第三課：內(nèi)存與硬盤

SDRAM:168針RDRAM：184針腳，RDRAM最初得到了英特爾的大力支持，但由于其高昂的價(jià)格以及Rambus公司的專利許可限制，一直未能成為市場(chǎng)主流，其地位被相對(duì)廉價(jià)而性能同樣出色的DDRSDRAM迅速取代，市場(chǎng)份額很小。DDRSDRAM內(nèi)存：184針，只有一個(gè)缺口。有DDR266DDR333、DDR400等一：內(nèi)存的傳輸類型DDR2：內(nèi)存是240線的DDR2內(nèi)存采用1.8V電壓，相對(duì)于DDR標(biāo)準(zhǔn)的2.5VDDR3：240線，電壓：1.7-1.5V。采用：FBGA

的封裝。一：內(nèi)存圖解1：我們平常所說(shuō)的內(nèi)存是指RAM，其主要作用是存放各種輸入.輸出數(shù)據(jù)和中間計(jì)算結(jié)果，以及與外部存儲(chǔ)器交換信息時(shí)做緩存用的。由于CPU只能直接處理內(nèi)存中的數(shù)據(jù)，所以內(nèi)存的速度和大小對(duì)計(jì)算機(jī)性能的影響是相當(dāng)大的。2：SPD是一顆8針的EEPROM（電可擦寫可編程只讀存儲(chǔ)器）芯片，芯片內(nèi)記錄了該內(nèi)存的許多重要信息。3：獨(dú)特的TinyBGA封裝，與傳統(tǒng)的TSOP封裝相比，T-BGA封裝有更好的電器性能，可以應(yīng)付更高的運(yùn)行頻率。4：PCB印刷電路板是內(nèi)存顆粒固定和連接外部電路的基板，PCB板的質(zhì)量會(huì)對(duì)內(nèi)存的性能產(chǎn)生直接的影響。5：存儲(chǔ)顆粒是內(nèi)存的核心元件，決定內(nèi)存的容量.規(guī)格.性能等重要參數(shù)，表面印刷有生產(chǎn)廠家.編號(hào)等信息。內(nèi)存顆粒有多種封裝方式，目前較新的是BGA封裝方式。DDR1采用TSOP封裝類型幾種封裝方式的比較TSOP封裝：80年代后期內(nèi)存第二代的封裝技術(shù)TSOP出現(xiàn)，得到了業(yè)界廣泛的認(rèn)可，時(shí)至今日仍舊是內(nèi)存封裝的主流技術(shù)。TSOP是“ThinSmallOutlinePackage”的縮寫，意思是薄型小尺寸封裝。適合高頻應(yīng)用，操作比較方便，可靠性也比較高。同時(shí)TSOP封裝具有成品率高，價(jià)格便宜等優(yōu)點(diǎn)，因此得到了極為廣泛的應(yīng)用。TSOP封裝方式中，內(nèi)存芯片是通過(guò)芯片引腳焊接在PCB板上的，焊點(diǎn)和PCB板的接觸面積較小，使得芯片向PCB辦傳熱就相對(duì)困難。而且TSOP封裝方式的內(nèi)存在超過(guò)150MHz后，會(huì)產(chǎn)品較大的信號(hào)干擾和電磁干擾。DIP封裝（DualIn-linePackage），也叫雙列直插式封裝技術(shù)，是一種最簡(jiǎn)單的封裝方式.指采用雙列直插形式封裝的集成電路芯片，絕大多數(shù)中小規(guī)模集成電路均采用這種封裝形式，其引腳數(shù)一般不超過(guò)100。80年代前期。BGA封裝：以圓形或柱狀焊點(diǎn)按陣列形式分布在封裝下面，BGA技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是I/O引腳數(shù)雖然增加了，但引腳間距并沒(méi)有減小反而增加了，從而提高了組裝成品率；雖然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，從而可以改善它的電熱性能；厚度和重量都較以前的封裝技術(shù)有所減少；寄生參數(shù)減小，信號(hào)傳輸延遲小，使用頻率大大提高；組裝可用共面焊接，可靠性高。FBGA：也稱CSP封裝，它是最新一代的內(nèi)存芯片封裝技術(shù)，其技術(shù)性能又有了新的提升。CSP封裝可以讓芯片面積與封裝面積之比超過(guò)1:1.14，已經(jīng)相當(dāng)接近1:1的理想情況，絕對(duì)尺寸也僅有32平方毫米，約為普通的BGA的1/3，僅僅相當(dāng)于TSOP內(nèi)存芯片面積的1/6。與BGA封裝相比，同等空間下CSP封裝可以將存儲(chǔ)容量提高三倍。什么叫封裝？封裝，就是指把硅片上的電路管腳,用導(dǎo)線接引到外部接頭處,以便與其它器件連接.封裝形式是指安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的外殼。它不僅起著安裝、固定、密封、保護(hù)芯片及增強(qiáng)電熱性能等方面的作用，而且還通過(guò)芯片上的接點(diǎn)用導(dǎo)線連接到封裝外殼的引腳上，這些引腳又通過(guò)印刷電路板上的導(dǎo)線與其他器件相連接，從而實(shí)現(xiàn)內(nèi)部芯片與外部電路的連接。因?yàn)樾酒仨毰c外界隔離，以防止空氣中的雜質(zhì)對(duì)芯片電路的腐蝕而造成電氣性能下降。另一方面，封裝后的芯片也更便于安裝和運(yùn)輸。由于封裝技術(shù)的好壞還直接影響到芯片自身性能的發(fā)揮和與之連接的PCB(印制電路板)的設(shè)計(jì)和制造，因此它是至關(guān)重要的。

衡量一個(gè)芯片封裝技術(shù)先進(jìn)與否的重要指標(biāo)是芯片面積與封裝面積之比，這個(gè)比值越接近1越好。封裝時(shí)主要考慮的因素：

1、芯片面積與封裝面積之比為提高封裝效率，盡量接近1：1；

2、引腳要盡量短以減少延遲，引腳間的距離盡量遠(yuǎn)，以保證互不干擾，提高性能；

3、基于散熱的要求，封裝越薄越好。封裝大致經(jīng)過(guò)了如下發(fā)展進(jìn)程：材料方面：金屬、陶瓷－>陶瓷、塑料－>塑料；

引腳形狀：長(zhǎng)引線直插－>短引線或無(wú)引線貼裝－>球狀凸點(diǎn)；

裝配方式：通孔插裝－>表面組裝－>直接安裝二：內(nèi)存的封裝技術(shù)三：內(nèi)存的電壓內(nèi)存正常工作所需要的電壓值，不同類型的內(nèi)存電壓也不同，但各自均有自己的規(guī)格，超出其規(guī)格，容易造成內(nèi)存損壞。SDRAM內(nèi)存一般工作電壓都在3.3伏左右，上下浮動(dòng)額度不超過(guò)0.3伏；DDRSDRAM內(nèi)存一般工作電壓都在2.5伏左右，上下浮動(dòng)額度不超過(guò)0.2伏；DDR2SDRAM內(nèi)存的工作電壓一般在1.8V左右。DDR3SDRAM內(nèi)存的工作電壓一般在1.5V左右。最高1.7V。具體到每種品牌、每種型號(hào)的內(nèi)存，則要看廠家了，但都會(huì)遵循SDRAM內(nèi)存3.3伏、DDRSDRAM內(nèi)存2.5伏、DDR2SDRAM內(nèi)存1.8伏、DDR3SDRAM內(nèi)存1.5V的基本要求，在允許的范圍內(nèi)浮動(dòng)。略微提高內(nèi)存電壓，有利于內(nèi)存超頻，但是同時(shí)發(fā)熱量大大增加，因此有損壞硬件的風(fēng)險(xiǎn)。四：內(nèi)存主頻內(nèi)存主頻和CPU主頻一樣，習(xí)慣上被用來(lái)表示內(nèi)存的速度，它代表著該內(nèi)存所能達(dá)到的最高工作頻率。內(nèi)存主頻是以MHz（兆赫）為單位來(lái)計(jì)量的。內(nèi)存主頻越高在一定程度上代表著內(nèi)存所能達(dá)到的速度越快。內(nèi)存主頻決定著該內(nèi)存最高能在什么樣的頻率正常工作。目前較為主流的內(nèi)存頻率：DDR：333MHz400MHzDDR2：667MHz800MHz1066MHzDDR3：1066MHz1333MHz1600MHz1866MHz2000MHz如何從外觀上區(qū)分DDR，DDR2的內(nèi)存

DDR和DDR2內(nèi)存相信大家都會(huì)很熟悉，現(xiàn)在以DDR2為核心技術(shù)的內(nèi)存各方達(dá)到成熟而成為主流。性能方面比起上一代DDR來(lái)也提高了一倍。而價(jià)格方面主要是因?yàn)镈DR內(nèi)存逐漸退出了市場(chǎng)，商家的庫(kù)存量相對(duì)于注流的DDR2來(lái)說(shuō)要少，所以DDR內(nèi)存價(jià)格上要比DDR2要高出一些。

下面就言歸正傳吧，給大家介紹一下如何從外觀上區(qū)分DDR和DDR2內(nèi)存，以便大家購(gòu)買。下面就圖文并茂的方式給大家介紹一下區(qū)分方法。

1.看針腳

DDR內(nèi)存的針腳為184PIN，而DDR2內(nèi)存的針腳為240PIN，也就是說(shuō)DDR2的針腳在外觀上看明顯比DDR內(nèi)存的針腳要密些，如下圖紅框所示所示。

紅框中上面的是DDR2內(nèi)存針腳，下面的是DDR內(nèi)存針腳

2.看內(nèi)存顆粒

DDR的內(nèi)存顆粒比較大，形狀呈長(zhǎng)方形，而DDR2內(nèi)存顆粒大多為比較下，形狀呈正方形，如上圖黃色框內(nèi)的所示。

在外觀上的區(qū)分方法大體就這樣，希望能對(duì)你有幫助，知道內(nèi)存怎么分辨了那么也要知道主板內(nèi)存插槽如何分辨是支持DDR還是支持DDR2才能事半功倍啊，那么下面部落就叫你一個(gè)簡(jiǎn)單的辦法分辨主板內(nèi)存插槽怎么分辨。

分辨主板內(nèi)存插槽

DDR3內(nèi)存采用1.5V電壓,DDR2內(nèi)存采用1.8V電壓，相對(duì)于DDR標(biāo)準(zhǔn)的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發(fā)熱量，這一點(diǎn)的變化是意義重大的，如下圖所以。

上面黃色的插槽為DDR2插槽，下面紅色的插槽為DDR插槽。DDR:DDR2:DDR3:各內(nèi)存條的缺口五：金手指金手指（connectingfinger）是內(nèi)存條上與內(nèi)存插槽之間的連接部件，所有的信號(hào)都是通過(guò)金手指進(jìn)行傳送的。金手指由眾多金黃色的導(dǎo)電觸片組成，因其表面鍍金而且導(dǎo)電觸片排列如手指狀，所以稱為“金手指”。金手指實(shí)際上是在覆銅板上通過(guò)特殊工藝再覆上一層金，因?yàn)榻鸬目寡趸詷O強(qiáng)，而且傳導(dǎo)性也很強(qiáng)。不過(guò)因?yàn)榻鸢嘿F的價(jià)格，目前較多的內(nèi)存都采用鍍錫來(lái)代替，從上個(gè)世紀(jì)90年代開始錫材料就開始普及，目前主板、內(nèi)存和顯卡等設(shè)備的“金手指”幾乎都是采用的錫材料，只有部分高性能服務(wù)器工作站的配件接觸點(diǎn)才會(huì)繼續(xù)采用鍍金的做法，價(jià)格自然不菲。六：主流內(nèi)存品牌金士頓、金邦、海盜船、威剛、三星、宇瞻等175元.300左右常見(jiàn)的劣質(zhì)內(nèi)存經(jīng)常是芯片標(biāo)識(shí)模糊或混亂，印刷電路板毛糙，金手指色澤晦暗，電容歪歪扭扭如手焊一般，焊點(diǎn)不干凈利落。正品的芯片表面一般都很有質(zhì)感，要么有光澤或熒光感要么就是亞光的，而打磨條芯片因?yàn)榇蚰サ脑虮砻鏁?huì)色澤不純甚至比較粗糙、發(fā)毛。

筆記本內(nèi)存的安裝硬盤硬盤相關(guān)參數(shù)含義一：硬盤的接口類型：硬盤接口是硬盤與主機(jī)系統(tǒng)間的連接部件，作用是在硬盤緩存和主機(jī)內(nèi)存之間傳輸數(shù)據(jù)。不同的硬盤接口決定著硬盤與計(jì)算機(jī)之間的連接速度，在整個(gè)系統(tǒng)中，硬盤接口的優(yōu)劣直接影響著程序運(yùn)行快慢和系統(tǒng)性能好壞。從整體的角度上，硬盤接口分為IDE、SATA、SCSI和光纖通道四種，IDE接口硬盤多用于家用產(chǎn)品中，也部分應(yīng)用于服務(wù)器，SCSI接口的硬盤則主要應(yīng)用于服務(wù)器市場(chǎng)，而光纖通道只在高端服務(wù)器上，價(jià)格昂貴。SATA是種新生的硬盤接口類型，還正出于市場(chǎng)普及階段，在家用市場(chǎng)中有著廣泛的前景。SCSI服務(wù)器接口硬盤1：IDE接口：IDE的英文全稱為“IntegratedDriveElectronics”，即“電子集成驅(qū)動(dòng)器”，IDE這一接口技術(shù)從誕生至今就一直在不斷發(fā)展，性能也不斷的提高，其擁有的價(jià)格低廉、兼容性強(qiáng)的特點(diǎn)，為其造就了其它類型硬盤無(wú)法替代的地位。2：SATA：SATA（SerialATA）口的硬盤又叫串口硬盤，是未來(lái)PC機(jī)硬盤的趨勢(shì)。2001年，由Intel、APT、Dell、IBM、希捷、邁拓這幾大廠商組成的SerialATA委員會(huì)正式確立了SerialATA1.0規(guī)范，2002年，雖然串行ATA的相關(guān)設(shè)備還未正式上市，但SerialATA委員會(huì)已搶先確立了SerialATA2.0規(guī)范。SerialATA采用串行連接方式，串行ATA總線使用嵌入式時(shí)鐘信號(hào)，具備了更強(qiáng)的糾錯(cuò)能力，與以往相比其最大的區(qū)別在于能對(duì)傳輸指令（不僅僅是數(shù)據(jù)）進(jìn)行檢查，如果發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤會(huì)自動(dòng)矯正，這在很大程度上提高了數(shù)據(jù)傳輸?shù)目煽啃?。串行接口還具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、支持熱插拔的優(yōu)點(diǎn)。二、硬盤轉(zhuǎn)速：轉(zhuǎn)速(RotationlSpeed)，是硬盤內(nèi)電機(jī)主軸的旋轉(zhuǎn)速度，也就是硬盤盤片在一分鐘內(nèi)所能完成的最大轉(zhuǎn)數(shù)。轉(zhuǎn)速的快慢是標(biāo)示硬盤檔次的重要參數(shù)之一，它是決定硬盤內(nèi)部傳輸率的關(guān)鍵因素之一，在很大程度上直接影響到硬盤的速度。硬盤的轉(zhuǎn)速越快，硬盤尋找文件的速度也就越快，相對(duì)的硬盤的傳輸速度也就得到了提高。硬盤轉(zhuǎn)速以每分鐘多少轉(zhuǎn)來(lái)表示，單位表示為RPM，RPM是RevolutionsPerminute的縮寫，是轉(zhuǎn)/每分鐘。RPM值越大，內(nèi)部傳輸率就越快，訪問(wèn)時(shí)間就越短，硬盤的整體性能也就越好。

硬盤的主軸馬達(dá)帶動(dòng)盤片高速旋轉(zhuǎn)，產(chǎn)生浮力使磁頭飄浮在盤片上方。要將所要存取資料的扇區(qū)帶到磁頭下方，轉(zhuǎn)速越快，則等待時(shí)間也就越短。因此轉(zhuǎn)速在很大程度上決定了硬盤的速度。

家用的普通硬盤的轉(zhuǎn)速一般有5400rpm、7200rpm兩種，7200rpm高轉(zhuǎn)速硬盤也是現(xiàn)在臺(tái)式機(jī)用戶的首選；而對(duì)于筆記本用戶則是4200rpm、5400rpm為主，但7200rpm的筆記本硬盤，但在市場(chǎng)也較多；服務(wù)器用戶對(duì)硬盤性能要求最高，服務(wù)器中使用的SCSI硬盤轉(zhuǎn)速基本都采用10000rpm，甚至還有15000rpm的，性能要超出家用產(chǎn)品很多。三：硬盤容量：硬盤容量的單位為兆字節(jié)（ＭＢ）或千兆字節(jié)（ＧＢ），目前的主流硬盤容量為120GB、160GB、200GB、250GB、300GB、320GB、500GB、640GB、750GB、1000GB、1.5TB，影響硬盤容量的因素有單碟容量和碟片數(shù)量。許多人發(fā)現(xiàn)，計(jì)算機(jī)中顯示出來(lái)的容量往往比硬盤容量的標(biāo)稱值要小，這是由于不同的單位轉(zhuǎn)換關(guān)系造成的。我們知道，在計(jì)算機(jī)中１ＧＢ＝１０２４ＭＢ，而硬盤廠家通常是按照１Ｇ＝１０００ＭＢ進(jìn)行換算的。以120GB的硬盤為例：

廠商容量計(jì)算方法：120GB＝120,000MB＝120，000，000KB＝120，000，000，000字節(jié)

換算成操作系統(tǒng)計(jì)算方法：120，000，000，000字節(jié)/1024＝117,187,500KB/1024＝114，440.91796875MB＝114GB。（硬