：表示鎵含量不小于９９．９９９９％的高純鎵；

Ｇａ０７：表示鎵含量不小于９９．９９９９９％的高純鎵；

ＭＢＥ級：表示鎵含量大于９９．９９９９９９％的高純鎵。

３．２化學成分

產(chǎn)品的化學成分應符合下列各表的規(guī)定：

表１高純鎵犌犪０６化學成分

化學成分（質(zhì)量分數(shù)）／％

－６

牌號Ｇａ雜質(zhì)含量／（×１０），不大于

不小于ＦｅＳｉＰｂＺｎＳｎＭｇＣｕＭｎＣｒＮｉ總和

Ｇａ０６９９．９９９９３５３３３３２３３３１