GB/T 35310-2017200 mm硅外延片

ICS29045

H82.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T35310—2017

200mm硅外延片

200mmsiliconepitaxialwafer

2017-12-29發(fā)布2018-07-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T35310—2017

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位南京國(guó)盛電子有限公司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院

:、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人馬林寶駱紅楊帆金龍楊素心

:、、、、。

Ⅰ

GB/T35310—2017

200mm硅外延片

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了直徑硅外延片的術(shù)語(yǔ)和定義產(chǎn)品分類要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)

200mm、、、、

志包裝運(yùn)輸貯存質(zhì)量證明書(shū)

、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于在型和型硅拋光襯底片上外延生長(zhǎng)的硅外延片產(chǎn)品主要用于制作集成電路

NP。

或半導(dǎo)體器件

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法

GB/T1550

半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法

GB/T1555

計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃

GB/T2828.11:(AQL)

硅片電阻率測(cè)定擴(kuò)展電阻探針?lè)?/p>

GB/T6617

硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法

GB/T6618

硅片彎曲度測(cè)試方法

GB/T6619

硅片翹曲度非接觸式測(cè)試方法

GB/T6620

硅片表面平整度測(cè)試方法

GB/T6621

硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法

GB/T6624

硅單晶拋光片

GB/T12964

硅外延層擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測(cè)定直排四探針?lè)?/p>

GB/T14141、

硅外延層晶體完整性檢測(cè)方法腐蝕法

GB/T14142

硅外延層載流子濃度測(cè)定汞探針電容電壓法

GB/T14146—

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測(cè)量方法

GB/T14847

硅拋光片表面顆粒測(cè)試方法

GB/T19921

硅片表面金屬沾污的全反射光熒光光譜測(cè)試方法

GB/T24578X

硅片平整度厚度及總厚度變化測(cè)試自動(dòng)非接觸掃描法

GB/T29507、

硅片翹曲度測(cè)試自動(dòng)非接觸掃描法

GB/T32280

硅片包裝

YS/T28

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

4產(chǎn)品分類

41產(chǎn)品按導(dǎo)電類型分為型和型型外延層摻雜元素為磷或砷型外延