標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 17473.2-2008 微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法 細(xì)度測(cè)定》與《GB/T 17473.2-1998 厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法 細(xì)度測(cè)定》相比，主要存在以下幾點(diǎn)差異：

  1. 適用范圍調(diào)整：2008版標(biāo)準(zhǔn)拓寬了應(yīng)用領(lǐng)域，從原來的“厚膜微電子技術(shù)”擴(kuò)展到更廣泛的“微電子技術(shù)”，這表明新標(biāo)準(zhǔn)旨在適應(yīng)微電子技術(shù)發(fā)展的新需求，涵蓋了更廣范圍的貴金屬漿料應(yīng)用。

  2. 技術(shù)更新：鑒于科技進(jìn)步和行業(yè)實(shí)踐的積累，2008版標(biāo)準(zhǔn)可能納入了新的測(cè)試技術(shù)和分析方法，提高了細(xì)度測(cè)定的精度和效率。這些更新可能涉及樣品制備、測(cè)量?jī)x器、數(shù)據(jù)分析等方面，以確保測(cè)試結(jié)果更加準(zhǔn)確可靠。

  3. 術(shù)語和定義：隨著技術(shù)進(jìn)步，新版標(biāo)準(zhǔn)可能對(duì)相關(guān)術(shù)語和定義進(jìn)行了修訂或新增，以更好地反映當(dāng)前行業(yè)共識(shí)，便于統(tǒng)一理解和執(zhí)行。

  4. 測(cè)試程序和方法優(yōu)化：2008版標(biāo)準(zhǔn)可能對(duì)測(cè)試程序進(jìn)行了優(yōu)化，包括但不限于細(xì)化操作步驟、調(diào)整測(cè)試條件、明確判定規(guī)則等，旨在簡(jiǎn)化操作流程，提高檢測(cè)效率。

  5. 質(zhì)量控制要求提升：考慮到產(chǎn)品質(zhì)量控制的重要性，新標(biāo)準(zhǔn)可能加強(qiáng)了對(duì)實(shí)驗(yàn)室環(huán)境、儀器校準(zhǔn)、數(shù)據(jù)處理等方面的質(zhì)控要求，確保測(cè)試結(jié)果的可重復(fù)性和可比性。

  6. 標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)和表述改進(jìn)：為增強(qiáng)標(biāo)準(zhǔn)的易讀性和執(zhí)行性，2008版可能對(duì)原文的結(jié)構(gòu)布局、條款編號(hào)、語言表述等進(jìn)行了調(diào)整，使其更加清晰規(guī)范，便于用戶查閱和遵循。


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  • 2008-03-31 頒布
  • 2008-09-01 實(shí)施
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GB/T 17473.2-2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法細(xì)度測(cè)定_第1頁
GB/T 17473.2-2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法細(xì)度測(cè)定_第2頁
GB/T 17473.2-2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法細(xì)度測(cè)定_第3頁
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GB/T 17473.2-2008微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法細(xì)度測(cè)定-免費(fèi)下載試讀頁

文檔簡(jiǎn)介

犐犆犛７７．１２０．９９

犎６８

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜１７４７３．２—２００８

代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．２—１９９８

微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法

細(xì)度測(cè)定

犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱狊狅犳狆狉犲犮犻狅狌狊犿犲狋犪犾狊狆犪狊狋犲狊狌狊犲犱犳狅狉犿犻犮狉狅犲犾犲犮狋狉狅狀犻犮狊—

犇犲狋犲狉犿犻狀犪狋犻狅狀狅犳犳犻狀犲狀犲狊狊

２００８０３３１發(fā)布２００８０９０１實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

書

犌犅／犜１７４７３．２—２００８

前言

本標(biāo)準(zhǔn)是對(duì)ＧＢ／Ｔ１７４７３—１９９８《厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法》（所有部分）的整合修

訂，分為７個(gè)部分：

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．１—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法固體含量測(cè)定；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．２—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法細(xì)度測(cè)定；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法方阻測(cè)定；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．４—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法附著力測(cè)試；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．５—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法粘度測(cè)定；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．６—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法分辨率測(cè)定；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．７—２００８微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法可焊性、耐焊性測(cè)定。

本部分為ＧＢ／Ｔ１７４７３—２００８的第２部分。

本部分代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．２—１９９８《厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法細(xì)度測(cè)定》。

本部分與ＧＢ／Ｔ１７４７３．２—１９９８相比，主要有如下變動(dòng)：

———將原標(biāo)準(zhǔn)名稱修改為：微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法細(xì)度測(cè)定；

———?jiǎng)h除了范圍中“非貴金屬漿料亦可參照本標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行”的內(nèi)容；

———對(duì)檢測(cè)試樣“不少于５份，每份２ｇ”的要求取消，只要求試樣充分?jǐn)嚢杈鶆颉?/p>

本部分由中國(guó)有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)提出。

本部分由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口。

本部分由貴研鉑業(yè)股份有限公司負(fù)責(zé)起草。

本部分主要起草人：武新榮、羅云、陳伏生、李文琳、馬曉峰、朱武勛、李晉。

本部分所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．２—１９９８。

Ⅰ

書

犌犅／犜１７４７３．２—２００８

微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法

細(xì)度測(cè)定

１范圍

本部分規(guī)定了微電子技術(shù)用貴金屬漿料細(xì)度的刮板測(cè)定方法。

本部分適用于微電子技術(shù)用貴金屬漿料細(xì)度測(cè)定。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本部分的引用而成為本部分的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本部分，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本部分達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本部分。

ＧＢ／Ｔ８１７０數(shù)值修約規(guī)則

３方法原理

漿料置于細(xì)度計(jì)上，用刮板從上至下刮動(dòng)，根據(jù)槽中縱向條紋出現(xiàn)位置，目測(cè)確定顆粒的大小。

４設(shè)備與儀器

４．１刮板細(xì)度計(jì)：測(cè)量范圍為０μｍ～２５μｍ，精度為１μｍ，檢定周期為半年。

４．２調(diào)漿刀：鑲有木柄的厚度為１ｍｍ不銹鋼材質(zhì)刀。

４．３刮板。

５試樣

將送檢漿料攪拌均勻。

６測(cè)定步驟

測(cè)試在溫度１５℃～３５℃，相對(duì)濕度４５％～７５％，大氣壓力８６ｋＰａ～１０６ｋＰａ環(huán)境下進(jìn)行。

６．１用相應(yīng)的化學(xué)純級(jí)清洗劑洗凈刮板細(xì)度計(jì)。

６．２取試料均勻地放置于細(xì)度計(jì)溝槽最深處。

６．３用雙手持刮板于細(xì)度計(jì)溝槽最深處，使刮板與細(xì)度計(jì)表面垂直，并以均勻的速度從溝槽最深處將

試料刮過細(xì)度計(jì)表面，使試料充滿溝槽，平板上不留有余的試樣。整個(gè)操作過程在３ｓ內(nèi)完成。

６．４在３ｓ內(nèi)橫握刮過的細(xì)度計(jì)并使其傾斜，使視線與溝槽平面成２０°～３０°角，對(duì)著光線進(jìn)行觀察，找

出溝槽中開始出現(xiàn)兩條縱向條紋顯示的位置，并記下顆粒讀數(shù)。

６．５用相同的操作方法對(duì)于不小于５份試樣進(jìn)行測(cè)量。

７測(cè)定結(jié)果表述

７．１對(duì)于不少于

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