GB/T 30854-2014LED發(fā)光用氮化鎵基外延片

ICS29045

H83.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T30854—2014

LED發(fā)光用氮化鎵基外延片

GalliumnitridebasedepitaxiallayerforLEDlighting

2014-07-24發(fā)布2015-04-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T30854—2014

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)及材料分技術(shù)委員會(huì)

(SAC/TC203)(SAC/TC

共同提出并歸口

203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所

:。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人魏學(xué)成趙麗霞王軍喜曾一平李晉閩提劉旺

:、、、、、。

Ⅰ

GB/T30854—2014

LED發(fā)光用氮化鎵基外延片

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了發(fā)光用氮化鎵基外延片以下簡(jiǎn)稱(chēng)外延片的要求檢驗(yàn)方法和規(guī)則以及標(biāo)志

LED()、、

包裝運(yùn)輸儲(chǔ)存質(zhì)量證明書(shū)與訂貨單或合同內(nèi)容

、、、()。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于發(fā)光用氮化鎵基外延片

LED。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志

GB/T191

計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃

GB/T2828.11:(AQL)

非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測(cè)量方法

GB/T4326

硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法

GB/T6618

硅片彎曲度測(cè)試方法

GB/T6619

硅片翹曲度非接觸式測(cè)試方法

GB/T6620

硅及其他電子材料晶片參考面長(zhǎng)度測(cè)量方法

GB/T13387

硅片直徑測(cè)量方法

GB/T14140

硅外延層晶體完整性檢驗(yàn)方法腐蝕法

GB/T14142

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

半導(dǎo)體材料牌號(hào)表示方法

GB/T14844

半導(dǎo)體二極管芯片測(cè)試方法

SJ/T11399

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

4要求

41分類(lèi)

.

外延片包括全結(jié)構(gòu)外延片和按導(dǎo)電類(lèi)型分為型和型兩種類(lèi)型的單層氮化鎵外延片外延

LEDnp(

厚度超過(guò)通常稱(chēng)為氮化鎵單晶

100μm)。

42牌號(hào)

.

外延片牌號(hào)表示按照的規(guī)定

GB/T14844。

43規(guī)格

.

外延片直徑主要分為ΦΦΦΦ種規(guī)格或由供需雙方商定