標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 14031-1992 半導(dǎo)體集成電路模擬鎖相環(huán)測(cè)試方法的基本原理》作為一項(xiàng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn),規(guī)定了模擬鎖相環(huán)集成電路的測(cè)試原則、測(cè)試環(huán)境、測(cè)試信號(hào)要求及測(cè)試項(xiàng)目等內(nèi)容,旨在為該類(lèi)器件的性能評(píng)估提供統(tǒng)一的方法和依據(jù)。不過(guò),您提供的對(duì)比項(xiàng)似乎不完整,沒(méi)有明確指出要與哪個(gè)具體的標(biāo)準(zhǔn)或版本進(jìn)行比較。因此,直接對(duì)比其變更點(diǎn)較為困難。
若假設(shè)對(duì)比目標(biāo)是該標(biāo)準(zhǔn)后續(xù)的修訂版或其他相關(guān)標(biāo)準(zhǔn),一般而言,更新的標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)包含以下幾類(lèi)變更內(nèi)容:
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測(cè)試技術(shù)的更新:隨著技術(shù)進(jìn)步,新的測(cè)試方法和設(shè)備可能被引入,以提高測(cè)試精度、效率或覆蓋范圍,老標(biāo)準(zhǔn)中的測(cè)試技術(shù)描述會(huì)相應(yīng)調(diào)整。
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參數(shù)定義的修訂:為了適應(yīng)技術(shù)發(fā)展或國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化的要求,一些關(guān)鍵參數(shù)的定義、測(cè)量單位或容差范圍可能會(huì)有所變化。
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新增測(cè)試項(xiàng)目:針對(duì)新型鎖相環(huán)電路特性,可能會(huì)增加相應(yīng)的測(cè)試項(xiàng)目,以確保全面評(píng)估其性能。
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環(huán)境條件和測(cè)試條件的調(diào)整:考慮到實(shí)際應(yīng)用環(huán)境的變化和對(duì)測(cè)試準(zhǔn)確性的新要求,測(cè)試環(huán)境的溫度、濕度等條件標(biāo)準(zhǔn),以及測(cè)試信號(hào)的規(guī)格可能有所更新。
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標(biāo)準(zhǔn)適用范圍的擴(kuò)展或限定:根據(jù)技術(shù)演進(jìn),標(biāo)準(zhǔn)可能會(huì)擴(kuò)大適用的產(chǎn)品類(lèi)型,或者對(duì)特定類(lèi)型的鎖相環(huán)提出更專(zhuān)門(mén)的測(cè)試要求。
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術(shù)語(yǔ)和定義的規(guī)范化:為了與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)或行業(yè)共識(shí)保持一致,標(biāo)準(zhǔn)中的專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)和定義可能會(huì)得到修訂和完善。
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參考標(biāo)準(zhǔn)的更新:引用的其他國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)或技術(shù)文獻(xiàn)可能會(huì)被更新到最新版本,以確保標(biāo)準(zhǔn)的時(shí)效性和準(zhǔn)確性。
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 1992-12-18 頒布
- 1993-08-01 實(shí)施


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GB/T 14031-1992半導(dǎo)體集成電路模擬鎖相環(huán)測(cè)試方法的基本原理-免費(fèi)下載試讀頁(yè)文檔簡(jiǎn)介
DDg.621.382L55中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T14031-92半導(dǎo)體集成電路模擬鎖相環(huán)測(cè)試方法的基本原理Generalprinciplesofmeasuringmethodsofanaloguephase-loopforsemiconductorintegratedcircuits1992-12-18發(fā)布1993-08-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布
中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體集成電路模擬鎖相環(huán)測(cè)試方法的基本原理CB/r14031-92Ceneralprinciplesofmeasuringmethodsofanalogucphase-loopforsemiconductorintegraledcircuits本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路模擬鎖相環(huán)(以下簡(jiǎn)稱(chēng)器件或模擬鎖相環(huán))電參數(shù)測(cè)試方法的基本原模擬鎖相環(huán)與數(shù)字電路相同的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試可參照GB3439半導(dǎo)體集成電路TTL電路測(cè)試方法的基本原理》。模擬鎖相環(huán)與運(yùn)算放大器相同的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試可參照GB3442《半導(dǎo)體集成電路運(yùn)算(電壓)放大器測(cè)試方法的基本原理》總要求1.1若無(wú)特殊說(shuō)明,測(cè)試期間,環(huán)境或參考點(diǎn)溫度偏離規(guī)定值的范圍應(yīng)符合詳細(xì)規(guī)范的規(guī)定,1.2測(cè)試期間,應(yīng)避免外界干擾對(duì)測(cè)試精度的影響,測(cè)試設(shè)備引起的測(cè)試誤差應(yīng)符合器件詳細(xì)規(guī)范的規(guī)定。1.3測(cè)試期間,施于被測(cè)器件的電參量的精度應(yīng)符合器件詳細(xì)規(guī)范的規(guī)定。14被測(cè)器件與測(cè)試系統(tǒng)連接或斷開(kāi)時(shí),不應(yīng)超過(guò)器件的使用極限條件。1.5若有要求時(shí),應(yīng)按器件詳細(xì)規(guī)范規(guī)定的順序接通電源。1.6,測(cè)試期間.被測(cè)器件應(yīng)按器件詳細(xì)規(guī)范的規(guī)定連接外圍網(wǎng)絡(luò)。鎖相環(huán)處于閉環(huán)狀態(tài)。1.7測(cè)試期間,被測(cè)器件應(yīng)避免出現(xiàn)自激現(xiàn)象。1.8若電參數(shù)值是由幾步測(cè)試的結(jié)果經(jīng)計(jì)算確定的,這些測(cè)試的時(shí)間間隔應(yīng)盡可能短。2參數(shù)測(cè)試2.1跟蹤輔入電壓VkTrA2.1.1目的在規(guī)定中心頻率和規(guī)定頻偏下,測(cè)試鎖相環(huán)保持跟蹤的最小輸入電壓.2.1.2測(cè)試原理鎖相環(huán)接成閉環(huán),跟蹤輸入
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