標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 31092-2014 藍(lán)寶石單晶晶錠》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，主要針對(duì)藍(lán)寶石單晶晶錠的生產(chǎn)、檢測(cè)以及質(zhì)量控制等方面進(jìn)行了規(guī)定。該標(biāo)準(zhǔn)適用于通過(guò)各種方法生長(zhǎng)的藍(lán)寶石單晶體，包括但不限于泡生法（Czochralski method）、導(dǎo)模法（EFG, Edge-defined Film-fed Growth）等技術(shù)所制備的產(chǎn)品。

根據(jù)此標(biāo)準(zhǔn)，藍(lán)寶石單晶晶錠的質(zhì)量評(píng)價(jià)指標(biāo)主要包括外觀質(zhì)量、幾何尺寸偏差、位錯(cuò)密度等多個(gè)方面。其中，對(duì)于外觀的要求非常嚴(yán)格，不允許存在裂紋、氣泡等缺陷；幾何尺寸則需符合特定范圍內(nèi)的公差要求；而位錯(cuò)密度作為衡量晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)完整性的重要參數(shù)之一，在本標(biāo)準(zhǔn)中也給出了具體的限定值。

此外，《GB/T 31092-2014 藍(lán)寶石單晶晶錠》還詳細(xì)描述了相關(guān)的測(cè)試方法與條件，比如使用X射線衍射儀測(cè)定晶向偏移角，采用光學(xué)顯微鏡或掃描電子顯微鏡觀察并計(jì)算位錯(cuò)密度等。這些規(guī)范化的測(cè)量手段有助于保證不同廠家之間數(shù)據(jù)的一致性和可比性。

最后，標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)還列出了包裝、標(biāo)志、運(yùn)輸及貯存的相關(guān)指導(dǎo)原則，旨在確保產(chǎn)品從出廠到最終用戶手中的整個(gè)過(guò)程中都能保持良好狀態(tài)。


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....

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  • 2014-12-22 頒布
  • 2015-09-01 實(shí)施
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ICS29045

H83.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T31092—2014

藍(lán)寶石單晶晶錠

Monocrystallinesapphireingot

2014-12-22發(fā)布2015-09-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T31092—2014

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………1

要求

4………………………1

檢驗(yàn)方法

5…………………3

檢驗(yàn)規(guī)則

6…………………4

標(biāo)志包裝運(yùn)輸貯存和質(zhì)量證明書

7、、、……………………5

訂貨單或合同內(nèi)容

8()……………………6

附錄規(guī)范性附錄總雜質(zhì)含量的測(cè)定方法

A()…………7

附錄規(guī)范性附錄位錯(cuò)密度測(cè)試方法

B()………………9

附錄規(guī)范性附錄雙晶搖擺曲線的半峰寬值的檢測(cè)方法

C()…………12

附錄規(guī)范性附錄局部光散射體氣泡包裹物及散射顆粒檢測(cè)方法

D()、、……………15

附錄規(guī)范性附錄鑲嵌孿晶的檢測(cè)方法

E()、…………18

附錄規(guī)范性附錄透光率檢測(cè)方法

F()…………………20

Ⅰ

GB/T31092—2014

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)和全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位協(xié)鑫光電科技江蘇有限公司中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所常州億晶

:()、、

光電科技有限公司江蘇吉星新材料有限公司新疆紫晶光電技術(shù)有限公司

、、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人劉逸楓魏明德徐養(yǎng)毅杭寅吳劍波蔡金榮趙新儉

:、、、、、、。

Ⅲ

GB/T31092—2014

藍(lán)寶石單晶晶錠

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了藍(lán)寶石單晶晶錠的要求檢驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則及標(biāo)志包裝運(yùn)輸貯存和質(zhì)量證明書

、、、、、、

訂貨單或合同內(nèi)容

()。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于藍(lán)寶石單晶晶錠產(chǎn)品可用于制造氮化鎵外延薄膜及其他用途的藍(lán)寶石單晶襯底材

,

料以下簡(jiǎn)稱晶錠

()。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法

GB/T1554

半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法

GB/T1555

計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃

GB/T2828.11:(AQL)

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

藍(lán)寶石sapphire

可以用來(lái)外延生長(zhǎng)的有確定晶向的人工生長(zhǎng)單晶氧化鋁材料

,。

32

.

藍(lán)寶石晶錠sapphireingot

依特定軸向生長(zhǎng)的晶體通過(guò)機(jī)械加工后能滿足切片的藍(lán)寶石棒材

,。

33

.

總長(zhǎng)度totallength

晶錠測(cè)量的實(shí)際幾何長(zhǎng)度

。

34

.

有效長(zhǎng)度effectivelength

晶錠實(shí)際長(zhǎng)度中去除晶錠內(nèi)部缺陷后的幾何長(zhǎng)度

,。

4要求

41化學(xué)組成

.

晶錠為高純的α其總雜質(zhì)含量應(yīng)小于

-Al2O3,

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