GB/T 35305-2017太陽(yáng)能電池用砷化鎵單晶拋光片

ICS29045

H83.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T35305—2017

太陽(yáng)能電池用砷化鎵單晶拋光片

Monocrystallinegalliumarsenidepolishedwafersforsolarcell

2017-12-29發(fā)布2018-07-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

中華人民共和國(guó)

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

太陽(yáng)能電池用砷化鎵單晶拋光片

GB/T35305—2017

*

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽(yáng)區(qū)和平里西街甲號(hào)

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號(hào)

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

:400-168-0010

年月第一版

201712

*

書號(hào)

:155066·1-58503

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GB/T35305—2017

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司云南中科鑫圓晶體材料有限公司中國(guó)科學(xué)院

:、、

半導(dǎo)體所

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人惠峰普世坤呂春富董汝昆

:、、、。

Ⅰ

GB/T35305—2017

太陽(yáng)能電池用砷化鎵單晶拋光片

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽(yáng)能電池用砷化鎵單晶拋光片的要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志包裝運(yùn)輸

、、、、、

貯存和質(zhì)量證明書

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于太陽(yáng)能電池用砷化鎵單晶拋光片以下簡(jiǎn)稱砷化鎵拋光片

()。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃

GB/T2828.11:(AQL)

硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法

GB/T6618

硅片彎曲度測(cè)試方法

GB/T6619

硅片翹曲度非接觸式測(cè)試方法

GB/T6620

硅片表面平整度測(cè)試方法

GB/T6621

硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法

GB/T6624

硅及其他電子材料晶片參考面長(zhǎng)度測(cè)量方法

GB/T13387

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

硅拋光片表面顆粒測(cè)試方法

GB/T19921

太陽(yáng)能電池用砷化鎵單晶

GB/T25075

潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境第部分空氣潔凈度等級(jí)

GB/T25915.11:

硅片平坦表面的表面粗糙度測(cè)量方法

GB/T29505

硅片邊緣輪廓檢驗(yàn)方法

YS/T26

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

4要求

41分類

.

411砷化鎵拋光片按導(dǎo)電類型分為型和型兩種

..NP。

412砷化鎵拋光片按直徑大小分為???三種

..50.8mm、76.2mm、100.0mm。

42理化及電學(xué)性能

.

砷化鎵拋光片的電阻率載流子濃度晶向及晶向偏離度位錯(cuò)密度應(yīng)符合的規(guī)定

、、、GB/T25075