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*1電子元器件及常用電子材料1.電阻器2.電容器3.電感器5.二極管6.三極管7.集成電路8.繼電器9.開關(guān)10.接插件11.電子材料4.變壓器*2一.電阻器①電阻器的分類及特點(diǎn)薄膜類合金類合成類敏感類金屬膜電阻(RJ)金屬氧化膜電阻(RY)碳膜電阻(RT)繞線電阻(RX)精密合金箔電阻(RJ)金屬玻璃釉電阻(RI)實(shí)心電阻(RS)合成膜電阻(RH)厚膜電阻排光敏、熱敏、氣敏、磁敏、壓敏、……1.電阻器*3②常用電阻器的標(biāo)注方法直標(biāo)法文字符號(hào)法色標(biāo)法RXYC-50-T-1K5-±10%玻璃釉線繞電位器,功率50W,阻值1.5KΩ,誤差±10%a.直接標(biāo)示,如1.2KΩ1W±10%b.級(jí)數(shù)標(biāo)示,如100=10×100=100Ω如223=22×103=22KΩ如3R9=3.9Ωa.四色環(huán)法,蘭灰橙金=68×103=68KΩ±5%b.五色環(huán)法,棕黑綠棕棕=105×101=1050Ω

±1%一.電阻器1.電阻器*41.電阻器②常用電阻器的標(biāo)注方法一.電阻器顏色顏色示例有效數(shù)字乘數(shù)允許偏差%銀色-10-2±10金色-10-1±5黑色0100-棕色1101±1紅色2102±2橙色3103-黃色4104-綠色5105±0.5藍(lán)色6106±0.25紫色7107±0.1灰色8108-白色9109+50,-20無色--±20*5一.電阻器*61.電阻器③電阻的選擇標(biāo)稱阻值系列標(biāo)稱功率系列一.電阻器E24E12E6*72.電位器有機(jī)實(shí)芯電位器線繞電位器合成膜電位器①電位器的分類及特點(diǎn)多圈電位器一.電阻器*82.電位器②電位器的性能指標(biāo)一.電阻器*91.固定電容器瓷介電容器云母電容器有機(jī)薄膜電容器①電容器的分類及特點(diǎn)電解電容器二.電容器*101.固定電容器標(biāo)稱電容量溫度范圍損耗角正切②電容器的參數(shù)使用壽命絕緣電阻使用耐壓二.電容器*111.固定電容器直接標(biāo)注法色碼標(biāo)注法②電容器的標(biāo)注方法數(shù)碼標(biāo)注法104=10×104pF=0.1uF黃紫紅銀=47×104pF二.電容器*121.固定電容器③電容器的性能二.電容器*131.固定電容器④電容器的標(biāo)稱值二.電容器*142.可變電容器①空氣可變電容器二.電容器*152.可變電容器②薄膜可變電容器二.電容器*161.固定電感器扼流圈調(diào)諧電感環(huán)行線圈①電感器的分類及特點(diǎn)天線線圈三.電感器*171.固定電感器③電感器的色環(huán)標(biāo)示方式紅紅黑銀=22×100=22uH三.電感器*182.可變電感器三.電感器*19E型C型環(huán)形①電源變壓器的結(jié)構(gòu)形式R型四.變壓器*20變壓器的變比變壓器的輸入功率變壓器的效率②電源變壓器的主要性能指標(biāo)四.變壓器*21整流二極管光電二極管檢波二極管穩(wěn)壓二極管變?nèi)荻O管發(fā)光二極管①二極管的類型五.二極管肖特基二極管快恢復(fù)二極管*22a.普通二極管的測(cè)試②二極管的測(cè)試極性判斷材料判斷好壞判斷五.二極管電阻R×100或R×1K檔位Si:正向電阻4K~10KSi:反向電阻500K~∞Ge:正向電阻1K~6KGe:反向電阻100K~1M*23a.普通二極管的測(cè)試②二極管的測(cè)試極性判斷材料判斷好壞判斷五.二極管二極管測(cè)試檔(有的與通斷測(cè)試公用)Si:正向壓降0.5~0.7~0.8VSi:反向壓降∞(OL)Ge:正向壓降0.1~0.2~0.3VGe:反向壓降∞(OL)*24a.普通二極管的測(cè)試②二極管的測(cè)試五.二極管極性判斷材料判斷好壞判斷b.穩(wěn)壓二極管的測(cè)試*25a.普通二極管的測(cè)試②二極管的測(cè)試五.二極管極性判斷材料判斷好壞判斷b.穩(wěn)壓二極管的測(cè)試c.發(fā)光二極管的測(cè)試*26a.普通二極管的測(cè)試②二極管的測(cè)試五.二極管極性判斷材料判斷好壞判斷b.穩(wěn)壓二極管的測(cè)試c.發(fā)光二極管的測(cè)試Fluke18B新型數(shù)字萬用表

*271.半導(dǎo)體三極管(雙極性)NPN、PNP三極管電壓放大、功率放大、開關(guān)三極管小功率、中功率、大功率三極管低頻、高頻三極管硅、鍺三極管①三極管的類型六.三極管*281.半導(dǎo)體三極管(雙極性)共發(fā)射極交流放大系數(shù)β最大集電極電流ICM②三極管的主要參數(shù)最大允許耗散功率PCM最大集-發(fā)擊穿電壓U(BR)CEO最大集-基反向電流ICBO最大集-發(fā)反向電流ICEO共發(fā)射極特征頻率fT六.三極管*291.半導(dǎo)體三極管(雙極性)達(dá)林頓三極管:復(fù)合三極管,有極大的電流放大系數(shù)。③特殊三極管TIP140/141/142MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors?HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,IC=5A(Min)?IndustrialUse?ComplementtoTIP145/146/147六.三極管*301.半導(dǎo)體三極管(雙極性)IGBT三極管:絕緣柵雙極型功率管,是由BJT和MOS組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。③特殊三極管六.三極管*311.半導(dǎo)體三極管(雙極性)光敏三極管:復(fù)合三極管,基極復(fù)合光敏二極管。③特殊三極管3DU31

六.三極管*321.半導(dǎo)體三極管(雙極性)光電耦合器:復(fù)合三極管,發(fā)光二極管與光敏三極管復(fù)合。③特殊三極管六.三極管*331.半導(dǎo)體三極管(雙極性)④三極管的選用與代換(1)三極管的選用原則根據(jù)電路需要,應(yīng)使其特征頻率高于電路工作頻率的3~10倍,但不能太高否則將引起高頻振蕩。三極管的β值應(yīng)選擇適中,一般選30~200為宜。β值太低,電路的放大能力差;過高又可能使管子工作不穩(wěn)定,造成電路的噪聲增大。反向擊穿電壓U(BR)CEO。應(yīng)大于電源電壓。在常溫下,集電極耗散功率PCM應(yīng)選擇適中。若選小了會(huì)因管子過熱而燒毀;選大了又會(huì)造成浪費(fèi)。(2)三極管的代換原則新?lián)Q三極管的極限參數(shù)應(yīng)等于或大于原三極管;性能好的三極管可代替性能差的,如β值高的可代替β值低的,穿透電流小的可代換穿透電流大的;在耗散功率允許的情況下,可用高頻管代替低頻管,如3DG型可代替3DX型。六.三極管*341.半導(dǎo)體三極管(雙極性)⑤三極管的測(cè)試基極和管型的判斷管子還壞的判斷六.三極管*351.半導(dǎo)體三極管(雙極性)⑤三極管的測(cè)試基極和管型的判斷管子還壞的判斷六.三極管*362.場(chǎng)效應(yīng)管(單極性)N溝道、P溝道場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型(JFET)、絕緣柵(MOST)型場(chǎng)效應(yīng)管耗盡型、增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管①場(chǎng)效應(yīng)管的類型六.三極管*372.場(chǎng)效應(yīng)管(單極性)②場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)(IRF740為例)六.三極管*382.場(chǎng)效應(yīng)管(單極性)②場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)(IRF740為例)六.三極管*392.場(chǎng)效應(yīng)管(單極性)③結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試六.三極管測(cè)試結(jié)果:DG、DS正反向電阻對(duì)稱(與硅二極管相似),DS(一般可以互換)電阻:幾百~幾千歐。*402.場(chǎng)效應(yīng)管(單極性)④絕緣柵(增強(qiáng)型V-NMOS)場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試六.三極管*412.場(chǎng)效應(yīng)管(單極性)a.柵極的測(cè)試六.三極管MOS管柵極與漏、源兩極之間絕緣阻值很高,因此在測(cè)試過程中G-D、G-S之間均表現(xiàn)出很高的電阻值。*422.場(chǎng)效應(yīng)管(單極性)b.DS的測(cè)試方法1六.三極管D-S極之間有續(xù)流二極管:D-S之間正向電阻大,反向電阻小*432.場(chǎng)效應(yīng)管(單極性)b.DS的測(cè)試方法2(短路GDS之后測(cè)試)六.三極管D-S極之間電阻減小D-S極之間電阻增大*442.場(chǎng)效應(yīng)管(單極性)

選擇場(chǎng)效應(yīng)管要適應(yīng)電路的要求,當(dāng)信號(hào)源內(nèi)阻高,希望得到好的放大作用和較低的噪聲系數(shù)時(shí);當(dāng)信號(hào)為超高頻和要求低噪聲時(shí);當(dāng)信號(hào)為弱信號(hào)且要求低電流運(yùn)行時(shí);當(dāng)要求作為雙向?qū)щ姷拈_關(guān)等場(chǎng)合,都可以優(yōu)先選用場(chǎng)效應(yīng)管。

使用場(chǎng)效應(yīng)管的注意事項(xiàng)有:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵源電壓不能反接,但可以在開路狀態(tài)下保存。MOS場(chǎng)效應(yīng)管在不使用時(shí),最好將各極引線短路。焊接時(shí),應(yīng)將電烙鐵外殼接地,以防止由于烙鐵帶電而損壞管子。不允許在電源接通的情況下拆裝場(chǎng)效應(yīng)管。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管可用萬用表定性檢查管子的質(zhì)量,而絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管則不能用萬用表檢查,必須用測(cè)試儀,測(cè)試儀需有良好的接地裝置,以防止絕緣柵擊穿。⑤場(chǎng)效應(yīng)管的選擇和使用六.三極管*45

集成電路按功能可分為數(shù)字集成電路和模擬集成電路兩大類;按其制作工藝可分為半導(dǎo)體集成電路、薄膜集成電路、厚膜集成電路和混合集成電路等;按其集成度可分為小規(guī)模集成電路(SSI)、中規(guī)模集成電路(MSI)、大規(guī)模集成電路(LSI)和超大規(guī)模集成電路(VLSI),它表示了在一個(gè)硅基片上所制造的元器件的數(shù)目。

半導(dǎo)體集成電路的封裝形式多種多樣,按照封裝材料大致可以分為金屬、陶瓷、塑料、貼片等封裝。常見的半導(dǎo)體集成電路的封裝形式如圖所示。七.半導(dǎo)體集成電路*46七.半導(dǎo)體集成電路*47①數(shù)字集成電路(TTL、ECL、HTL、COMS、74HC)74HC00高速四—二輸入與非門74LS00低速四—二輸入與非門七.半導(dǎo)體集成電路*48COMS與TTL的參數(shù)比較七.半導(dǎo)體集成電路*49COMS與TTL的參數(shù)比較七.半導(dǎo)體集成電路*50②模擬集成電路(集成運(yùn)放、穩(wěn)壓器、功率放大器、比較器)a.集成運(yùn)放的主要技術(shù)指標(biāo)輸入失調(diào)電流IIO輸入失調(diào)電壓UIO輸人偏置電流IB開環(huán)電壓放大倍數(shù)Aod開環(huán)差模輸人電阻rid開環(huán)輸出電阻ro共模抑制比CMRR最大差模輸人電壓VidM和最大共模輸入電壓VicM最大輸出電壓UOM最大輸出電流IOM輸入失調(diào)電壓溫度飄移dUIO/dT和失調(diào)電流溫度漂移dIIO/dT電源功耗PD開環(huán)頻帶寬度fH和單位增益帶寬fC轉(zhuǎn)換速率SR七.半導(dǎo)體集成電路*51b.集成運(yùn)放的分類高阻型運(yùn)算放大器(LF356、LF355、LF347、CA3140)通用型運(yùn)算放大器(LM324、uA741、LM358)低漂移型運(yùn)算放大器(OP07、OP27、ICL7650)高速型運(yùn)算放大器(LM318、uA715)低功耗型運(yùn)算放大器(TL022C、TL060C、ICL7600)高壓大功率型運(yùn)算放大器(多數(shù)功放IC、D41、uA791)七.半導(dǎo)體集成電路*52c.集成運(yùn)放的使用要點(diǎn)雙電源供電方式信號(hào)可直接加到輸入腳,輸出幅度可達(dá)到正負(fù)電源電壓。但注意輸入直流平衡問題。七.半導(dǎo)體集成電路*53c.集成運(yùn)放的使用要點(diǎn)單電源供電方式輸入輸出均加隔直電容,幅度可達(dá)到電源電壓的一半。注意輸入直流平衡問題。七.半導(dǎo)體集成電路*54c.集成運(yùn)放的使用要點(diǎn)集成運(yùn)放調(diào)零問題用于補(bǔ)償輸入失調(diào)對(duì)輸出的影響,使靜態(tài)時(shí)開環(huán)輸出為0(或1/2Vcc)七.半導(dǎo)體集成電路*55c.集成運(yùn)放的使用要點(diǎn)集成運(yùn)放自激問題C用于消除運(yùn)放在深度負(fù)反饋下可能的自激問題。七.半導(dǎo)體集成電路*56c.集成運(yùn)放的使用要點(diǎn)集成運(yùn)放的保護(hù)問題電源保護(hù)輸入保護(hù)輸出保護(hù)七.半導(dǎo)體集成電路*57d.常用集成運(yùn)放的型號(hào)及參數(shù)通用型集成運(yùn)算放大器LM741七.半導(dǎo)體集成電路*58d.常用集成運(yùn)放的型號(hào)及參數(shù)高阻型集成運(yùn)算放大器LM356七.半導(dǎo)體集成電路*59d.常用集成運(yùn)放的型號(hào)及參數(shù)高精度型集成運(yùn)算放大器OP27A七.半導(dǎo)體集成電路*60d.常用集成運(yùn)放的型號(hào)及參數(shù)低功耗型集成運(yùn)算放大器TLC27L1C七.半導(dǎo)體集成電路*61d.常用集成運(yùn)放的型號(hào)及參數(shù)高速型集成運(yùn)算放大器LM318七.半導(dǎo)體集成電路*62e.集成電壓比較器運(yùn)算放大器和比較器如出一轍,簡(jiǎn)單的講,比較器就是運(yùn)放的開環(huán)應(yīng)用,但比較器的設(shè)計(jì)是針對(duì)電壓門限比較而用的,要求的比較門限精確,比較后的輸出邊沿上升或下降時(shí)間要短,輸出符合TTL/CMOS電平/或OC等,不要求中間環(huán)節(jié)的準(zhǔn)確度,同時(shí)驅(qū)動(dòng)能力也不一樣。一般情況:用運(yùn)放做比較器,多數(shù)達(dá)不到滿幅輸出,或比較后的邊沿時(shí)間過長(zhǎng),因此設(shè)計(jì)中少用運(yùn)放做比較器為佳。七.半導(dǎo)體集成電路*63e.集成電壓比較器LM311集成電壓比較器七.半導(dǎo)體集成電路*64e.集成電壓比較器LM193/LM293/LM393/LM2903集成電壓比較器七.半導(dǎo)體集成電路*65①電磁繼電器八.繼電器*66②電磁繼電器的主要參數(shù)額定工作電流額定工作電壓吸合電流釋放電流觸點(diǎn)負(fù)荷電流八.繼電器*67③電磁繼電器的應(yīng)用八.繼電器*68④固態(tài)繼電器八.繼電器*69④固態(tài)繼電器的應(yīng)用八.繼電器*70波段開關(guān)按動(dòng)式開關(guān)撥動(dòng)式開關(guān)①開關(guān)其他開關(guān)(編碼)九.開關(guān)與接插件*71圓形接插件矩形及插件扁平排線接插件②接插件其他接插件(液晶電視)九.開關(guān)與接插件*72①散熱器的結(jié)構(gòu)平板型散熱器鋁型材(平行肋片)散熱器叉指型散熱器針狀型散熱器十.散熱器*73②散熱器的安裝安裝散熱器時(shí)要求散熱板表面光潔、平直、無翹曲或銹蝕,并緊固在器件上(加導(dǎo)熱硅脂)。器件盡量安裝在散熱板的中心處。若要求二者保持絕緣,需加云母襯墊和絕緣套筒。安裝時(shí)要遠(yuǎn)離發(fā)熱元件,要注意通風(fēng),保持良好的散熱條件。盡量使散熱器葉片處于垂直方向。十.散熱器*74片式電阻器封裝(SMD):0402060308051206201012102512…十一.SMT元器件*75片式電容器封裝(電解):3216352860327343…十一.SMT元器件*76片式矩形電感器封裝:3216322535287343…040206030805120612102010251225204532…十一.SMT元器件*77片式晶體管封裝:06030805…TO-263SOT-23…十一.SMT元器件*78片式集成電路封裝:SOP…十一.S

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