GB/T 29850-2013光伏電池用硅材料補償度測量方法

ICS29045

H82.

中華人民共和國國家標準

GB/T29850—2013

光伏電池用硅材料補償度測量方法

Testmethodformeasuringcompensationdegreeofsilicon

materialsusedforphotovoltaicapplications

2013-11-12發(fā)布2014-04-15實施

中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

中華人民共和國

國家標準

光伏電池用硅材料補償度測量方法

GB/T29850—2013

*

中國標準出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號

2(100013)

北京市西城區(qū)三里河北街號

16(100045)

網址

:

服務熱線

/p>

年月第一版

20141

*

書號

:155066·1-48023

版權專有侵權必究

GB/T29850—2013

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別這些專利的責任

。。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出并歸口

(SAC/TC203)。

本標準起草單位信息產業(yè)專用材料質量監(jiān)督檢驗中心中國電子技術標準化研究院無錫尚德太

:、、

陽能電力有限公司國家電子功能與輔助材料質量監(jiān)督檢驗中心天津市環(huán)歐半導體材料技術有限

、、

公司

。

本標準主要起草人董顏輝何秀坤鄭彩萍裴會川馮亞彬路景剛張雪囡

:、、、、、、。

Ⅰ

GB/T29850—2013

光伏電池用硅材料補償度測量方法

1范圍

本標準規(guī)定了光伏電池用硅材料補償度的測量和分析方法

。

本標準適用于光伏電池用非摻雜硅材料補償度的測量和分析

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法

GB/T4326

半導體材料術語

GB/T14264

低溫傅立葉變換紅外光譜法測量硅單晶中族雜質含量的測試方法

GB/T24581Ⅲ、Ⅴ

用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒的規(guī)程

GB/T29057

3術語和定義

界定的術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4方法原理

利用載流子濃度與溫度變化關系的電中性方程對nT-l關系曲線進行計算機擬合分析從而

,(P)-,

得到補償度電中性方程以型樣品為例如式所示

。(N)(1):

nnNN-ET

+AC(/)

()=jk

NNn·…………()

D-A-gAexp1

其中N計算方法見式

C(2):

?m*T?3/2

N=?2πak÷

C2è2?…………(2)

h

電離化雜質濃度關系見式

(3):

n=N-N

300DA…………(3)

由式式式利用最小二乘法原理并適當調整gm*NNE個量作數(shù)據擬合得

(1)、(2)、(3),A、a、D、A、j5,

到補償度的表達式見式式

(4)、(5):

K=NN型

pD/A(P)…………(4)

K=NN型

NA/D(N)…………(5)

根據對樣品作變溫霍爾測量由式計算測試數(shù)據得到nT-1關系曲線

GB/T4326,,(6),-。

n=γR

/e·Η…………(6)

式式中

(1)~(6):