標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 14141-2009 硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測定 直排四探針法》與《GB/T 14141-1993 硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測定 直排四探針法》相比，主要存在以下幾方面的更新與調(diào)整：

  1. 技術(shù)內(nèi)容的修訂：2009版標(biāo)準(zhǔn)對測量原理、測試設(shè)備、樣品制備、測試步驟及數(shù)據(jù)處理方法等技術(shù)細(xì)節(jié)進(jìn)行了更為詳盡和明確的規(guī)定，以適應(yīng)技術(shù)進(jìn)步和測量精度提高的需求。例如，明確了探針材料、尺寸和排列方式的具體要求，以及如何更精確地校正探針接觸電阻的影響。

  2. 計(jì)量單位的規(guī)范：遵循國際單位制(SI)的要求，2009版標(biāo)準(zhǔn)對所有涉及的物理量單位進(jìn)行了統(tǒng)一和規(guī)范，確保了標(biāo)準(zhǔn)與國際標(biāo)準(zhǔn)的一致性，便于國際交流與合作。

  3. 測量不確定度的考慮：新版本增加了對測量不確定度評估的內(nèi)容，指導(dǎo)用戶如何合理評估并報(bào)告測量結(jié)果的不確定度，這反映了對測量結(jié)果準(zhǔn)確性和可靠性的更高要求。

  4. 適用范圍的明確：2009版標(biāo)準(zhǔn)在適用范圍方面做出了更清晰的界定，明確了標(biāo)準(zhǔn)適用于哪些類型的硅基半導(dǎo)體材料及其薄層電阻的測量，有助于用戶準(zhǔn)確判斷標(biāo)準(zhǔn)的適用場景。

  5. 引用標(biāo)準(zhǔn)的更新：鑒于科技文獻(xiàn)和技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的不斷更新，2009版標(biāo)準(zhǔn)引用了一系列最新的國家標(biāo)準(zhǔn)和國際標(biāo)準(zhǔn)，替代了1993版中已過時(shí)或廢止的標(biāo)準(zhǔn)，保證了標(biāo)準(zhǔn)的時(shí)效性和準(zhǔn)確性。

  6. 術(shù)語和定義的完善：為了增強(qiáng)標(biāo)準(zhǔn)的可讀性和專業(yè)性，2009版對關(guān)鍵術(shù)語和定義進(jìn)行了修訂和完善，使得專業(yè)術(shù)語更加準(zhǔn)確、統(tǒng)一，便于讀者理解和應(yīng)用。


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  • 2009-10-30 頒布
  • 2010-06-01 實(shí)施
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GB/T 14141-2009硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測定直排四探針法_第1頁
GB/T 14141-2009硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測定直排四探針法_第2頁
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文檔簡介

犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜１４１４１—２００９

代替ＧＢ／Ｔ１４１４１—１９９３

硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層

薄層電阻的測定直排四探針法

犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱犳狅狉狊犺犲犲狋狉犲狊犻狊狋犪狀犮犲狅犳狊犻犾犻犮狅狀犲狆犻狋犪狓犻犪犾，

犱犻犳犳狌狊犲犱犪狀犱犻狅狀犻犿狆犾犪狀狋犲犱犾犪狔犲狉狊狌狊犻狀犵犪犮狅犾犾犻狀犲犪狉犳狅狌狉狆狉狅犫犲犪狉狉犪狔

２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

書

犌犅／犜１４１４１—２００９

前言

本標(biāo)準(zhǔn)代替ＧＢ／Ｔ１４１４１—１９９３《硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測定直排四探

針法》。

本標(biāo)準(zhǔn)與ＧＢ／Ｔ１４１４１—１９９３相比，主要有如下改動：

———修改了被測薄層電阻的最小直徑（由１０．０ｍｍ改為１５．９ｍｍ）、薄層電阻阻值的測量范圍及

精度；

———增加了規(guī)范性引用文件；

———增加了引入與試樣幾何形狀有關(guān)的修正因子計(jì)算薄層電阻；

———增加了干擾因素；

———?jiǎng)h除了三氯乙烯試劑；

———修改了薄層電阻范圍，增加了“直流輸入阻抗不小于１０９Ω”；

———?jiǎng)h除了三氯乙烯漂洗；

———修改仲裁測量探針間距，由１ｍｍ改為１．５９ｍｍ；

———增加了修正因子和溫度修正系數(shù)表格。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會（ＳＡＣ／ＴＣ２０３）提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：寧波立立電子股份有限公司、南京國盛電子有限公司、信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量

監(jiān)督檢驗(yàn)中心。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：李慎重、許峰、劉培東、諶攀、馬林寶、何秀坤。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１４１４１—１９９３。

Ⅰ

書

犌犅／犜１４１４１—２００９

硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層

薄層電阻的測定直排四探針法

１范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用直排四探針測量硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的方法。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于測量直徑大于１５．９ｍｍ的由外延、擴(kuò)散、離子注入到硅片表面上或表面下形成的薄

層的平均薄層電阻。硅片基體導(dǎo)電類型與被測薄層相反。適用于測量厚度不小于０．２μｍ的薄層，方

塊電阻的測量范圍為１０Ω～５０００Ω。該方法也可適用于更高或更低阻值方塊電阻的測量，但其測量精

確度尚未評估。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＧＢ／Ｔ１５５２硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法

ＧＢ／Ｔ１１０７３硅片徑向電阻率變化的測量方法

３方法提要

使用直排四探針測量裝置、使直流電流通過試樣上兩外探針，測量兩內(nèi)探針之間的電位差，引入與

試樣幾何形狀有關(guān)的修正因子，計(jì)算出薄層電阻。

４干擾因素

４．１探針材料和形狀及其和硅片表面接觸是否滿足點(diǎn)電流源注入條件會影響測試精度。

４．２電壓表輸入阻抗會引入測試誤差。

４．３硅片幾何形狀、表面沾污等會影響測試結(jié)果。

４．４光照、高頻、震動、強(qiáng)電磁場及溫濕度等測試環(huán)境會影響測試結(jié)果。

５試劑

５．１氫氟酸，優(yōu)級純。

５．２純水，２５℃時(shí)電阻率大于２ＭΩ·ｃｍ。

５．３甲醇，９９．５％。

５．４干燥氮?dú)狻?/p>

６測量儀器

６．１探針系統(tǒng)

６．１．１探針為具有４５°～１５０°角的圓錐形碳化鎢探針，針尖

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