GB/T 14619-2013厚膜集成電路用氧化鋁陶瓷基片

ICS31030

L90.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T14619—2013

代替

GB/T14619—1993

厚膜集成電路用氧化鋁陶瓷基片

Aluminaceramicsubstratesforthickfilmintegratedcircuits

2013-11-12發(fā)布2014-04-15實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

中華人民共和國(guó)

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

厚膜集成電路用氧化鋁陶瓷基片

GB/T14619—2013

*

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽(yáng)區(qū)和平里西街甲號(hào)

2(100013)

北京市西城區(qū)三里河北街號(hào)

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

/p>

年月第一版

20141

*

書(shū)號(hào)

:155066·1-48007

版權(quán)專(zhuān)有侵權(quán)必究

GB/T14619—2013

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)替代厚膜集成電路用氧化鋁陶瓷基片與相比主

GB/T14619—1993《》,GB/T14619—1993

要的技術(shù)變化如下

:

增加了術(shù)語(yǔ)和產(chǎn)品標(biāo)識(shí)見(jiàn)第章和第章

———(34);

增加了對(duì)采用標(biāo)稱(chēng)氧化鋁含量表示基片類(lèi)型時(shí)實(shí)際氧化鋁含量值的要求見(jiàn)

———,(4.3);

增加了凹坑的直徑見(jiàn)表

———(1);

增加了非氧化鋁瓷的分類(lèi)并給出了指標(biāo)見(jiàn)表

———96%,(5);

增加了孔的要求見(jiàn)

———(5.2.2);

細(xì)化了劃線后基片尺寸指標(biāo)的要求見(jiàn)

———(5.2.3);

對(duì)基片翹曲度的測(cè)試進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明見(jiàn)附錄

———(A)。

本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出

。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院歸口

。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院

:。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人曹易李曉英

:、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T14619—1993。

Ⅰ

GB/T14619—2013

厚膜集成電路用氧化鋁陶瓷基片

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了厚膜集成電路用氧化鋁陶瓷基片的要求測(cè)試方法檢驗(yàn)規(guī)則標(biāo)志包裝運(yùn)輸和

、、、、、

貯存

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于厚膜集成電路用氧化鋁陶瓷基片的生產(chǎn)和采購(gòu)采用厚膜工藝的片式元件用氧化鋁

,

陶瓷基片以下簡(jiǎn)稱(chēng)基片也可參照使用

()。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

產(chǎn)品幾何量技術(shù)規(guī)范形狀和位置偏差檢測(cè)規(guī)定

GB/T1958(GPS)

壓電陶瓷材料體積密度測(cè)量方法

GB/T2413

計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃

GB/T2828.11:(AQL)

周期檢查計(jì)數(shù)抽樣程序及抽樣表適用于生產(chǎn)過(guò)程穩(wěn)定性的檢查

GB/T2829()

電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料

GB/T5593

電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法平均線膨脹系數(shù)測(cè)試方法

GB/T5594.3

電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值的測(cè)試

GB/T5594.4

方法

電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法體積電阻率測(cè)試方法

GB/T5594.5

電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法透液性測(cè)試方法

GB/T5594.7

氧化鈹瓷導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)定方法

GB/T5598

產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范表面結(jié)構(gòu)輪廓法接觸觸針式儀器的標(biāo)稱(chēng)特性

GB/T6062(GPS)()

精細(xì)陶瓷彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)方法

GB/T6569

鋁硅系耐火材料化學(xué)分析方法

GB/T6900

電子陶瓷零件技術(shù)條件

GB/T9531.1—1988

精細(xì)陶瓷室溫硬度試驗(yàn)方法

GB/T16534—2009

微電子器件試驗(yàn)方法和程序

GJB548B—2005

固體材料高溫?zé)釘U(kuò)散率測(cè)試方法

GJB1201.1—1991

3術(shù)語(yǔ)和定義

下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

。

31

.

氧化鋁陶瓷基片aluminaceramicsubstratealuminasubstrate