標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 12128.2-1999 用于校準(zhǔn)表面污染監(jiān)測(cè)儀的參考源 第2部分:能量低于0.15MeV的電子和能量低于1.5MeV的光子》這一標(biāo)準(zhǔn),專(zhuān)注于規(guī)定了如何使用特定能量范圍內(nèi)的電子和光子參考源來(lái)校準(zhǔn)表面污染監(jiān)測(cè)儀器。然而,您提供的信息中并沒(méi)有直接對(duì)比的另一個(gè)具體標(biāo)準(zhǔn)或版本,因此無(wú)法直接指出與某個(gè)特定前版或不同標(biāo)準(zhǔn)之間的具體變更內(nèi)容。
但可以一般性地說(shuō)明,當(dāng)一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)更新或修訂時(shí)(假設(shè)存在未明確提及的前一版本或相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)作為比較對(duì)象),變更可能涉及以下幾個(gè)方面:
- 能量范圍界定:新標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)對(duì)電子和光子的能量范圍進(jìn)行更精確的定義或調(diào)整,以反映技術(shù)進(jìn)步或?qū)嶋H應(yīng)用中的需求變化。
- 校準(zhǔn)方法和技術(shù)要求:更新可能會(huì)引入新的校準(zhǔn)程序、測(cè)量技術(shù)和數(shù)據(jù)處理方法,以提高校準(zhǔn)精度和效率。
- 參考源規(guī)范:可能對(duì)參考源的制備、認(rèn)證、穩(wěn)定性和使用條件提出更嚴(yán)格或詳細(xì)的要求,確保校準(zhǔn)結(jié)果的可靠性和可比性。
- 性能指標(biāo)和測(cè)試方法:標(biāo)準(zhǔn)可能新增或修改了監(jiān)測(cè)儀的性能評(píng)估指標(biāo)及相應(yīng)的測(cè)試方法,以適應(yīng)技術(shù)發(fā)展和安全要求的提升。
- 安全與防護(hù)指南:隨著對(duì)輻射安全認(rèn)識(shí)的深入,標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)加強(qiáng)對(duì)操作人員的安全指導(dǎo)和防護(hù)措施的要求。
- 術(shù)語(yǔ)和定義:為了與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)或行業(yè)實(shí)踐保持一致,標(biāo)準(zhǔn)中涉及的專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)和定義可能會(huì)被更新或補(bǔ)充。
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 1999-12-30 頒布
- 2000-08-01 實(shí)施
文檔簡(jiǎn)介
中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T_12128..2-1999CvISO87692:1996用于校準(zhǔn)表面污染監(jiān)測(cè)儀的參考源第二部分:能量低于0.15MeY的電子和能量低于1.5MeV的光子ReferencesourcesforthecalibrationofsurfacecontaminationmonitorsPart2:Eleetronsofenergylessthan0.15MeVandphotonsofenergylessthan1.5Mev1999-12-30發(fā)布2000-08-01實(shí)施國(guó)家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布
GB/T12128.2-1999前言1SO前言范圍2引用標(biāo)準(zhǔn)3定義4參考源的湖源性參考源的技術(shù)要求6傳遞儀器…………附錄A(提示的附錄)電子能量低于0.15MeV和光子能量低于1.5MeV的參考輻射源的補(bǔ)充說(shuō)明附錄B(提示的附錄)參考文獻(xiàn)目錄……
GB/T12128.2-1999本標(biāo)準(zhǔn)等效采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)ISO8769-2:1996《用于校準(zhǔn)表面污染監(jiān)測(cè)儀的參考源第二部分:能量低于0.15MeV的電子和能量低于1.5MeV的光子)。國(guó)標(biāo)GB/T12128—1989已經(jīng)對(duì)B譜最大能量E。>0.15MeV的β發(fā)射體參考源作出了規(guī)定和推薦.但尚無(wú)能量低于0.15MeV的電子(或B粒子)和能量低于1.5MeV光子的參考源標(biāo)準(zhǔn)。本標(biāo)準(zhǔn)對(duì)除"H以外的出射能量低于0.15MeV的電子(或B粒子)和能量低于1.5MeV的光子的參考輻射作出了規(guī)定。ISO8769-1對(duì)H參考輻射源作了專(zhuān)門(mén)的規(guī)定。?和低能B表面污染的監(jiān)測(cè)和監(jiān)測(cè)儀表的?;创嬖谥豢珊鲆暤囊螂y問(wèn)題,本標(biāo)準(zhǔn)的制定有助于解決這一問(wèn)題。本標(biāo)準(zhǔn)在等效采用ISO8769-2時(shí),下列章節(jié)略有改變:-1,簡(jiǎn)化了原標(biāo)準(zhǔn)中第一章的內(nèi)容;-2,刪去原標(biāo)準(zhǔn)中的第二章的內(nèi)容,改為2"引用標(biāo)準(zhǔn)";-3,對(duì)湖源性和均勻性的定義作了適當(dāng)修改;-4,在不改變?cè)獾那闆r下,對(duì)該章敘述方式略加修改;-5.2.1.1,將第二段和第三段互換;本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A、附錄B都是提示的附錄,本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)核工業(yè)集團(tuán)公司提出。本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)核能標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:中國(guó)輻射防護(hù)研究院第一研究所本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人張延生、楊俊武、陳慧莉。
GB/T12128.2-1999ISO前音ISO(國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織)是由各國(guó)標(biāo)準(zhǔn)化團(tuán)體(ISO成員團(tuán)體)組成的世界性的聯(lián)合會(huì)。制定國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的工作通常由ISO的技術(shù)委員會(huì)完成。各成員團(tuán)體若對(duì)某技術(shù)委員會(huì)確立的項(xiàng)目感興趣,均有權(quán)參加該委員會(huì)的工作。與ISO保持聯(lián)系的各國(guó)際組織(官方的或非官方的)也可參加有關(guān)工作。在電工技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化方面,ISO與國(guó)際電工委員會(huì)(IEC)保持密切合作關(guān)系。由技術(shù)委員會(huì)通過(guò)的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)草案提交各成員團(tuán)體表決·需取得至少75%參加表決的成員團(tuán)體的同意,才能作為國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)正式出版。國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)ISO8769-2是由ISO/TC85/SC2核能技術(shù)委員會(huì)輻射防護(hù)分委員會(huì)制定的ISO8769在同一總標(biāo)題《用于校準(zhǔn)表面污染監(jiān)測(cè)儀的參考源》下,包含以下兩部分內(nèi)容:第一部分:爾源-第二部分:能量低于0.15MeV的電子和能量低于1.5MeV的光子附錄A和附錄B僅供參考。
中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)用于校準(zhǔn)表面污染監(jiān)測(cè)儀的參考源第二部分:能量低于0.15MeV的電子和GB/T12128.能量低于1.5MeV的光子-1999cqvISO8769-2.1996ReferencesourcesforthecalibrationofsurfacecontaminationmonitorsPart2:Electronsofenergylessthan0.15Mevandphotonsorenergylessthan1.5MeV范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用于校準(zhǔn)放射性表面污染監(jiān)測(cè)儀的低能B和?參考源的核素、結(jié)構(gòu)形式、特性及技術(shù)要求。本標(biāo)準(zhǔn)適用于校準(zhǔn)表面污染監(jiān)測(cè)儀的能量低于0.15MeV的β粒子和能量低于1.5MeV的光子的參考源(除以外)。所涉及的參考源主要用于校準(zhǔn)可測(cè)量具有電子俘獲或同質(zhì)異能躍遷衰變核素的表面污染監(jiān)測(cè)儀的儀器效率。2引用標(biāo)準(zhǔn)下列標(biāo)準(zhǔn)所包含的條文·通過(guò)在本標(biāo)準(zhǔn)中引用而構(gòu)成為本標(biāo)準(zhǔn)的條文。本標(biāo)準(zhǔn)出版時(shí).所示版本均為有效。所有標(biāo)準(zhǔn)都會(huì)被修訂,使用本標(biāo)準(zhǔn)的各方應(yīng)探討使用下列標(biāo)準(zhǔn)最新版本的可能性。GB/T12128—1989用于校準(zhǔn)表面污染監(jiān)測(cè)儀的參考源B發(fā)射體和a發(fā)射體3定義本標(biāo)準(zhǔn)采用以下定義3.1(源的)表面發(fā)射率surfaceemissionrate(ofasource)單位時(shí)間內(nèi)從源表面或源窗射出的特定類(lèi)型和能量的粒子數(shù)。3.2(參考傳遞儀器的)儀器效率instrumenteffieiency(ofatransferinstrument)在儀器和參考源特定的幾何條件下,儀器的凈計(jì)數(shù)率與源表面發(fā)射率之比(以百分?jǐn)?shù)表示)3.3源效率sourceefficiency源的某種粒子的表面發(fā)射率與源內(nèi)單位時(shí)間產(chǎn)生或釋放的同種粒子數(shù)之比(以百分?jǐn)?shù)表示)3.4(源的)自吸收self-absorption(ofasource)源材料對(duì)其白身發(fā)射的輻射的吸收3.5湖源性traceability通過(guò)逐級(jí)與較高級(jí)標(biāo)準(zhǔn)相比較的方法,對(duì)測(cè)量?jī)x器或測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行有效
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