標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 39123-2020 X射線和γ射線探測器用碲鋅鎘單晶材料規(guī)范》是一項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn),旨在為X射線和γ射線探測器所使用的碲鋅鎘(CdZnTe, 簡稱CZT)單晶材料提供一套統(tǒng)一的質(zhì)量和技術(shù)要求。該標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了CZT晶體的物理特性、化學(xué)純度、晶體生長方法、缺陷控制以及性能測試等方面的內(nèi)容。
首先,在物理特性方面,標(biāo)準(zhǔn)對CZT晶體的密度、電阻率、載流子遷移率等關(guān)鍵參數(shù)進(jìn)行了具體限定,確保材料能夠滿足高靈敏度與低噪聲的應(yīng)用需求。此外,還特別強(qiáng)調(diào)了對于晶體內(nèi)部微結(jié)構(gòu)如位錯密度的要求,以保證其在實(shí)際使用中的穩(wěn)定性和可靠性。
其次,關(guān)于化學(xué)純度,文件明確了CZT中主要成分(Cd、Zn、Te)的比例范圍,并設(shè)定了雜質(zhì)元素的最大允許濃度值,包括但不限于Fe、Ni、Co等金屬離子以及其他非金屬污染物。這有助于減少背景噪聲并提高能量分辨率。
再者,針對晶體生長工藝,《GB/T 39123-2020》推薦了幾種常用的制備方法,如布里奇曼法(Bridgman method)、垂直梯度凝固法(Vertical Bridgman or Vertical Gradient Freeze, VGF)等,并給出了相應(yīng)的操作指南和技術(shù)條件。通過優(yōu)化生長過程可以有效降低缺陷產(chǎn)生幾率,獲得高質(zhì)量的大尺寸單晶。
最后,本標(biāo)準(zhǔn)還包含了詳細(xì)的性能測試方法及驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn),涵蓋電學(xué)性質(zhì)測量、輻射響應(yīng)特性分析等內(nèi)容。這些測試項(xiàng)目不僅用于評估CZT材料的基本屬性,也為其后續(xù)加工成探測器元件提供了重要參考依據(jù)。
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....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2020-10-11 頒布
- 2021-09-01 實(shí)施
文檔簡介
ICS07030
Q65.
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T39123—2020
X射線和γ射線探測器用碲鋅鎘單晶
材料規(guī)范
Specificationforcadmium-zinctelluridesinglecrystalmaterialforX-rayand
γ-raydetector
2020-10-11發(fā)布2021-09-01實(shí)施
國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布
國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
GB/T39123—2020
目次
前言
…………………………Ⅲ
范圍
1………………………1
規(guī)范性引用文件
2…………………………1
術(shù)語和定義
3………………1
要求
4………………………2
測試方法
5…………………2
檢驗(yàn)規(guī)則
6…………………6
包裝標(biāo)識運(yùn)輸和貯存
7、、…………………8
說明事項(xiàng)
8…………………8
Ⅰ
GB/T39123—2020
前言
本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別這些專利的責(zé)任
。。
本標(biāo)準(zhǔn)由中國建筑材料聯(lián)合會提出
。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國人工晶體標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口
(SAC/TC461)。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位西北工業(yè)大學(xué)陜西迪泰克新材料有限公司上海大學(xué)
:、、。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人介萬奇谷智徐亞東查鋼強(qiáng)王濤湯三奇魏登科閔嘉華張繼軍
:、、、、、、、、。
Ⅲ
GB/T39123—2020
X射線和γ射線探測器用碲鋅鎘單晶
材料規(guī)范
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了射線和射線探測器用碲鋅鎘單晶材料的技術(shù)要求質(zhì)量保證規(guī)定和交貨準(zhǔn)備
Xγ、。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于射線和射線探測器用碲鋅鎘單晶材料
Xγ。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
半導(dǎo)體單晶晶向測定方法
GB/T1555
硅片厚度和總厚度變化測試方法
GB/T6618
半導(dǎo)體材料術(shù)語
GB/T14264
高分辯率射線衍射測量襯底生長的中成分的試驗(yàn)方法
GB/T24576XGaAsAlGaAsAl
硅片平坦表面的表面粗糙度測量方法
GB/T29505
氮化鎵單晶襯底片射線雙晶搖擺曲線半高寬測試方法
GB/T32188X
3術(shù)語和定義
界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件
GB/T14264。
31
.
碲鋅鎘單晶cadmiumzinctelluridesinglecrystal
閃鋅礦結(jié)構(gòu)的固溶體合金可以視為碲化鎘和碲化鋅固溶而成其分子式為
,(CdTe)(ZnTe);
xxx屬于點(diǎn)群空間群
Cd1-ZnTe(0<<1),43m,F43m。
注隨著組元的含量x的變化其點(diǎn)陣常數(shù)也隨之變化主要用于室溫射線和射線探測器以及碲鎘汞薄
:Zn,;Xγ,
膜的外延襯底
。
32
.
組分x值compositionx
碲鋅鎘單晶中組元的含量可以視為碲化鋅與碲鋅鎘的摩爾比
Zn,(ZnTe)(CdZnTe)。
33
.
微沉淀相micro-precipitates
受溫度場分布和分凝效應(yīng)影響碲鋅鎘晶體生長過程中可能形成鎘和碲的顆粒狀微沉淀相其直徑
,,
不大于對晶體質(zhì)量存在較大的影響
100μm,。
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