GB/T 11743-2013土壤中放射性核素的γ能譜分析方法

ICS13280

C57.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T11743—2013

代替

GB/T11743—1989

土壤中放射性核素的γ能譜分析方法

Determinationofradionuclidesinsoilbygammaspectrometry

2013-12-31發(fā)布2014-12-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T11743—2013

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

儀器裝置

2…………………1

能譜儀的刻度

3γ…………………………2

體標(biāo)準(zhǔn)源制備

4……………3

樣品制備

5…………………3

測量

6………………………3

能譜分析方法

7γ…………………………4

報告

8………………………6

附錄資料性附錄能量刻度用單能和多能核素

A()……………………7

附錄資料性附錄常用的射線發(fā)射概率大于的天然放射性核素表

B()γ1%…………8

附錄資料性附錄能譜分析中的逆矩陣法

C()γ………9

附錄資料性附錄能譜測量的探測下限

D()γ…………10

GB/T11743—2013

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替土壤中放射性核素的能譜分析方法

GB/T11743—1989《γ》。

本標(biāo)準(zhǔn)與相比主要技術(shù)變化如下

GB/T11743—1989,:

比活度修改為活度濃度

———“”“”;

刪除了術(shù)語和定義

———;

修改了高純鍺能譜儀和能譜儀的性能指標(biāo)要求

———γNaIγ;

修改了能量刻度和效率刻度的能量范圍

———;

修改了能譜分析方法中公式的表述

———“γ”;

刪除了計(jì)數(shù)統(tǒng)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)差增加了計(jì)數(shù)不確定度和擴(kuò)展不確定度

———,;

增加了低于儀器測量探測下限時的表述方法

———;

增加了附錄能量刻度用單能和多能核素

———“”;

刪除了附錄常用的射線發(fā)射概率大于的天然放射性核素表中部分核素

———“γ1%”;

修改了附錄能譜分析中的逆矩陣法中公式的表述

———“γ”。

本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國衛(wèi)生部提出并歸口

。

本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國衛(wèi)生部解釋

。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國疾病預(yù)防控制中心輻射防護(hù)與核安全醫(yī)學(xué)所新疆維吾爾自治區(qū)疾病預(yù)防控

:、

制中心包鋼集團(tuán)公司勞動衛(wèi)生職業(yè)病防治研究所

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人徐翠華張慶王玉文趙如意任天山張京李文紅

:、、、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T11743—1989。

Ⅰ

GB/T11743—2013

土壤中放射性核素的γ能譜分析方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了實(shí)驗(yàn)室用能譜儀分析土壤中放射性核素活度濃度的常規(guī)方法

γ。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于土壤中放射性核素的分析

γ。

2儀器裝置

21γ能譜儀

.

211探測器

..

2111碘化鈉NaITl探測器

...[()]

應(yīng)用尺寸不小于?H的圓柱形探測器測量土壤樣品優(yōu)先選用低鉀

7.5cm×7.5cmNaI(Tl)。NaI

晶體和低噪聲光電倍增管整個晶體密封于有透光窗的密封容器中晶體與光電倍增管形成光耦

(Tl)。,

合探測器對137的光峰的分辨力應(yīng)優(yōu)于

。Cs661.6keV9%。

2112半導(dǎo)體探測器

...

應(yīng)根據(jù)射線能量范圍采用不同材料和不同類型的半導(dǎo)體探測器測量土壤樣品可優(yōu)先采用單開

γ。

端同軸高純鍺探測器其對60射線的能量分辨力應(yīng)優(yōu)于相對于

,Co1332.5keVγ(FWHM)2.5keV,

?H探測器的相對效率不低于

7.5cm×7.5cm(3″×3″)NaI(Tl)20%。

212屏蔽

..

探測器裝置應(yīng)置于等效鉛當(dāng)量不小于的金屬屏蔽室中屏蔽室內(nèi)壁距晶體表面的距離

10cm,

在鉛室的內(nèi)表面應(yīng)有原子序數(shù)逐漸遞減的多層內(nèi)屏蔽材料內(nèi)屏蔽從外向里依次襯有厚度

>13cm,,

的鎘或錫的銅以及的有機(jī)玻璃以減少能量為的

≥1.6mm、≥0.4mm2mm~3mm,72keV~95keV

特征射線的影響如可由的銅的鎘及厚的有機(jī)玻璃等組成

PbX。:0.4mm、1.6mm2mm~3mm。

屏蔽室應(yīng)有便于取放樣品的門或窗

、。

213高壓電源

..

應(yīng)有保證探測器穩(wěn)定工作的高壓電源其相對紋波電壓不大于對半導(dǎo)體探測器電壓應(yīng)在

,