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文檔簡介

光電材料制備

SchoolofPhysicsandElectronics,CentralSouthUniversity

Hui

Xia

xhui73@

Preparationof

Photoelectricmaterial

Preparationof

Photoelectricmaterial

光電材料:光電材料是指用于制造各種光電設備(主要包括各種主、被動光電傳感器光信息處理和存儲裝置及光通信等)的材料。紅外材料:紅外探測材料和紅外透波材料;從光波光譜分:紅外材料、激光材料、光纖材料、非線性光學材料等光電材料定義、分類及應用紅外探測材料:包括硫化鉛、銻化銦、鍺摻雜(金、汞)、碲錫鉛、碲鎘汞、硫酸三甘酞、鉭酸鋰、鍺酸鉛、氧化鎂等一系列材料,銻化銦和碲鎘汞是目前軍用紅外光電系統(tǒng)采用的主要紅外探測材料,特別是碲鎘汞(Hg-Cd-Te)材料,是當前較成熟也是各國側(cè)重研究發(fā)展的主要紅外材料。它可應用于從近紅外、中紅外、到遠紅外很寬的波長范圍,還具有以光電導、光伏特及光磁電等多種工作方式工作的優(yōu)點,但該材料也存在化學穩(wěn)定性差、難于制成大尺寸單晶、大面積均勻性差等缺點,Hg-Cd-Te現(xiàn)已進入薄膜材料研制和應用階段,為了克服該材料上述的缺點,國際上探索了新的技術(shù)途徑:Preparationof

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碲鎘汞(Hg-Cd-Te)材料紅外熱成像光電材料定義、分類及應用Preparationof

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光電材料定義、分類及應用ComplementaryMetalOxideSemiconductor

互補金屬氧化物半導體

Preparationof

Photoelectricmaterial

光電材料定義、分類及應用(1)用各種薄膜外延技術(shù)制備大尺寸晶片,這些技術(shù)包括分子束外延(MBE)、液相外延(LPE)和金屬有機化合物氣相淀積(MOCVD)等。特別是用MOCVD可以制出大面積、組分均勻、表面狀態(tài)好的Hg-Cd-Te薄膜,用于制備大面積焦平面陣列紅外探測器。國外用MOCVD法已制成面積大于5cm2、均勻性良好、Δx=0.2±0.005、工藝重復性好的碲鎘汞單晶薄膜,64×64焦平面器件已用于型號系統(tǒng)、512×512已有樣品。紅外探測材料:Preparationof

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工藝重復性好的碲鎘汞單晶薄膜

光電材料定義、分類及應用(2)尋找高性能新紅外材料取代Hg-Cd-Te,主要包括:①Hg-Mn-Te和Hg-Zn-Te,美國和烏克蘭等國從80年代中就開展了這方面的研究,研究表明,Hg1-xZnxTe和Hg1-xCdxZnyTe的光學特性和碲鎘汞很相似,但較容易獲得大尺寸、低缺陷的單晶,化學穩(wěn)定性也更高。Hg1-xMnxTe是磁性半導體材料,在磁場中的光伏特性與碲鎘汞幾乎相同,但它克服了Hg-Te弱鍵引起的問題。

②高溫超導材料,現(xiàn)處于研究開發(fā)階段,已有開發(fā)成功的產(chǎn)品。

③Ⅲ-V超晶格量子阱化合物材料,可用于8~14μm遠紅外探測器,如:InAs/GaSb(應變層超晶格)、GaAs/AlGaAs(量子阱結(jié)構(gòu))等。

④SiGe材料,由于SiGe材料具有許多獨特的物理性質(zhì)和重要的應用價值,又與Si平面工藝相容,因此引起了微電子及光電子產(chǎn)業(yè)的高度重視。SiGe材料通過控制層厚、組分、應變等,可自由調(diào)節(jié)材料的光電性能,開辟了硅材料人工設計和能帶工程的新紀元,形成國際性研究熱潮。Si/GeSi異質(zhì)結(jié)構(gòu)應用于紅外探測器有如下優(yōu)點:截止波長可在3~30μm較大范圍內(nèi)調(diào)節(jié),能保證截止波長有利于優(yōu)化響應和探測器的冷卻要求。Si/GeSi材料的缺點在于量子效率很低,目前利用多個SiGe層來解決這一問題。紅外探測材料:Preparationof

Photoelectricmaterial

斗篷的內(nèi)表面是用"高溫超導條帶"排列而成的

光電材料定義、分類及應用(3)1996年美國國防部國防技術(shù)領域計劃將開發(fā)先進紅外焦平面陣列的工作重點確定為:研制在各種情況下應用(包括監(jiān)視和夜間/不利氣象條件下使用的紅外焦平面陣列)的紅外探測器材料,其中包括以如下三種材料為基礎的薄膜和結(jié)構(gòu):具有芯片上處理能力的GgCdTe單片薄膜、InAs/GaSb超晶格和SiGe(肖特基勢壘器件)。這三種材料也正是當前紅外探測材料發(fā)展和研究的熱點。紅外探測材料:Preparationof

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碲鎘汞光子探測器

紅外對射探測器

光電材料定義、分類及應用Preparationof

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光電材料定義、分類及應用Preparationof

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紅外透波材料:主要用作紅外探測器和飛行器中的窗口、頭罩或整流罩等,它的最新進展和發(fā)展方向如下:(1)目前,在中紅外波段采用的紅外透過材料有鍺鹽玻璃、人工多晶鍺、氟化鎂(MgF2)、人工藍寶石和氮酸鋁等,特別是多晶氟化鎂,被認為是綜合性能比較好的材料。遠紅外材料是紅外透過材料當前研究發(fā)展的重點方向之一,8~14μm長波紅外透過材料有:硫化鋅(ZnS)、硒化鋅(ZnSe)、硫化鑭鈣(CaLa2S4)、砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)和鍺(Ge)等。ZnS被認為是一種較好的遠紅外透過材料,在3~12μm范圍,厚2mm時,平均透過率大于70%,無吸收峰,采取特殊措施,最大紅外透過率達95.8%。國外已采用ZnS作為遠紅外窗口和頭罩材料,像美國的LANTRIRN紅外吊艙窗口,Learjel飛機窗口等。美國Norton國際公司先進材料部每年生產(chǎn)上千個ZnS頭罩。ZnS多晶體的制備方法主要有兩種:熱壓法與化學氣相淀積法(CVD),CVD法制備的材料性能較好。光電材料定義、分類及應用Preparationof

Photoelectricmaterial

(2)紅外透過材料發(fā)展的另一個重要方向是:耐高溫紅外透過材料的研究。高速飛行器在飛行過程中會對紅外窗口和罩材產(chǎn)生高溫、高壓、強烈的風砂雨水的沖刷和浸蝕,影響紅外透過材料的性能,因此需要一系列新型的耐高溫、具有綜合光學、物理、機械、化學性能的新材料。這些條件下使用的理想材料從室溫到1000℃應具有下列特性:在使用波段內(nèi)具有高透過,低熱輻射、散射及雙折射,高強度,高導熱系數(shù),低熱膨脹系數(shù),抗風砂雨水的沖擊和浸蝕,耐超聲波輻射等。最近研究較多的耐高溫紅外透過材料有鎂鋁尖晶石、蘭寶石、氧化釔、鑭增強氧化釔和鋁氧氮化物ALON等。鎂鋁尖晶石是近年來研究最多的最優(yōu)秀的紅外光學材料之一,它能在高溫、高濕、高壓、雨水、風砂沖擊及太陽暴曬下仍保持其性質(zhì),因而是優(yōu)先選用的耐高溫紅外透過材料,它可透過200nm到6μm的紫外、可見光及紅外光。單晶監(jiān)寶石也是一種耐高溫紅外材料,它可透過從遠紫外0.17μm到6.5μm的紅外光,用新研制的熱交換法晶體生長過程可以制造直徑達25cm的大尺寸藍寶石。氧化釔和鑭增強氧化釔的透過波長為8μm,在氧化釔中摻入氧化鑭,材料強度提高30%,光學特性不變。由于高溫下具有很高的硬度,所以它具有很好的抗沖擊、抗浸蝕性能。嚴格的說到目前還沒有一種理想的材料能完全滿足上述要求。但包括上述材料在內(nèi)的不少材料具有較理想的綜合性質(zhì)。

紅外透波材料:光電材料定義、分類及應用Preparationof

Photoelectricmaterial

紅外透波材料:(3)紅外透過材料的第三個發(fā)展方向是:紅外/毫米波雙模材料,這是為適應紅外/毫米波雙模復合材料制導技術(shù)的需要。目前,能滿足紅外/毫米波雙模材料既要有高的遠紅外透過率又有小的介電常數(shù)和損耗角正切的要求,高性能的紅外/毫米波雙模材料尚待進一步研究發(fā)展。紅外材料的應用:包括各種導彈的制導、紅外預警(包括探測、識別和跟蹤、預警衛(wèi)星、預警飛機、各種偵察機等)、觀察瞄準(高能束攔截武器等)。雙色紅外/毫米波雙模三波段復合制導的反坦克武器

紅外/毫米波雙模制導

光電材料定義、分類及應用Preparationof

Photoelectricmaterial

激光材料:目前固體激光器正尋求在可見和近可見光譜范圍波長可調(diào),為此而發(fā)現(xiàn)的可調(diào)諧激光晶體已有30多種,其中,Cr3

離子摻雜新晶體具有較高受激輻射截面和低飽和能量密度,它們的波長范圍是:Cr3:LiCaAlF3為0.72~0.84μm、Cr3:LiSrAlF6為0.78~1.01μm,特別是Cr:LiSAF,它的飽和能量密度為5J/cm2,在激光調(diào)諧范圍,熒光壽命、激光效率、熱透鏡效應等方面具有良好的性能。新型材料拓展固體激光器的性能

光電材料定義、分類及應用Preparationof

Photoelectricmaterial

光電材料定義、分類及應用Preparationof

Photoelectricmaterial

光電材料定義、分類及應用Preparationof

Photoelectricmaterial

光電材料定義、分類及應用Preparationof

Photoelectricmaterial

光電材料定義、分類及應用即NA越大或越小,讀出的激光光斑越小,光盤存儲密度越高Preparationof

Photoelectricmaterial

光電材料定義、分類及應用Preparationof

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光纖材料:寬帶、抗電磁和強核電磁脈沖干擾、保密、體積小、環(huán)境適應性強和抗輻照等優(yōu)點非線性光學材料:非線性光學晶體材料bbo偏硼酸鋇晶體

光電材料定義、分類及應用Preparationof

Photoelectricmaterial

光電材料定義、分類及應用Preparationof

Photoelectricmaterial

軍用光電材料研究的目的是將研究成果應用于新一代高技術(shù)光電子裝備系統(tǒng),提高電子進攻和防衛(wèi)綜合電子戰(zhàn)的能力。軍用光電材料是軍用光電子技術(shù)的重要基礎,對軍用光電子裝備系統(tǒng)有重要的賦能和倍增作用。以紅外材料為基礎的光電成像夜視技術(shù)能增強坦克、裝甲車、飛機、軍艦及步兵的夜戰(zhàn)能力,為航空、衛(wèi)星偵察、預警提供重要手段,成像制導技術(shù)可大大提高導彈的命中率和抗干擾能力。以新型固體激光材料為基礎的激光測距、激光致盲武器和火控制系統(tǒng)等使作戰(zhàn)能力大大加強。可調(diào)諧激光晶體為從可見光到紅外波段可調(diào)諧激光系統(tǒng)提供工作物質(zhì)可提高激光雷達、空中傳感和水下探測等軍用激光系統(tǒng)的領域監(jiān)視、偵察能力。利用光纖材料、寬帶、抗電磁和強核電磁脈沖干擾、保密、體積小、環(huán)境適應性強和抗輻照等優(yōu)點,可實現(xiàn)地面武器系統(tǒng)無人遠距離傳感陣和有人控制站之間的GB/s級信息傳輸;艦船指揮可以通過光纖為遠距離艦隊發(fā)送信號,進行指揮;飛機將能發(fā)射光纖攜繩的機載無人加強飛機或靶機;以往的武器有線制導將被光纖制導所取代;軍用運載體的慣性導航系統(tǒng)將被光纖陀螺所取代;戰(zhàn)略武器發(fā)射的C3I系統(tǒng)也將啟用光纖C3I網(wǎng)絡等等。總之,軍用光纖系統(tǒng)的應用,將遠遠超越話音和低速率數(shù)據(jù)通信的范圍,而進入傳感、海上或空中武器平臺及各種高速率傳輸系統(tǒng)。軍事應用光電材料定義、分類及應用Preparationof

Photoelectricmaterial

從應用范圍分:光電功能材料、光電顯示材料、光電轉(zhuǎn)換材料、納米光電材料等;按性質(zhì)分:光電子發(fā)射材料、光電導材料、光電動勢材料光電子發(fā)射材料:當光照射到材料上,光被材料吸收產(chǎn)生發(fā)射電子的現(xiàn)象稱為光電子發(fā)射現(xiàn)象,具有這種現(xiàn)象的材料稱為光電子發(fā)射材料。正電子親和陰極材料如:單堿-銻、多堿-銻等負電子親和陰極材料如:硅、磷化鎵、等光電陰極:光電轉(zhuǎn)換器、微光管、光電倍增管、高靈敏電視攝像管半導體負電子親和勢光陰極:變像管夜視儀,可在特殊氣候條件下照常工作(如無月光、無星光、有云、有霧的氣候條件)應用:光電材料定義、分類及應用Preparationof

Photoelectricmaterial

光電導材料:受光照射電導急劇上升的現(xiàn)象被稱為光電導現(xiàn)象,具有此現(xiàn)象的材料叫光電導材料。光電導半導體如:單體(鍺、硅),氧化物,鎘化物,鉛化物等光電導陶瓷如:CdS陶瓷等有機高分子光導體如:聚氮乙烯基咔唑和2,4,7-三硝基芴酮組成的傳奇絡合物(CT)(1)光探測器中的光敏感器件及半導體光電二極管(2)光敏晶體三極管如:CdS

(3)高阻抗元件如:銅摻雜到CdS應用:光電材料定義、分類及應用Preparationof

Photoelect

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