標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 37255-2018 偏置電場下材料熱釋電系數(shù)測試方法》是一項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn),旨在規(guī)定在施加偏置電場條件下測量材料熱釋電系數(shù)的方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于各種類型的熱釋電材料,包括但不限于晶體、陶瓷和薄膜等,在特定溫度范圍內(nèi)進(jìn)行測試。
根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容,首先明確了熱釋電效應(yīng)的基本原理:當(dāng)某些材料受到溫度變化時(shí)會產(chǎn)生極化現(xiàn)象,并伴隨有表面電荷的變化;如果這種材料同時(shí)被置于外部電場中,則其熱釋電性質(zhì)可能會受到影響。因此,本標(biāo)準(zhǔn)提出了一種實(shí)驗(yàn)設(shè)置來研究這種影響。
對于測試條件,《GB/T 37255-2018》詳細(xì)描述了所需的設(shè)備配置,包括加熱系統(tǒng)、冷卻裝置以及能夠精確控制并監(jiān)測樣品溫度變化的儀器。此外,還指定了如何正確安裝待測樣品以確保實(shí)驗(yàn)結(jié)果的有效性和重復(fù)性。
關(guān)于測試過程,標(biāo)準(zhǔn)給出了具體的步驟指導(dǎo),從準(zhǔn)備階段開始直至數(shù)據(jù)分析結(jié)束。其中包括對環(huán)境溫濕度的要求、預(yù)處理程序(如退火)、施加偏置電場所需電壓值及其穩(wěn)定性要求等關(guān)鍵參數(shù)設(shè)定。同時(shí)也強(qiáng)調(diào)了數(shù)據(jù)采集過程中需要注意的問題,比如采樣頻率的選擇、噪聲抑制措施等。
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....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2018-12-28 頒布
- 2019-11-01 實(shí)施



文檔簡介
ICS31020
L90.
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T37255—2018
偏置電場下材料熱釋電系數(shù)測試方法
TestmethodforpyroelectriccoefficientofmaterialsunderDCbiasfield
2018-12-28發(fā)布2019-11-01實(shí)施
國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布
中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
GB/T37255—2018
前言
本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標(biāo)準(zhǔn)由中國建筑材料聯(lián)合會提出
。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國工業(yè)陶瓷標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口
(SAC/TC194)。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所
:。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人董顯林曹菲王根水姚春華閆世光郭少波
:、、、、、。
Ⅰ
GB/T37255—2018
偏置電場下材料熱釋電系數(shù)測試方法
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了直流偏置電場下材料熱釋電系數(shù)的術(shù)語和定義原理試樣環(huán)境條件儀器設(shè)備樣
、、、、
品試驗(yàn)步驟試驗(yàn)數(shù)據(jù)處理
、、。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于鈦酸鍶鋇鉭鈧酸鉛等熱釋電材料在直流偏置電場下的熱釋電系數(shù)測量
、。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
鐵電壓電陶瓷詞匯
GB/T3389.1
3術(shù)語和定義
界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件
GB/T3389.1。
31
.
直流偏置電壓DCbiasvoltage
測量材料熱釋電系數(shù)時(shí)施加在被測樣品上下主表面的直流電壓
,。
32
.
直流偏置電場DCbiasfield
直流偏置電壓與被測樣品厚度的比值用符號E表示
,。
4原理
偏置電場下熱釋電系數(shù)是指在直流偏置電場E作用下樣品溫度改變時(shí)樣品極化強(qiáng)度P
(),,[(m)E]
隨溫度的變化率
。
當(dāng)樣品溫度改變時(shí)極化發(fā)生變化原平衡狀態(tài)時(shí)樣品表面的自由電荷不能完全屏蔽束縛電荷如
,,,
果與外電路聯(lián)接可在電路中測得電流
,。
偏置電場下熱釋電系數(shù)測量裝置見圖用電壓表測量取樣電阻R兩端的電壓值U同時(shí)記錄
1。()(),
電壓值U溫度T和時(shí)間t根據(jù)式可得到不同溫度和直流偏置電場下的熱釋電系數(shù)
()、()()。(1)
p給出的熱釋電系數(shù)應(yīng)指明直流偏置電場和測量溫度
[(m)E]。。
PItUt
p=d(m)E=×d=×d
(m)ETATA×RT………………(1)
ddd
式中
:
p電場E下的熱釋電系數(shù)單位為庫侖每平方米攝氏度2
(m)E———(),[C/(m·℃)];
P電場E下的極化強(qiáng)度單位為庫侖每平方米2
(m)E———(),(C/m);
I熱釋電電流單位為安
——
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