高三化學(xué)備考一輪復(fù)習(xí)微專題強(qiáng)化 物質(zhì)的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)測(cè)試題（一）

高三化學(xué)備考一輪復(fù)習(xí)微專題強(qiáng)化物質(zhì)的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)測(cè)試題（一）-原卷一、單選題（共7題）1.一種由短周期主族元素組成的化合物（如圖所示），具有良好的儲(chǔ)氫性能，其中元素W、X、Y、Z的原子序數(shù)依次增大、且總和為24。下列有關(guān)敘述錯(cuò)誤的是()A.該化合物中，W、X、Y之間均為共價(jià)鍵B.Z的單質(zhì)既能與水反應(yīng)，也可與鹽酸反應(yīng)C.Y的最高化合價(jià)氧化物的水化物為強(qiáng)酸D.X的氟化物中原子均為8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)2.下列關(guān)于價(jià)層電子對(duì)互斥模型（VSEPR模型）和雜化軌道理論的敘述中正確的是()A.凡是中心原子采取雜化的分子，其分子的空間結(jié)構(gòu)都是平面三角形B.對(duì)于主族元素，中心原子的雜化軌道數(shù)等于價(jià)層電子對(duì)數(shù)C.雜化軌道可用于形成鍵、鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對(duì)D.某分子的所有原子位于同一平面上，則其中心原子可能采取雜化3.若的中心原子A上沒有未用于形成共價(jià)鍵的孤電子對(duì)，運(yùn)用價(jià)層電子對(duì)互斥模型，下列說法正確的是()A.若=2，則分子的空間結(jié)構(gòu)為V形B.若=3，則分子的空間結(jié)構(gòu)為三角錐形C.若=4，則分子的空間結(jié)構(gòu)為正四面體形D.以上說法都不正確4.鍵長(zhǎng)、鍵角和鍵能是描述共價(jià)鍵的三個(gè)重要參數(shù)，下列敘述正確的是()A.C—H鍵比Si—H鍵的鍵長(zhǎng)短，故比更穩(wěn)定B.因?yàn)镠—O鍵的鍵能小于H—F鍵的鍵能，所以與反應(yīng)的能力比強(qiáng)C.水分子可表示為H—O—H，分子中的鍵角為180°D.H—O鍵的鍵能為，即分解成和時(shí)，消耗的能量為926kJ5.下列組合中，中心離子的電荷數(shù)相同，中心離子的配位數(shù)也相同的是（）A. B.C. D.6.下列說法正確的是(

)

A.HF、HCl、HBr、HI的熔沸點(diǎn)依次升高

B.NH3的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)大于PH3是由于NH3分子之間存在氫鍵

C.乙醇分子與水分子之間只存在范德華力

D.氯的各種含氧酸的酸性由強(qiáng)到弱排列為HClO>HClO2>HClO3>HClO47.據(jù)報(bào)道，在40GPa高壓下，用激光加熱到1800K，人們成功制得了某種的晶體，其結(jié)構(gòu)類似于的結(jié)構(gòu)，下列有關(guān)推斷中錯(cuò)誤的是()A.該晶體中C、O原子個(gè)數(shù)比為1︰2 B.該晶體中O—C—O鍵角小于180°C.該晶體可用作制冷材料 D.該晶體硬度大，可用作耐磨材料二、填空題（共5題）8.回答下列問題：（1）金剛砂（SiC）的硬度很大，摩氏硬度為9.5級(jí)，僅次于金剛石，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲所示，則金剛砂的晶體類型為_______________；在SiC中，與每個(gè)C原子距離相等且最近的C原子數(shù)目為_____________________；若晶胞的邊長(zhǎng)為，則金剛砂的密度表達(dá)式為_________________。（2）硅的某種單質(zhì)的晶胞結(jié)構(gòu)如圖乙所示。GaN晶體的結(jié)構(gòu)與該硅晶體的結(jié)構(gòu)相似，則GaN晶體中，每個(gè)Ga原子與_________________個(gè)N原子相連，與同一個(gè)Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間結(jié)構(gòu)為_____________________；若該硅晶體的密度為，阿伏加德羅常數(shù)的值為，則晶體中相距最近的兩個(gè)硅原子之間的距離為______________cm（用代數(shù)式表示）。9.已知A、B、C、D、E、F、G是原子序數(shù)依次遞增的短周期元素，已知A和D，C和F為同一主族元素，A與B、A與G形成共價(jià)化合物，B原子的最外層電子數(shù)比次外層多3，G元素的最高正化合價(jià)與最低負(fù)化合價(jià)的代數(shù)和為6，E的最高價(jià)氧化物的水化物既可以和強(qiáng)酸反應(yīng)又可以和強(qiáng)堿反應(yīng)，F(xiàn)形成的化合物是造成酸雨的主要原因。請(qǐng)回答下列問題：(1)七種元素中，F(xiàn)元素在周期表中的位置是___________________。(2)比較C與D元素的原子形成的簡(jiǎn)單離子半徑：________＞___________。(3)由C、D形成的一種淡黃色固體的電子式__________________________；畫出B單質(zhì)的結(jié)構(gòu)式_________________。(4)F與G元素的氣態(tài)氫化物的熱穩(wěn)定性由大到小的順序_________________(用化學(xué)式表示)(5)E的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物可用作治療胃酸過多的藥物，其反應(yīng)的離子方程式為：___________________________________________________________________(6)A、C、D形成化合物的化學(xué)鍵的類型____________________________。10.、金剛石和石墨的結(jié)構(gòu)模型如圖所示(石墨僅表示其中的一層結(jié)構(gòu)):(1）.、金剛石和石墨三者的關(guān)系互為__________。a.同分異構(gòu)體b.同素異形體c.同系物d.同位素(2).固態(tài)時(shí),屬于__________(填“原子”或“分子”)晶體,分子中含有雙鍵和單鍵,推測(cè)跟__________(填“能”或“不能”)發(fā)生加成反應(yīng)。(3).硅晶體的結(jié)構(gòu)跟金剛石相似,1硅晶體中含有硅硅單鍵的數(shù)目約是__________個(gè)。二氧化硅的結(jié)構(gòu)相當(dāng)于在硅晶體結(jié)構(gòu)中每個(gè)硅硅單鍵之間插入一個(gè)氧原子。二氧化硅的空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中,硅、氧原子形成的最小環(huán)上氧原子數(shù)目是__________。（4）.石墨層狀結(jié)構(gòu)中,平均每個(gè)正六邊形擁有的碳原子個(gè)數(shù)是__________個(gè)。11.鍺(Ge)是典型的半導(dǎo)體元素,在電子、材料等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛?；卮鹣铝袉栴}:（1）.基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為[Ar]__________,有__________個(gè)未成對(duì)電子

（2）.Ge與C是同族元素,C原子之間可以形成雙鍵、叁鍵,但Ge原子之間難以形成雙鍵或叁鍵。從原子結(jié)構(gòu)角度分析,原因是__________（3）.比較下列鍺鹵化物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn),分析其變化規(guī)律及原因__________GeCl4GeBr4GeI4熔點(diǎn)/℃-49.526146沸點(diǎn)/℃83.1186約400（4）.光催化還原CO2制備CH4反應(yīng)中,帶狀納米Zn2GeO4是該反應(yīng)的良好催化劑。Zn、Ge、O電負(fù)性由大至小的順序是__________

（5）.Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu),其中Ge原子的雜化方式為__________,微粒之間存在的作用力是__________（6）.晶胞有兩個(gè)基本要素:①原子坐標(biāo)參數(shù),表示晶胞內(nèi)部各原子的相對(duì)位置,如圖為Ge單晶的晶胞,其中原子坐標(biāo)參數(shù)A為(0,0,0);B為;C為則D原子的坐標(biāo)參數(shù)為__________②晶胞參數(shù),描述晶胞的大小和形狀。已知Ge單晶的晶胞參數(shù)a=565.76pm,其密度為__________g·cm-3(列出計(jì)算式即可)12.根據(jù)所學(xué)知識(shí)回答下列問題。(1).納米技術(shù)制成的金屬燃料、非金屬固體燃料、氫氣等已應(yīng)用到社會(huì)生活和高科技領(lǐng)域.單位質(zhì)量的和單質(zhì)燃燒時(shí)均放出大量熱,可用作燃料.已知和為短周期元素,其原子的第一至第四電離能如下表所示:電離能/932182115390217717381451773310540①某同學(xué)根據(jù)上述信息,推斷的核外電子排布如圖所示,該同學(xué)所畫的電子排布圖違背了

,元素位于周期表五個(gè)區(qū)域中的

區(qū)。②分子的中心原子采取

雜化,的空間構(gòu)型為

。(2).原子或離子外圍有較多能量相近的空軌道,所以其能與一些分子或離子形成配合物。①與原子或離子形成配合物的分子或離子應(yīng)具備的結(jié)構(gòu)特征是

。②六氰合亞鐵離子中不存在

(填字母)。A.共價(jià)鍵B.非極性鍵

C.配位鍵D.鍵寫出一種與互為等電子體的單質(zhì)的分子式:

。(3).—種合金的晶胞結(jié)構(gòu)如圖,請(qǐng)據(jù)此回答下列問題:①該合金的化學(xué)式為

。②若晶體的密度為,則該晶胞棱長(zhǎng)為

(設(shè)為阿伏加德羅常數(shù)的值,用含和的代數(shù)式表示,不必化簡(jiǎn))。2022屆高三化學(xué)備考一輪復(fù)習(xí)微專題強(qiáng)化物質(zhì)的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)測(cè)試題（一）-含答案一、單選題（共7題）1.一種由短周期主族元素組成的化合物（如圖所示），具有良好的儲(chǔ)氫性能，其中元素W、X、Y、Z的原子序數(shù)依次增大、且總和為24。下列有關(guān)敘述錯(cuò)誤的是()A.該化合物中，W、X、Y之間均為共價(jià)鍵B.Z的單質(zhì)既能與水反應(yīng)，也可與鹽酸反應(yīng)C.Y的最高化合價(jià)氧化物的水化物為強(qiáng)酸D.X的氟化物中原子均為8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)1.答案：D解析：根據(jù)題給化合物的結(jié)構(gòu)示意圖，Z形成+1價(jià)陽離子且Z在四種短周期元素中原子序數(shù)最大，則Z為Na；W形成1個(gè)共價(jià)單鍵且在四種元素中原子序數(shù)最小，則W為H；Y形成3個(gè)共價(jià)單鍵，且原子序數(shù)小于Na，則Y為N；四種元素原子序數(shù)之和為24，則X為B。該化合物中，W、X、Y都為非金屬元素，相互之間形成的化學(xué)鍵都為共價(jià)鍵，A項(xiàng)正確；鈉與水反應(yīng)生成氫氧化鈉和氫氣，與鹽酸反應(yīng)生成氯化鈉和氫氣，B項(xiàng)正確；Y的最高價(jià)氧化物的水化物為硝酸，屬于強(qiáng)酸，C項(xiàng)正確；X的氟化物為，B原子最外層電子數(shù)為3，中B原子形成3個(gè)共價(jià)單鍵，最外層達(dá)到6個(gè)電子，未達(dá)到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，D項(xiàng)錯(cuò)誤。2.下列關(guān)于價(jià)層電子對(duì)互斥模型（VSEPR模型）和雜化軌道理論的敘述中正確的是()A.凡是中心原子采取雜化的分子，其分子的空間結(jié)構(gòu)都是平面三角形B.對(duì)于主族元素，中心原子的雜化軌道數(shù)等于價(jià)層電子對(duì)數(shù)C.雜化軌道可用于形成鍵、鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對(duì)D.某分子的所有原子位于同一平面上，則其中心原子可能采取雜化2.答案：B解析：中心原子采取雜化的分子，其空間結(jié)構(gòu)不一定為平面三角形，如苯分子中碳原子為雜化，但苯的空間結(jié)構(gòu)為平面正六邊形，A錯(cuò)誤；中心原子屬于主族元素時(shí)，其價(jià)層電子對(duì)數(shù)與雜化軌道數(shù)相等，B正確；雜化軌道可用于形成鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對(duì)，不能用于形成鍵，C錯(cuò)誤；中心原子采取雜化的分子的空間結(jié)構(gòu)呈四面體形，不可能所有原子共平面，D錯(cuò)誤。3.若的中心原子A上沒有未用于形成共價(jià)鍵的孤電子對(duì)，運(yùn)用價(jià)層電子對(duì)互斥模型，下列說法正確的是()A.若=2，則分子的空間結(jié)構(gòu)為V形B.若=3，則分子的空間結(jié)構(gòu)為三角錐形C.若=4，則分子的空間結(jié)構(gòu)為正四面體形D.以上說法都不正確3.答案：C解析：若的中心原子A上沒有未用于成鍵的孤電子對(duì)，則根據(jù)斥力最小的原則，當(dāng)=2時(shí)，分子的空間結(jié)構(gòu)為直線形，A錯(cuò)誤；=3時(shí)，分子的空間結(jié)構(gòu)為平面三角形，B錯(cuò)誤；=4時(shí)，分子的空間結(jié)構(gòu)為正四面體形，C正確，D錯(cuò)誤。4.鍵長(zhǎng)、鍵角和鍵能是描述共價(jià)鍵的三個(gè)重要參數(shù)，下列敘述正確的是()A.C—H鍵比Si—H鍵的鍵長(zhǎng)短，故比更穩(wěn)定B.因?yàn)镠—O鍵的鍵能小于H—F鍵的鍵能，所以與反應(yīng)的能力比強(qiáng)C.水分子可表示為H—O—H，分子中的鍵角為180°D.H—O鍵的鍵能為，即分解成和時(shí)，消耗的能量為926kJ4.答案：A解析：C—H鍵比Si—H鍵的鍵長(zhǎng)短，則C—H鍵比Si—H鍵的鍵能大，故比更穩(wěn)定，A正確；分子內(nèi)兩個(gè)O原子形成2個(gè)共用電子對(duì)，結(jié)合力強(qiáng)，斷鍵吸收的能量高，而分子內(nèi)的2個(gè)F原子形成1個(gè)共用電子對(duì)，結(jié)合力相對(duì)較弱，斷鍵吸收的能量較低，因此更容易與發(fā)生反應(yīng)，即與反應(yīng)的能力比強(qiáng)，B錯(cuò)誤；水分子的結(jié)構(gòu)式可表示為H—O—H，分子中的鍵角為105°，水分子是V形結(jié)構(gòu)，C錯(cuò)誤；水分解生成氧氣和氫氣時(shí)，反應(yīng)消耗的能量=斷鍵吸收的能量-成鍵放出的能量，由于O=O鍵與H—H鍵的鍵能未知，所以成鍵放出的能量未知，無法計(jì)算反應(yīng)熱，則分解成和時(shí)，消耗的能量無法計(jì)算，D錯(cuò)誤。5.下列組合中，中心離子的電荷數(shù)相同，中心離子的配位數(shù)也相同的是（）A. B.C. D.5.答案：D6.下列說法正確的是(

)

A.HF、HCl、HBr、HI的熔沸點(diǎn)依次升高

B.NH3的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)大于PH3是由于NH3分子之間存在氫鍵

C.乙醇分子與水分子之間只存在范德華力

D.氯的各種含氧酸的酸性由強(qiáng)到弱排列為HClO>HClO2>HClO3>HClO46.答案：B解析：HF分子間存在氫鍵,熔點(diǎn)較高,溶點(diǎn)應(yīng)為HF>HI>HBr>HCl,A項(xiàng)錯(cuò)誤;O的電負(fù)性較大,水分子間存在氫鍵,則H2O的熔、沸點(diǎn)大于H2S,B項(xiàng)正確;乙醇分子與水分子之間存在氫鍵和范德華力,C項(xiàng)錯(cuò)誤;Cl元素的化合價(jià)越高,對(duì)應(yīng)的氧化物的水化物的酸性越強(qiáng),酸性應(yīng)為HClO<HClO2<HClO3<HClO4,D項(xiàng)錯(cuò)誤。7.據(jù)報(bào)道，在40GPa高壓下，用激光加熱到1800K，人們成功制得了某種的晶體，其結(jié)構(gòu)類似于的結(jié)構(gòu)，下列有關(guān)推斷中錯(cuò)誤的是()A.該晶體中C、O原子個(gè)數(shù)比為1︰2 B.該晶體中O—C—O鍵角小于180°C.該晶體可用作制冷材料 D.該晶體硬度大，可用作耐磨材料7.答案：C解析：由共價(jià)晶體的結(jié)構(gòu)可以得出共價(jià)晶體的結(jié)構(gòu)，則將由分子晶體轉(zhuǎn)化為共價(jià)晶體，其C、O原子個(gè)數(shù)比不變，只是化學(xué)鍵和原子排列發(fā)生變化，A項(xiàng)正確；該晶體中每個(gè)碳原子以4個(gè)共價(jià)單鍵與相鄰的4個(gè)氧原子結(jié)合，形成正四面體結(jié)構(gòu)，故O—C—O鍵角小于180°，B項(xiàng)正確；共價(jià)晶體有較高的熔、沸點(diǎn)，不可用作制冷材料，C項(xiàng)錯(cuò)誤；共價(jià)晶體硬度大，可用作耐磨材料，D項(xiàng)正確。二、填空題（共5題）8.回答下列問題：（1）金剛砂（SiC）的硬度很大，摩氏硬度為9.5級(jí)，僅次于金剛石，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲所示，則金剛砂的晶體類型為_______________；在SiC中，與每個(gè)C原子距離相等且最近的C原子數(shù)目為_____________________；若晶胞的邊長(zhǎng)為，則金剛砂的密度表達(dá)式為_________________。（2）硅的某種單質(zhì)的晶胞結(jié)構(gòu)如圖乙所示。GaN晶體的結(jié)構(gòu)與該硅晶體的結(jié)構(gòu)相似，則GaN晶體中，每個(gè)Ga原子與_________________個(gè)N原子相連，與同一個(gè)Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間結(jié)構(gòu)為_____________________；若該硅晶體的密度為，阿伏加德羅常數(shù)的值為，則晶體中相距最近的兩個(gè)硅原子之間的距離為______________cm（用代數(shù)式表示）。8.答案：（1）共價(jià)晶體；12；（2）4；正四面體形；解析：（1）由題述信息可知，金剛砂（SiC）屬于共價(jià)晶體；以晶胞頂點(diǎn)的C原子為例，距離該碳原子最近的碳原子位于晶胞的面心上，每個(gè)頂點(diǎn)C原子被8個(gè)晶胞共用，故與每個(gè)碳原子距離相等且最近的碳原子數(shù)目為；該晶胞中C原子個(gè)數(shù)為，Si原子個(gè)數(shù)為4，相當(dāng)于每個(gè)晶胞中含有4個(gè)SiC，晶胞邊長(zhǎng)為，故。（2）根據(jù)物質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)可知，在GaN晶體中，每個(gè)Ga原子與4個(gè)N原子相連，與同一個(gè)Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間結(jié)構(gòu)為正四面體形；在晶體Si的晶胞中含有的Si原子的數(shù)目是，則根據(jù)晶體的密度=可知，，晶胞的邊長(zhǎng)=，在晶胞中兩個(gè)相距最近的Si原子之間的距離為晶胞體對(duì)角線長(zhǎng)的，即。9.已知A、B、C、D、E、F、G是原子序數(shù)依次遞增的短周期元素，已知A和D，C和F為同一主族元素，A與B、A與G形成共價(jià)化合物，B原子的最外層電子數(shù)比次外層多3，G元素的最高正化合價(jià)與最低負(fù)化合價(jià)的代數(shù)和為6，E的最高價(jià)氧化物的水化物既可以和強(qiáng)酸反應(yīng)又可以和強(qiáng)堿反應(yīng)，F(xiàn)形成的化合物是造成酸雨的主要原因。請(qǐng)回答下列問題：(1)七種元素中，F(xiàn)元素在周期表中的位置是___________________。(2)比較C與D元素的原子形成的簡(jiǎn)單離子半徑：________＞___________。(3)由C、D形成的一種淡黃色固體的電子式__________________________；畫出B單質(zhì)的結(jié)構(gòu)式_________________。(4)F與G元素的氣態(tài)氫化物的熱穩(wěn)定性由大到小的順序_________________(用化學(xué)式表示)(5)E的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物可用作治療胃酸過多的藥物，其反應(yīng)的離子方程式為：___________________________________________________________________(6)A、C、D形成化合物的化學(xué)鍵的類型____________________________。9.答案：(1)第三周期族ⅥA族(2)(3)；(4)(5)(6)離子鍵、共價(jià)鍵10.、金剛石和石墨的結(jié)構(gòu)模型如圖所示(石墨僅表示其中的一層結(jié)構(gòu)):(1）.、金剛石和石墨三者的關(guān)系互為__________。a.同分異構(gòu)體b.同素異形體c.同系物d.同位素(2).固態(tài)時(shí),屬于__________(填“原子”或“分子”)晶體,分子中含有雙鍵和單鍵,推測(cè)跟__________(填“能”或“不能”)發(fā)生加成反應(yīng)。(3).硅晶體的結(jié)構(gòu)跟金剛石相似,1硅晶體中含有硅硅單鍵的數(shù)目約是__________個(gè)。二氧化硅的結(jié)構(gòu)相當(dāng)于在硅晶體結(jié)構(gòu)中每個(gè)硅硅單鍵之間插入一個(gè)氧原子。二氧化硅的空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中,硅、氧原子形成的最小環(huán)上氧原子數(shù)目是__________。（4）.石墨層狀結(jié)構(gòu)中,平均每個(gè)正六邊形擁有的碳原子個(gè)數(shù)是__________個(gè)。10.答案：（1）.b;（2）.分子;能;（3）.2;6;(4).211.鍺(Ge)是典型的半導(dǎo)體元素,在電子、材料等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛?；卮鹣铝袉栴}:（1）.基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為[Ar]__________,有__________個(gè)未成對(duì)電子

（2）.Ge與C是同族元素,C原子之間可以形成雙鍵、叁鍵,但Ge原子之間難以形成雙鍵或叁鍵。從原子結(jié)構(gòu)角度分析,原因是__________（3）.比較下列鍺鹵化物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn),分析其變化規(guī)律及原因__________GeCl4GeBr4GeI4熔點(diǎn)/℃-49.526146沸點(diǎn)/℃83.1186約400（4）.光催化還原CO2制備CH4反應(yīng)中,帶狀納米Zn2GeO4是該反應(yīng)的良好催化劑。Zn、Ge、O電負(fù)性由大至小的順序是__________

（5）.Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu),其中Ge原子的雜化方式為__________,微粒之間存在的作用力是__________（6）.晶胞有兩個(gè)基本要素:①原子坐標(biāo)參數(shù),表示晶胞內(nèi)部各原子的相對(duì)位置,如圖為Ge單晶的晶胞,其中原子坐標(biāo)參數(shù)A為(0,0,0);B為;C為則D原子的坐標(biāo)參數(shù)為__________②晶胞參數(shù),描述晶胞的大小和形狀。已知Ge單晶的晶胞參數(shù)a=565.76pm,其密度為__________g·cm-3(列出計(jì)算式即可)11.答案：(1).3d104s24p2,

2

(2).Ge原子半徑大，原子間形成的σ單鍵較長(zhǎng)，p-p軌道肩并肩重疊程度很小或幾乎不能重疊，難以形成π鍵

(3).GeCl4、GeBr4、GeI4的熔、沸點(diǎn)依次增高。原因是它們的熔、沸點(diǎn)均比較低,為分子晶體,分子組成和分子結(jié)構(gòu)相似,分子量依次增大,分子間相互作用力依次增強(qiáng).

（4）.O>Ge>Zn;（5）.sp3,

共價(jià)鍵

（6）.①②解析：(1).Ge原子序數(shù)為32,根據(jù)電子排布基本規(guī)律,可以得出其核外電子排布式為[Ar]3d104s24p2,4p有3個(gè)軌道,軌道上有2個(gè)電子,所以有2個(gè)未成對(duì)電子。

(2).鍺原子半徑大于碳原子,所以鍺原子間形成的鍵比較長(zhǎng),p-p軌道肩并肩重疊程度很小或幾乎不能夠重疊,難以形成π鍵,故鍺原子之間難以形成雙鍵或三鍵.

(3).根據(jù)表格中的數(shù)據(jù)特點(diǎn)不難發(fā)現(xiàn),GeCl4、GeBr4、GeI4的熔、沸點(diǎn)依次增大,原因是它們?yōu)榉肿泳w,分子組成和結(jié)構(gòu)相似,相對(duì)分子質(zhì)量依次增大,分子間作用力依次增強(qiáng),所以熔、沸點(diǎn)依次增大。

(4).元素的非金屬性越強(qiáng),電負(fù)性越大,所以電負(fù)性O(shè)＞Ge＞Zn.

(5).根據(jù)金剛石的結(jié)構(gòu)特點(diǎn),碳原子間通過共價(jià)鍵連接,碳原子為sp3雜化,而鍺單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu),所以鍺原子間存在共價(jià)鍵,雜化方式應(yīng)該為sp3.

(6).①根據(jù)晶胞圖示可以得出,D在各個(gè)方向的處,所以D原子的坐標(biāo)參數(shù)為。②根據(jù)晶胞的結(jié)構(gòu)特點(diǎn),可以得出含有的鍺原子數(shù)=,根據(jù)密度的計(jì)算方法可得,其密度=.12.根據(jù)所學(xué)知識(shí)回答下