GB/T 17626.22-2017電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)全電波暗室中的輻射發(fā)射和抗擾度測(cè)量

ICS33100

L06.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T1762622—2017/IEC61000-4-222010

.:

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)

全電波暗室中的輻射發(fā)射和抗擾度測(cè)量

ElectromaneticcomatibilitEMC—Testinand

gpy()g

measurementtechniques—Radiatedemissionsandimmunity

measurementsinfullanechoicroomsFARs

y()

[IEC61000-4-22:2010,Electromagneticcompatibility(EMC)—

Part4-22:Testingandmeasurementtechniques—Radiatedemissions

andimmunitymeasurementsinfullyanechoicrooms(FARs),IDT]

2017-12-29發(fā)布2018-07-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T1762622—2017/IEC61000-4-222010

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………1

應(yīng)用測(cè)量的被測(cè)量

4FAR………………3

輻射抗擾度試驗(yàn)的被測(cè)量

4.1…………3

輻射發(fā)射測(cè)量的被測(cè)量

4.2……………3

場(chǎng)地確認(rèn)校準(zhǔn)程序

5FAR/………………3

概述

5.1…………………3

場(chǎng)地確認(rèn)校準(zhǔn)的配置

5.2FAR/………………………3

試驗(yàn)設(shè)備和設(shè)施的基本特性

5.3………………………7

概述

5.3.1……………7

試驗(yàn)空間

5.3.2………………………7

寬帶天線

5.3.3………………………7

天線的連接電纜

5.3.4………………7

試驗(yàn)臺(tái)桌

5.3.5/………………………7

轉(zhuǎn)臺(tái)

5.3.6……………7

天線極化自動(dòng)變換器

5.3.7…………7

吸波材料布置

5.3.8…………………7

確認(rèn)程序所確定的量的定義

5.4FAR…………………7

確認(rèn)時(shí)的取樣位置

5.5FAR……………8

確認(rèn)程序

5.6FAR………………………9

概述

5.6.1……………9

配置類型的確認(rèn)

5.6.21……………10

配置類型的確認(rèn)

5.6.32……………10

配置類型的確認(rèn)

5.6.43……………10

配置類型的確認(rèn)

5.6.54……………11

所有配置類型的C和sC的計(jì)算

5.6.6dBdB,…………11

確認(rèn)要求

5.7……………11

試驗(yàn)布置

6…………………12

附錄規(guī)范性附錄輻射抗擾度試驗(yàn)

A()…………………15

附錄規(guī)范性附錄輻射發(fā)射測(cè)量

B()……………………19

附錄資料性附錄有關(guān)系統(tǒng)轉(zhuǎn)換系數(shù)和一次性完成的發(fā)射確認(rèn)抗擾度校準(zhǔn)方法的背景知識(shí)

C()/…22

附錄資料性附錄測(cè)量不確定度

D()……………………24

參考文獻(xiàn)

……………………36

Ⅰ

GB/T1762622—2017/IEC61000-4-222010

.:

圖類型的確認(rèn)校準(zhǔn)框圖

11/……………4

圖類型的確認(rèn)校準(zhǔn)框圖

22/……………4

圖類型的確認(rèn)校準(zhǔn)框圖

33/……………5

圖類型的確認(rèn)校準(zhǔn)框圖

44/……………5

圖用于確認(rèn)的取樣點(diǎn)的位置示意圖

5FAR……………9

圖臺(tái)式設(shè)備的試驗(yàn)布置示例

6…………12

圖臺(tái)式設(shè)備的試驗(yàn)布置示例俯視圖

7…………………13

圖落地式設(shè)備的試驗(yàn)布置示例

8………………………13

圖落地式設(shè)備的試驗(yàn)布置示例俯視圖

9………………14

圖抗擾度試驗(yàn)中d的定義

A.1mea………………………16

圖發(fā)射測(cè)量d的定義

B.1meat……………19

圖發(fā)射測(cè)量影響因素的例子

D.1………………………24

圖對(duì)抗擾度試驗(yàn)方法有影響的因素示例

D.2…………30

表不同類型配置所必備的基本測(cè)量?jī)x器

1………………6

表確認(rèn)準(zhǔn)則

2FAR………………………11

表中頻率范圍的輻射發(fā)射測(cè)量的測(cè)量設(shè)備和設(shè)施的不確定度

D.1FAR30MHz~1000MHz…25

表中頻率范圍的輻射發(fā)射測(cè)量的測(cè)量設(shè)備和設(shè)施的不確定度

D.2FAR1GHz~18GHz………26

表中頻率范圍的抗擾度試驗(yàn)電平設(shè)定的測(cè)量設(shè)備和設(shè)施的不

D.3FAR30MHz~1000MHz

確定度

……………………30

表中頻率范圍的抗擾度試驗(yàn)電平設(shè)定的測(cè)量設(shè)備和設(shè)施的不確定度

D.4FAR1GHz~18GHz……32

Ⅱ

GB/T1762622—2017/IEC61000-4-222010

.:

前言

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)為電磁兼容系列標(biāo)準(zhǔn)目前已發(fā)布的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)包括

GB/T17626《》。:

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)抗擾度試驗(yàn)總論

GB/T17626.1—2006;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)靜電放電抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.2—2006;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)射頻電磁場(chǎng)輻射抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.3—2016;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.4—2008;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)浪涌沖擊抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.5—2008();

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度

GB/T17626.6—2008;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)供電系統(tǒng)及所連設(shè)備諧波諧間波的測(cè)量和

GB/T17626.7—2017、

測(cè)量?jī)x器導(dǎo)則

;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)工頻磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.8—2006;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)脈沖磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.9—2011;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)阻尼振蕩磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.10—1998;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電壓暫降短時(shí)中斷和電壓變化的抗擾度

GB/T17626.11—2008、

試驗(yàn)

;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)振鈴波抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.12—2013;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)交流電源端口諧波諧間波及電網(wǎng)信號(hào)的

GB/T17626.13—2006、

低頻抗擾度試驗(yàn)

;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電壓波動(dòng)抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.14—2005;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)閃爍儀功能和設(shè)計(jì)規(guī)范

GB/T17626.15—2011;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)共模傳導(dǎo)騷擾抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.16—20070Hz~150kHz;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)直流電源輸入端口紋波抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.17—2005;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)阻尼振蕩波抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.18—2016;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)橫電磁波波導(dǎo)中的發(fā)射和抗擾度

GB/T17626.20—2014(TEM)

試驗(yàn)

;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)混波室試驗(yàn)方法

GB/T17626.21—2014;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)全電波暗室中的輻射發(fā)射和抗擾度測(cè)量

GB/T17626.22—2017;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的試驗(yàn)方法

GB/T17626.24—2012HEMP;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)三相電壓不平衡抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.27—2006;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)工頻頻率變化抗擾度試驗(yàn)

GB/T17626.28—2006;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)直流電源輸入端口電壓暫降短時(shí)中斷和

GB/T17626.29—2006、

電壓變化的抗擾度試驗(yàn)

;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電能質(zhì)量測(cè)量方法

GB/T17626.30—2012;

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)主電源每相電流大于的設(shè)備的電壓

GB/T17626.34—201216A

暫降短時(shí)中斷和電壓變化抗擾度試驗(yàn)

、。

本部分為的第部分

GB/T1762622。

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分使用翻譯法等同采用電磁兼容第部分試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)全

IEC61000-4-22:2010《4-22:

電波暗室中的輻射發(fā)射和抗擾度測(cè)量

(FAR)》。

Ⅲ

GB/T1762622—2017/IEC61000-4-222010

.:

本部分做了下列編輯性修改

:

為與現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)系列一致將標(biāo)準(zhǔn)名稱改為電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)全電波暗室中的輻射

———,《

發(fā)射和抗擾度測(cè)量

》。

本部分由全國(guó)無(wú)線電干擾標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC79)。

本部分起草單位工業(yè)和信息化部電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化研究院中國(guó)計(jì)量科學(xué)研究院中國(guó)電力科學(xué)研

:、、

究院上海電器科學(xué)研究院工業(yè)和信息化部電子第五研究所東南大學(xué)航天集團(tuán)所國(guó)家無(wú)線電

、、、、203、

監(jiān)測(cè)中心陜西海泰電子有限責(zé)任公司

、。

本部分主要起草人陳俐謝鳴崔強(qiáng)朱文立孟東林李妮周忠元馬蔚宇葉暢郭恩全

:、、、、、、、、、、

鄭軍奇王文儉

、。

Ⅳ

GB/T1762622—2017/IEC61000-4-222010

.:

電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)

全電波暗室中的輻射發(fā)射和抗擾度測(cè)量

1范圍

的本部分涉及電子和或電氣設(shè)備的輻射發(fā)射和輻射抗擾度的測(cè)量規(guī)定了在全電波

GB/T17626/,

暗室內(nèi)進(jìn)行的輻射發(fā)射和輻射抗擾度的試驗(yàn)程序

(FAR)。

注依據(jù)本部分是供相關(guān)產(chǎn)品委員會(huì)使用的電磁兼容基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)如導(dǎo)則所述產(chǎn)品委員

:GB/Z18509,,GB/Z18509,

會(huì)負(fù)責(zé)確定對(duì)其產(chǎn)品類標(biāo)準(zhǔn)的適用性及其分委員會(huì)例如

EMC,TC77/SAC/TC246、CISPR/SAC/TC79(,

已準(zhǔn)備好與產(chǎn)品委員會(huì)在標(biāo)準(zhǔn)制定和修訂的合作中一起來(lái)確定特定試驗(yàn)在具體產(chǎn)品中的

SAC/SC7)EMC

作用

。

本部分規(guī)定了在同一個(gè)全電波暗室進(jìn)行輻射發(fā)射測(cè)量與輻射抗擾度試驗(yàn)時(shí)的通用確認(rèn)程序受試

、

設(shè)備的試驗(yàn)布置要求以及全電波暗室測(cè)量方法詳見(jiàn)附錄和附錄

(EUT)(AB)。

作為電磁兼容基礎(chǔ)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)本部分對(duì)應(yīng)用于具體裝置或系統(tǒng)的抗擾度試驗(yàn)電平或發(fā)射限值不做

,

具體規(guī)定其主要目標(biāo)是為國(guó)內(nèi)相關(guān)產(chǎn)品委員會(huì)提供常規(guī)測(cè)量程序而針對(duì)產(chǎn)品的具體要求和試驗(yàn)條件

,,

由相應(yīng)的產(chǎn)品委員會(huì)來(lái)規(guī)定

。

本部分的方法適用于