標準解讀
《GB/T 14144-1993 硅晶體中間隙氧含量徑向變化測量方法》是一項由中國發(fā)布的國家標準,旨在規(guī)定硅晶體材料中間隙氧含量沿半徑方向變化的測定方法。該標準適用于單晶硅材料,特別是用于半導體器件制造的高純度硅晶片,因為間隙氧含量直接影響到硅片的電性能和可靠性。
標準內容概覽
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范圍:明確了本標準適用的硅晶體類型及測量目的,即測定硅晶體內部沿徑向分布的間隙氧濃度。
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術語和定義:對“間隙氧”、“徑向變化”等關鍵術語進行了明確界定,以便統(tǒng)一理解和操作。
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原理:介紹了測量的基本原理,通常涉及利用紅外光譜、質譜或其他分析技術來檢測硅晶體內不同位置的間隙氧含量。間隙氧是指不占據(jù)正常晶格位置的氧原子,它們可能影響材料的電學性質。
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儀器與設備:詳細列出了進行該測量所需的儀器設備規(guī)格和性能要求,包括高精度切割工具、氧含量檢測儀器等,確保測量結果的準確性和可重復性。
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樣品制備:規(guī)范了從硅晶體中取樣以進行徑向變化測量的具體步驟,包括樣品的切割、清潔、處理等,以避免外部污染或損傷影響測試結果。
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測量步驟:詳細描述了測量過程,包括如何在樣品的不同徑向位置取點、如何進行氧含量的精確測量以及數(shù)據(jù)記錄的要求。
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計算與表達:提供了計算間隙氧含量及其徑向分布的方法,以及如何正確表達和報告測量結果,確保數(shù)據(jù)的標準化和可比性。
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精密度與準確度:闡述了測量過程中可能的誤差來源,并給出了評估測量精密度和準確度的方法,幫助用戶理解結果的可靠性。
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試驗報告:規(guī)定了試驗報告應包含的信息內容,如樣品信息、測試條件、測量結果及必要的數(shù)據(jù)分析等,便于結果的交流和追溯。
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文檔簡介
UDC669.782H26中華人民共和國國家標準GB/T14144-93硅晶體中間隙氧含量徑向變化測量方法Testmethodfordeterminationofradialinterstitialloxygenvariationinsilicon1993-02-06發(fā)布1993-10-01實施國家技術監(jiān)督局發(fā)布
中華人民共和國國家標準硅晶體中間隙氧含量徑向變化GB/T14144-93測量方:法Testmethodfordeterminationofradialinterstitialoxygenvariationinsilicon1主題內容與適用范圍本標準規(guī)定了硅晶體中間蹤氧含量徑向變化的測量方法。本標準適用于室溫電阻率大于0.12·cm的硅品體中間隙氧含城徑向變化的測量。測量范圍為3.5×10"alt·cm-3至間隙氧在硅中的最大固溶度。2引用標準GB1557硅品體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法GB/T14143300~900pm硅片間隙氧含量紅外吸收測量方法3方法提要根據(jù)待測硅品體的生長工藝特點,在四種測量點選取方案中選擇一種適用的方案。在規(guī)定的測量位置,按(B1557或GB/T14143規(guī)定的方法測定硅中間隙氧含量,并將其值代入計算公式,求出間隙氧含量徑向百分變化。4測量儀器4.1紅外光譜儀。儀器分辯率小于5℃m1。4.2樣品架。具備按選點方案要求作測量位置調整的功能,其光欄孔徑為5~8mm?!?3厚度測量儀。精度優(yōu)于21m。4.4標準平面平品。4.578K低溫測量裝置5試樣要求5.1試樣厚度約為2mm或0.3~0.9mm。3當間隙氧含量低于1×10at·cm-3時可選用厚度約為5mm或10mm的硅片。5.2試樣經(jīng)雙面機械拋光或化學拋光(僅適用于單品),表面呈鏡面,,無桔皮狀皺紋和凹坑。厚度為0.3~0.9mm的試樣表面皮符合GB/T14143中5.1-5.2條的規(guī)定。5.3試樣在測量光欄孔徑范圍內,平整度應不大于2.2Pm。5.4作差別法測量的試樣,其測量位置的厚度與參比樣品的厚度差小于0.5%5.5仲裁測量的試樣需經(jīng)雙面機械拋光。
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