GB/T 26218.2-2010污穢條件下使用的高壓絕緣子的選擇和尺寸確定第2部分：交流系統(tǒng)用瓷和玻璃絕緣子

ICS2908010

K48..

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T262182—2010

代替.

GB/T5582—1993,GB/T16434—1996

污穢條件下使用的高壓絕緣子

的選擇和尺寸確定

第2部分交流系統(tǒng)用瓷和玻璃絕緣子

:

Selectionanddimensioningofhigh-voltageinsulatorsintended

foruseinpollutedconditions—

Part2Ceramicandglassinsulatorsforacsystems

:..

(IEC/TS60815-2:2008,MOD)

2011-01-14發(fā)布2011-07-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T262182—2010

.

目次

前言…………………………

Ⅰ

范圍和目的………………

11

規(guī)范性引用文件…………………………

21

術(shù)語和定義縮略語………………………

3、1

原理………………………

42

材料………………………

52

現(xiàn)場(chǎng)污穢度的測(cè)定………………………

62

參考統(tǒng)一爬電比距的確定……………………

7(RUSCD)3

外形的選擇………………

83

外形參數(shù)的核對(duì)…………………………

98

的校正………………………

10RUSCD11

需求的最小公稱爬電距離的確定……………………

1112

試驗(yàn)驗(yàn)證………………

1212

附錄資料性附錄本部分與的技術(shù)差異及其原因………

A()IEC/TS60815-2:200814

參考文獻(xiàn)……………………

15

GB/T262182—2010

.

前言

污穢條件下使用的高壓絕緣子的選擇和尺寸確定分為個(gè)部分

GB/T26218《》5:

第部分定義信息和一般原則

———1:、

第部分交流系統(tǒng)用瓷和玻璃絕緣子

———2:

第部分交流系統(tǒng)用聚合物絕緣子

———3:

第部分直流系統(tǒng)用瓷和玻璃絕緣子

———4:

第部分直流系統(tǒng)用聚合物絕緣子

———5:

本部分為的第部分

GB/T262182。

本部分修改采用了污穢條件下使用的高壓絕緣子的選擇和尺寸確定第

IEC/TS60815-2:2008《2

部分交流系統(tǒng)用瓷和玻璃絕緣子英文版

:》()。

本部分與相比在中增加了雙層傘外形在圖中增加了示出雙層傘盤形懸式

IEC/TS60815-2,8.1,

外形的圖將中交替?zhèn)阒械娜龑觽惚P形懸式與雙層傘盤形懸式列入同一類型

7,IEC/TS60815-2。

考慮到我國國情在采用時(shí)本部分還作了一些修改有關(guān)技術(shù)性差異已編

,IEC/TS60815-1:2008,。

入正文并在它們所涉及的條款的頁邊空白處用垂直單線標(biāo)識(shí)在附錄中給出了這些技術(shù)性差

(︱)。A

異及其原因的一覽表以供參考

。

為便于使用本部分還做了下列編輯性修改

,:

本技術(shù)規(guī)范一詞改為本部分

a)“”“”;

用小數(shù)點(diǎn)代替作為小數(shù)點(diǎn)的逗號(hào)

b)“.”“,”;

刪除的前言

c)IEC/TS60815-1:2008;

將的編號(hào)改為將的編號(hào)改為將的編號(hào)改為

d)3.23.1.1,3.33.1.2,3.43.2。

除上述中的編輯性修改和增加了附錄外本部分其余章條編號(hào)和

d)A,IEC/TS60815-2:2008

一致

。

第部分和本部分涵蓋了和所有的技術(shù)內(nèi)容本部分與和

1GB/T5582—1993。GB/T5582—1993

相比相關(guān)的技術(shù)內(nèi)容變化如下

GB/T16434—1996,:

本部分規(guī)定了的確定方法和較全面的對(duì)其校正的方法和

RUSCD。GB/T5582—1993GB/T16434—

雖然都規(guī)定了爬電比距分級(jí)數(shù)值與本部分規(guī)定的意義相同但均未規(guī)定按外形適應(yīng)

1996(RUSCD),

性外形參數(shù)以及按海拔絕緣子直徑校正爬電比距的方法

、、、。

本部分規(guī)定了較全面的人工污穢試驗(yàn)參數(shù)雖然規(guī)定了人工污穢耐受值與本

。GB/T5582—1993(

部分規(guī)定的意義相同但僅涉及了固體層法未規(guī)定鹽霧法而且在固體層法中只考慮了

RUSCD),,。

未考慮未規(guī)定人工污穢試驗(yàn)參數(shù)

ESDD,NSDD。GB/T16434—1996。

的第部分與和相關(guān)的技術(shù)內(nèi)容變化見該部

GB/T262181GB/T5582—1993GB/T16434—1996

分的前言

。

本部分和第部分代替高壓電力設(shè)備外絕緣污穢等級(jí)

1GB/T5582—1993《》、GB/T16434—1996

高壓架空線路和發(fā)電廠變電所環(huán)境污穢分級(jí)及外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn)

《、》。

本部分的附錄為資料性附錄

A。

本部分由中國電器工業(yè)協(xié)會(huì)提出

。

本部分由全國絕緣子標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)歸口

(SAC/TC80)。

本部分起草單位西安高壓電器研究院有限責(zé)任公司西安電瓷研究所重慶大學(xué)清華大學(xué)國網(wǎng)電

:、、、

Ⅰ

GB/T262182—2010

.

力科學(xué)研究院中國電力科學(xué)研究院南方電網(wǎng)超高壓輸電公司蘇州電瓷廠有限公司唐山高壓電瓷有

、、、、

限公司唐山電瓷有限公司自貢賽迪維爾有限公司西安西電高壓電瓷有限責(zé)任公司南京電氣

、NGK、、、

集團(tuán)有限公司大連電瓷有限公司浙江電力試驗(yàn)研究院

()、、。

本部分主要起草人李大楠姚君瑞舒立春梁曦東蔣興良楊迎建吳光亞宿志一范建斌

:、、、、、、、、、

肖勇陸洲楊明董剛何勇王衛(wèi)國石玉秉張繼軍葉自強(qiáng)王云鵬

、、、、、、、、、。

Ⅱ

GB/T262182—2010

.

污穢條件下使用的高壓絕緣子

的選擇和尺寸確定

第2部分交流系統(tǒng)用瓷和玻璃絕緣子

:

1范圍和目的

的本部分適用于污穢條件下交流系統(tǒng)用瓷和玻璃絕緣子的選擇和尺寸確定本部分

GB/T26218。

規(guī)定了所設(shè)定絕緣子在一定污穢環(huán)境下得出其可能性能的判斷方法的特定導(dǎo)則和原理

。

適用于本部分本部分的結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)以及方法在有詳細(xì)的說明

GB/T26218.1。GB/T26218.1。

本部分提供給使用者的目的在于

:

從現(xiàn)場(chǎng)污穢度等級(jí)確定參考統(tǒng)一爬電比距

●(SPS)(USCD);

評(píng)定各種絕緣子外形的適宜性

●;

對(duì)就絕緣子形狀尺寸和位置等實(shí)施校正以確定必需的

●RUSCD、USCD;

如有要求確定驗(yàn)證所選取絕緣子性能的適當(dāng)?shù)脑囼?yàn)方法和參數(shù)

●,。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過的本部分的引用而成為本部分的條款凡是注日期的引用文件

GB/T26218。,

其隨后所有的修改單不包括勘誤的內(nèi)容或修訂版均不適用于本部分然而鼓勵(lì)根據(jù)本部分達(dá)成協(xié)議的

(),,

各方研究是否可使用這些文件的最新版本凡是不注日期的引用文件其最新版本適用于本部分

。,。

電工術(shù)語絕緣子

GB/T2900.8(GB/T2900.8—2009,IEC60050-471:2007,IDT)

交流系統(tǒng)用高壓絕緣子的人工污穢試驗(yàn)

GB/T4585(GB/T4585—2004,IEC60507:1991,IDT)

污穢條件下使用的高壓絕緣子的選擇和尺寸確定第部分定義信息和一般

GB/T26218.11:、

原則

(GB/T26218.1—2010,IEC/TS60815-1:2008,MOD)

3術(shù)語和定義縮略語

、

下列術(shù)語和定義縮略語適用于本部分

、。

31術(shù)語和定義

.

下面給出的定義是中沒有出現(xiàn)的或者是與中的不同的