標(biāo)準(zhǔn)解讀

GB/T 14619-1993 是一項(xiàng)中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),全稱(chēng)為《厚膜集成電路用氧化鋁陶瓷基片》。該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了厚膜集成電路應(yīng)用中氧化鋁陶瓷基片的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和儲(chǔ)存要求,旨在確保此類(lèi)基片的質(zhì)量與性能一致性,滿足電子元件制造的需要。

標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容概覽:

  1. 范圍:明確了本標(biāo)準(zhǔn)適用的氧化鋁陶瓷基片類(lèi)型,主要針對(duì)那些用于制作厚膜集成電路的基礎(chǔ)材料。

  2. 引用標(biāo)準(zhǔn):列出了實(shí)施本標(biāo)準(zhǔn)時(shí)需要參考的其他相關(guān)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)和文件,這些標(biāo)準(zhǔn)通常涉及材料的物理、化學(xué)測(cè)試方法等。

  3. 定義:對(duì)標(biāo)準(zhǔn)中使用的專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)進(jìn)行了界定,幫助讀者準(zhǔn)確理解各項(xiàng)要求。

  4. 分類(lèi)與標(biāo)記:規(guī)定了氧化鋁陶瓷基片的分類(lèi)方法及產(chǎn)品標(biāo)記規(guī)則,便于識(shí)別和區(qū)分不同規(guī)格和特性的基片。

  5. 技術(shù)要求

    • 化學(xué)成分:規(guī)定了基片材料中氧化鋁的含量及其他可能雜質(zhì)元素的最大允許限量。
    • 物理性能:包括密度、顯微結(jié)構(gòu)、熱膨脹系數(shù)、介電常數(shù)、介質(zhì)損耗角正切值等指標(biāo),確?;哂辛己玫臋C(jī)械強(qiáng)度、熱穩(wěn)定性和電氣性能。
    • 機(jī)械性能:如抗彎強(qiáng)度,確?;诩庸ず褪褂眠^(guò)程中的機(jī)械穩(wěn)定性。
    • 表面質(zhì)量:規(guī)定了基片表面的平整度、光潔度及缺陷允許范圍,以保證后續(xù)工藝的順利進(jìn)行。
  6. 試驗(yàn)方法:詳細(xì)說(shuō)明了如何進(jìn)行上述各項(xiàng)性能指標(biāo)的測(cè)試,確保測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性。

  7. 檢驗(yàn)規(guī)則:包括出廠檢驗(yàn)和型式檢驗(yàn)的要求,明確了抽樣方案、合格判定準(zhǔn)則等,以控制產(chǎn)品質(zhì)量。

  8. 標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和儲(chǔ)存:規(guī)定了產(chǎn)品包裝上的標(biāo)識(shí)內(nèi)容、包裝方式、運(yùn)輸注意事項(xiàng)以及儲(chǔ)存條件,以防止產(chǎn)品在流轉(zhuǎn)過(guò)程中受損。

實(shí)施意義:

該標(biāo)準(zhǔn)為厚膜集成電路用氧化鋁陶瓷基片的生產(chǎn)、檢驗(yàn)及應(yīng)用提供了統(tǒng)一的技術(shù)依據(jù),有助于提升我國(guó)電子元件制造業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)化水平,促進(jìn)產(chǎn)品質(zhì)量的提高和國(guó)際交流。通過(guò)遵循此標(biāo)準(zhǔn),制造商能夠確保其產(chǎn)品符合行業(yè)要求,增強(qiáng)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,同時(shí)為用戶(hù)提供可靠的產(chǎn)品性能保障。


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  • 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替,建議下載現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T 14619-2013
  • 1993-09-03 頒布
  • 1993-12-01 實(shí)施
?正版授權(quán)
GB/T 14619-1993厚膜集成電路用氧化鋁陶瓷基片_第1頁(yè)
GB/T 14619-1993厚膜集成電路用氧化鋁陶瓷基片_第2頁(yè)
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UDC621.315.612L32中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T14619-93厚膜集成電路用氧化鋁陶瓷基片Aluminaceramicsubstratesforthickfilmintegratedcircuits1993-09-03發(fā)布1993-12-01實(shí)施家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)厚膜集成電路用氧化鋁陶瓷基片CB/T14619-93Aluminaceramicsubstratesforthickfilmintegratedcircuits主題內(nèi)容與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了厚膜集成電路用氧化鋁陶究基片的結(jié)構(gòu)尺寸、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、財(cái)存。本標(biāo)準(zhǔn)適用于厚膜集成電路用氧化鋁陶瓷基片,片狀元件用氧化鋁陶瓷基片亦可參照使用。(以下簡(jiǎn)稱(chēng)基片)。2引用標(biāo)準(zhǔn)GB1031表面粗糙度參數(shù)及其數(shù)值GB1958形狀和位置公差檢測(cè)規(guī)定GB/T2413壓電陶瓷材料體積密度測(cè)量方法GB2828逐批檢查計(jì)數(shù)抽樣程序及抽樣表(適用于連續(xù)批的檢查)GB2829,周期檢在計(jì)數(shù)抽樣程序及抽樣表(適用于生產(chǎn)過(guò)程穩(wěn)定性的檢查)GB5592電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料的名稱(chēng)和牌號(hào)的命名方法GB5593;電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料GB5594.3電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法平均線膨脹系數(shù)測(cè)試方法GB5594.4電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法介質(zhì)損耗角正切值的測(cè)試方法GB5594.5電子元器件結(jié)構(gòu)陶瓷材料性能測(cè)試方法體積電阻率測(cè)試方法GB5598氧化皺瓷導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)定方法GB9531電子陶瓷零件通用技術(shù)條件3結(jié)構(gòu)尺寸3.11基片的長(zhǎng)、寬、厚和最小孔尺寸列于表1。表1mm長(zhǎng)×寬厚度最小孔尺寸最小直徑0.25<152×152的所有尺寸0.3~1.5最小邊長(zhǎng)0.403.9相鄰兩孔之間的壁厚或邊與孔間距離不小于基片的厚度,且

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