高二化學(xué)(必修二)核外電子排布原理電子排布圖練習(xí)題_第1頁(yè)
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第第頁(yè)答案第=page11頁(yè),共=sectionpages22頁(yè)高二化學(xué)(必修二)核外電子排布原理電子排布圖練習(xí)題(含答案解析)學(xué)校:___________姓名:___________班級(jí):___________一、單選題1.下列原子或離子核外電子排布不屬于基態(tài)排布的是()A.N:1s22s22p3 B.S2-:1s22s22p63s23p6C.Na:1s22s22p53s2 D.Si:1s22s22p63s23p22.下列有關(guān)核外電子排布的表示不正確的是()A.29Cu的電子排布式:1s22s22p63s23p63d104s1B.K的簡(jiǎn)化電子排布式:[Ar]4s1C.N原子的電子排布圖為D.S原子的電子排布圖為3.元素X位于第4周期,其基態(tài)原子的內(nèi)層軌道全部排滿電子,且最外層電子數(shù)為2;元素Y基態(tài)原子的3p軌道上有1對(duì)成對(duì)電子。X與Y形成的化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,下列關(guān)于該晶體的說法正確的是()A.該晶體屬于共價(jià)晶體B.X2+的配位數(shù)為8,Y2-的配位數(shù)為4C.與每個(gè)X2+距離最近且相等的X2+共有12個(gè)D.該晶體的熔點(diǎn)比氧化鋅高4.元素的原子結(jié)構(gòu)決定其性質(zhì)和在周期表中的位置。下列說法正確的是()A.按電子排布,可把周期表里的元素劃分成5個(gè)區(qū),Zn元素屬于d區(qū)B.多電子原子中,在離核較近的區(qū)域內(nèi)運(yùn)動(dòng)的電子能量較高C.P、S、Cl的第一電離能、電負(fù)性和最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物的酸性均依次增大或增強(qiáng)D.某同學(xué)給出的Fe原子的3d能級(jí)電子排布圖為,此排布圖違反了洪特規(guī)則5.下列軌道表示式能表示基態(tài)硫原子最外層結(jié)構(gòu)的是()A. B. C. D.6.下列有關(guān)核外電子排布的表述正確的是()A.基態(tài)碳原子最外層電子排布圖為B.基態(tài)銅原子的價(jià)層電子的軌道表示式為C.基態(tài)Se原子的簡(jiǎn)化電子排布式為[Ar]3d104s24p4D.的結(jié)構(gòu)示意圖為7.下列關(guān)于共價(jià)鍵的描述正確的是()A.兩個(gè)原子的單電子若自旋方向相同,則兩兩配對(duì)可形成共價(jià)鍵B.原子軌道具有一定的伸展方向,所形成的共價(jià)鍵都具有方向性C.兩個(gè)原子的p軌道不僅能形成σ鍵,也能形成π鍵D.氣體單質(zhì)中一定存在σ鍵,可能存在π鍵8.下列說法正確的是()A.元素J的基態(tài)原子核外有2個(gè)未成對(duì)電子,則該基態(tài)原子的價(jià)電子排布式可能為B.元素K的基態(tài)原子4s軌道上有2個(gè)電子,則該基態(tài)原子的價(jià)電子排布式可能為C.元素L、M的基態(tài)原子的最外層電子排布式分別為、,則L、M一定為同一族的元素D.在通常情況下,原子核外電子的排布總是使原子處于能量最低狀態(tài)9.原子中的某一能層,最多能容納的電子數(shù)目大于32,該能層可能會(huì)是()A.L能層 B.M能層 C.N能層 D.P能層10.某科研團(tuán)隊(duì)經(jīng)多次實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)一種新型漂白劑的結(jié)構(gòu)如圖,其組成元素均為短周期元素,其中X與Y同周期,X與W對(duì)應(yīng)的簡(jiǎn)單離子核外電子排布相同,且W、Y、Z的最外層電子數(shù)之和等于X的最外層電子數(shù),下列說法錯(cuò)誤的是()A.四種元素中X的電負(fù)性最大B.1mol該物質(zhì)中含有2mol配位鍵C.Y的含氧酸鹽與硅酸鹽都能形成玻璃且互熔D.第一電離能介于X與Y之間的同周期元素只有3種11.下列說法正確的是()A.同一周期中,隨著核電荷數(shù)的增加,元素的原子半徑逐漸增大B.原子核外電子排布,先排滿K層再排L層?先排滿M層再排N層C.同一原子中,在離核較遠(yuǎn)的區(qū)域運(yùn)動(dòng)的電子能量較高D.同一周期中,IIA與IIIA族元素原子的核電荷數(shù)都相差112.下列Si原子的價(jià)層電子的電子排布圖表示的狀態(tài)中,能量最高的是()A. B.C. D.13.銅和氧形成的一種離子化合物晶胞、C60晶胞如圖所示,下列說法中正確的是()A.C60晶體采用的是分子密堆積方式,與每個(gè)C60距離最近且等距離的C60有12個(gè)B.銅和氧形成的離子化合物,銅離子的電荷數(shù)為+2C.C60是分子晶體,石墨是共價(jià)晶體D.基態(tài)銅原子的價(jià)層電子排布式為3d94s214.2019年10月1日晚,北京天安門廣場(chǎng)進(jìn)行了煙花燃放表演,與聯(lián)歡活動(dòng)配合,形成地空一體的絢麗畫卷。煙花的色彩與鋰、鈉等金屬原子核外電子躍遷有關(guān)。下列Li原子電子排布圖表示的狀態(tài)中,能量最高的為()A. B.C. D.15.下列四種元素中,其單質(zhì)氧化性最強(qiáng)的是()A.基態(tài)原子最外層電子排布式為3s23p3的元素B.位于周期表中第三周期第IIIA族的元素C.基態(tài)原子最外層電子排布式為2s22p4的元素D.基態(tài)原子含有未成對(duì)電子最多的第二周期元素二、填空題16.洪特規(guī)則洪特規(guī)則內(nèi)容:當(dāng)電子排布在同一能級(jí)(能量相同)的不同軌道時(shí),總是優(yōu)先_______占據(jù)一個(gè)軌道,而且自旋方向_______。如:2p3的電子排布為_______,不能表示為_______或_______。洪特規(guī)則特例:當(dāng)能量相同的原子軌道在全滿(p6、d10、f14)、半滿(p3、d5、f7)和全空(p0、d0、f0)狀態(tài)時(shí),體系的能量最低,如:24Cr的電子排布式為1s22s22p63s23p63d54s1或[Ar]3d54s117.磷酸氯喹(結(jié)構(gòu)如圖所示)是由氫、碳、氮、氯、磷、氧元素組成的有機(jī)物,在細(xì)胞水平上能有效抑制新型冠狀病毒的感染,我國(guó)印發(fā)的《新型冠狀病毒肺炎診療方案(試行第七版)》中明確規(guī)定了其用量。(1)碳、硅、儲(chǔ)為同一主族元素,則基態(tài)硅原子核外有____種運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子,基態(tài)鍺原子的最外層電子的軌道表示式為_____。(2)氮原子價(jià)層電子的軌道表示式為_____。(3)基態(tài)Cl原子中,核外電子占據(jù)最高能層的符號(hào)是____。(4)氧元素基態(tài)原子核外K層電子的自旋狀態(tài)_____(填“相同”或“相反”)。18.(1)基態(tài)S原子電子占據(jù)最高能級(jí)的電子云輪廓圖為___形。(2)基態(tài)Si原子中,電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為__,該能層具有的原子軌道數(shù)為___,電子數(shù)為__。三、多選題19.某固體消毒劑廣泛用于游泳池消毒,其結(jié)構(gòu)如圖所示,其中W、X、Y、Z是原子序數(shù)依次增大的四種短周期元素,Y最外層電子數(shù)是內(nèi)層電子數(shù)的3倍。下列敘述錯(cuò)誤的是A.W和Z組成的化合物可以做滅火劑B.原子半徑:X>W>YC.氧化物的熔沸點(diǎn):X>WD.該化合物中X、Y、Z均滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)四、元素或物質(zhì)推斷題20.X、Y、Z、W是元素周期表前四周期中的常見元素,其原子序數(shù)依次增大。X元素的一種核素的質(zhì)量數(shù)為12,中子數(shù)為6;Y元素是動(dòng)植物生長(zhǎng)不可缺少的、構(gòu)成蛋白質(zhì)的重要元素;Z的基態(tài)原子核外9個(gè)原子軌道上填充了電子且有2個(gè)未成對(duì)電子,與X、Y不同族;W是一種常見元素,可以形成3種氧化物,其中一種氧化物是具有磁性的黑色晶體。(1)分子中存在的鍵和鍵個(gè)數(shù)之比為___________。(2)X元素的一種氧化物和與結(jié)構(gòu)相似,X、Y與氫元素形成的一種化合物分子中鍵與鍵數(shù)目之比為___________。(3)寫出X的單質(zhì)與Z的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的濃溶液反應(yīng)的化學(xué)方程式:___________。(4)W的基態(tài)原子的價(jià)層電子排布式為___________。(5)X元素的一種單質(zhì)是一種由單層X原子構(gòu)成的平面結(jié)構(gòu)新型材料,下圖中,1號(hào)X與相鄰X形成鍵的個(gè)數(shù)為___________。(6)已知,其中鍵、鍵的鍵能分別為、,則分子中、之間共價(jià)鍵的鍵能為___________。參考答案:1.C【詳解】A.1s22s22p3遵循能量最低和構(gòu)造原理,是基態(tài)N原子的核外電子排布式,故不選A;B.1s22s22p63s23p6遵循能量最低和構(gòu)造原理,是基態(tài)S2-的核外電子排布式,故不選B;C.基態(tài)鈉原子的電子排布式應(yīng)是1s22s22p63s1,故選C;

D.1s22s22p63s23p2遵循能量最低和構(gòu)造原理,是基態(tài)Si原子的核外電子排布式,故不選D;選C。2.D【詳解】A.Cu是29號(hào)元素,根據(jù)構(gòu)造原理,可知基態(tài)Cu原子核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s1,A正確;B.K是19號(hào)元素,根據(jù)構(gòu)造原理,可知基態(tài)K原子核外電子排布式為1s22s22p63s23p64s1,則其簡(jiǎn)化電子排布式為[Ar]4s1,B正確:C.N是7號(hào)元素,根據(jù)構(gòu)造原理可知基態(tài)N原子核外電子排布式為1s22s22p3,則其電子排布圖為,C正確;D.原子核外電子總是盡可能成單排列,而且自旋方向相同,這種排布使原子能量最低,處于穩(wěn)定狀態(tài)。硫原子3p能級(jí)中有4個(gè)電子,其中的3個(gè)電子優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)1個(gè)軌道,且自旋狀態(tài)相同,然后第4個(gè)電子占據(jù)3p能級(jí)的第一個(gè)軌道,且自旋狀態(tài)相反,則S原子的電子排布圖應(yīng)該為,D錯(cuò)誤;故合理選項(xiàng)是D。3.C【分析】元素X位于第四周期,其基態(tài)原子的內(nèi)層軌道全部排滿電子,則內(nèi)層電子數(shù)=2+8+18=28,且最外層電子數(shù)為2,所以該原子有30個(gè)電子,為Zn元素;元素Y基態(tài)原子的p軌道上有1對(duì)成對(duì)電子,說明3p軌道上有4個(gè)電子,核外電子排布為1s22s22p63s23p4,則Y是S元素,則化學(xué)式為ZnS。【詳解】A.ZnS含有Zn2+和S2-,屬離子晶體,A錯(cuò)誤;B.因?yàn)榛瘜W(xué)式為ZnS,所以Y2-離子的配位數(shù)為4,則X2+離子的配位數(shù)也為4,B錯(cuò)誤;C.由晶胞可知,與每個(gè)X2+距離最近的X2+在其面心,則共有=12個(gè),C正確,D.O2-半徑小于S2-,離子晶體ZnO的晶格能比ZnS大,則ZnO的熔點(diǎn)比ZnS高,D錯(cuò)誤;故選C。4.D【詳解】A.按電子排布,可把周期表里的元素劃分成5個(gè)區(qū),Zn是第四周期ⅡB族元素,價(jià)電子排布應(yīng)是3d104s2,位置屬于ds區(qū),故A錯(cuò)誤;B.按核外電子排布規(guī)則,離核較近的電子能量更低,故B錯(cuò)誤;C.同周期元素,隨核電荷數(shù)增大,電負(fù)性逐漸增大,第一電離能呈逐漸增大的趨勢(shì),非金屬性逐漸增強(qiáng),則最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的酸性逐漸增強(qiáng),由于P的p軌道處于半充滿狀態(tài)、結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,故三種元素第一電離能的排序由低到高(用元素符號(hào)表示)應(yīng)是S<P<Cl,故C錯(cuò)誤;D.洪特規(guī)則為:電子分布到能量簡(jiǎn)并的原子軌道時(shí),優(yōu)先以自旋相同的方式分別占據(jù)不同的軌道,因?yàn)檫@種排布方式原子的總能量最低,按照洪特規(guī)則,F(xiàn)e原子的3d能級(jí)電子排布圖應(yīng)為,因此,該排布圖違反了洪特規(guī)則,故D正確;答案選D。5.D【詳解】基態(tài)硫原子最外層電子排布式為3s23p4,根據(jù)泡利原理和洪特規(guī)則,則其最外層結(jié)構(gòu)為;故選D。6.C【詳解】A.基態(tài)碳原子的2s能級(jí)比2p能級(jí)能量低,先填滿2s能級(jí)再填2p能級(jí),則最外層電子排布圖為,故A錯(cuò)誤;B.基態(tài)銅原子的價(jià)層電子排布式為3d104s1,則基態(tài)銅原子的價(jià)層電子軌道表示式為,故B錯(cuò)誤;C.Se是34號(hào)元素,則基態(tài)Se的簡(jiǎn)化電子排布式為,故C正確;D.的最外層電子數(shù)是8,故D錯(cuò)誤。綜上所述,答案為C。7.C【詳解】A.兩個(gè)原子的單電子若自旋方向相反,則兩兩配對(duì)可形成共價(jià)鍵,A錯(cuò)誤;B.s電子在形成共價(jià)鍵時(shí),沒有方向性,則不能所有共價(jià)鍵都有方向性,B錯(cuò)誤;C.兩個(gè)原子的p軌道不僅能形成σ鍵,也能形成π鍵,C正確;D.惰性氣體為單原子分子,沒有化學(xué)鍵,D錯(cuò)誤;答案選C。8.D【詳解】A.若基態(tài)原子的價(jià)電子排布式為3d64s2,則其3d能級(jí)有

4個(gè)未成對(duì)電子,故A錯(cuò)誤;B.能級(jí)全空、半滿、全滿能量更低,所以基態(tài)原子的價(jià)電子排布式不應(yīng)為3d94s2,此時(shí)應(yīng)為3d104s1

,故B錯(cuò)誤;C.L的最外層電子排布式為3s2,則為鎂元素,

M的最外層電子排布式為4s2,其可能為鈣元素,但也可能為過渡元素,如Fe(3d64s2),不一定為同族元素,故

C錯(cuò)誤;D.原子核外電子總是先占據(jù)能量較低的軌道,然后依次進(jìn)入能量較高的軌道;使整個(gè)原子處于能量最低狀態(tài),故D正確;故答案選D。9.D【詳解】每一能層最多能容納的電子數(shù)目為2n2,所以最多能容納的電子數(shù)目大于32的能層,至少是第五能層,只有選項(xiàng)D符合。答案選D。10.D【分析】短線表示是共價(jià)鍵和配位鍵,X形成兩個(gè)鍵可能是O或S,Z形成一個(gè)鍵可能是H或F或Cl,根據(jù)“W、Y、Z的最外層電子數(shù)之和等于X的最外層電子數(shù)”,Z只能是H,W原子最外層有2個(gè)電子,可推出Y最外層3個(gè)電子,說明結(jié)構(gòu)中Y形成化學(xué)鍵中有配位鍵,再根據(jù)“W、X對(duì)應(yīng)的簡(jiǎn)單離子核外電子排布相同”,且X與Y同周期,W只能是Mg,X是O,Y是B,Z是H。【詳解】A.四種元素中,氧元素電負(fù)性最大,A正確;B.結(jié)合Y為B和結(jié)構(gòu)圖可看出1mol該物質(zhì)中含有2mol配位鍵,B正確;C.硼的含氧酸鹽與硅酸鹽都能形成玻璃且互熔,C正確;D.第一電離能介于O和B之間的同周期元素有Be和C兩種,D錯(cuò)誤;答案選D。11.C【詳解】A.同一周期中,隨著核電荷數(shù)的增加,原子核對(duì)核外電子的束縛力逐漸增強(qiáng),元素的原子半徑逐漸減小,A錯(cuò)誤;B.M能層中d能級(jí)的能量高于N能層中s能級(jí)能量,填充完4s能級(jí)后才能填充3d能級(jí),B錯(cuò)誤;C.同一原子中,在離核較遠(yuǎn)的區(qū)域運(yùn)動(dòng)的電子能量較高,C正確;D.同一周期中,ⅡA與ⅢA族元素原子的核電荷數(shù)不一定都相差1,例如第四周期的Ca和Ga相差11,D錯(cuò)誤;答案選C。12.D【詳解】A.該項(xiàng)中的價(jià)層電子的電子排布圖是基態(tài)Si原子的,A不符合題意;B.該項(xiàng)中的價(jià)層電子的電子排布圖也是基態(tài)的,但是3p軌道的兩個(gè)電子自旋狀態(tài)不同,不符合洪特規(guī)則,B不符合題意;C.該項(xiàng)中的一個(gè)電子由3s軌道躍遷至3p軌道,D項(xiàng)中兩個(gè)電子由3s軌道躍遷至3d軌道,故二者相比,C項(xiàng)表示的狀態(tài)能量較低,C不符合題意;D.由C選項(xiàng)解析可知,D符合題意。故本題選D。13.A【詳解】A.是典型的分子晶體,是分子密堆積,分子間作用力只有范德華力,以一個(gè)分子為中心,其周圍最多可以有12個(gè)緊鄰的分子,A正確;B.利用均攤法可知,銅離子個(gè)數(shù)為4,氧離子個(gè)數(shù)=,則該離子化合物的化學(xué)式為,銅離子電荷數(shù)為+1,B錯(cuò)誤;C.只含分子的晶體稱為分子晶體,而是典型的分子晶體;共價(jià)晶體的微觀空間里沒有分子,比較典型的共價(jià)晶體是金剛石;但石墨不同于金剛石,是平面六元并環(huán)的層狀結(jié)構(gòu),層間靠范德華力維系,是一種混合型晶體;C錯(cuò)誤;D.在構(gòu)建基態(tài)原子時(shí),應(yīng)符合能量最低原理,而當(dāng)原子軌道上的電子為半滿或全滿時(shí),能量較低,所以基態(tài)銅原子的價(jià)層電子排布式為,D錯(cuò)誤;故合理選項(xiàng)為A。14.C【詳解】原子核外電子排布中,如果電子所占的軌道能級(jí)越高,該電子能量越高,原子能量越高,根據(jù)圖知,電子能量最低的是1s能級(jí),能量較高的是2s、2p能級(jí),2p能級(jí)電子的能量高于2s能級(jí)電子的能量,故C符合題意;答案選C。15.C【詳解】A.基態(tài)原子最外層電子排布式為的元素是P元素;B.位于周期表中第三周期第ⅢA族的元素是Al元素;C.基態(tài)原子最外層電子排布式為的元素是O元素;D.基態(tài)原子含未成對(duì)電子最多的第二周期元素是N元素;非金屬性O(shè)>N>P>Al,O2的氧化性最強(qiáng),C項(xiàng)符合題意;答案選C。16.

單獨(dú)

相同

【解析】略17.(1)

14

(2)(3)M(4)相反【解析】(1)把電子在原子核外的一個(gè)空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)稱為一個(gè)原子軌道,因而空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)個(gè)數(shù)等于軌道數(shù);而在同一原子軌道下最多可以有兩個(gè)自旋方向不同的電子,自旋方向不同,運(yùn)動(dòng)狀態(tài)也就不相同,即運(yùn)動(dòng)狀態(tài)個(gè)數(shù)等于電子數(shù);故基態(tài)硅原子核外有14種運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子;鍺為第四周期ⅣA族元素,基態(tài)鍺原子的最外層電子的軌道表示式為。(2)氮為第二周期ⅤA族元素,氮原子價(jià)層電子的軌道表示式為。(3)能量最低原理:原子核外的電子應(yīng)優(yōu)先排布在能量最低的能級(jí)里,然后由里到外,依次排布在能量逐漸升高的能級(jí)里;基態(tài)Cl原子中最外層電子層為M層,核外電子占據(jù)最高能層的符號(hào)是M。(4)泡利原理:在一個(gè)原子軌道里,最多只能容納2個(gè)電子,而且它們的自旋狀態(tài)相反;氧元素基態(tài)原子的K層有2個(gè)電子,根據(jù)泡利原理,K層電子的自旋狀態(tài)相反。18.

啞鈴(紡錘)

M

9

4【詳解】(1)基態(tài)S原子核外有3個(gè)電子層,電子占據(jù)的最高能級(jí)為3p,p能級(jí)的電子云輪廊圖為啞體(紡錘)形。(2)基態(tài)Si原子核外有3個(gè)電子層,最高電子層是M層,有4個(gè)電子。M層具有1個(gè)s軌道、3個(gè)p軌道和5個(gè)d軌道,共9個(gè)原子軌道。19.BC【分析】Y最外層電子數(shù)是內(nèi)層電子數(shù)的3倍,Y為O元素;由固體消毒劑的用途和結(jié)構(gòu)可知,W、X、Z依次形成4對(duì)、3對(duì)、1對(duì)共用電子對(duì),W、X、Y、Z的原子序數(shù)依次增大,則W為C元素、X為N元素、Z為Cl元素;據(jù)此作答?!驹斀狻緼.C和

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