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第8講電位函數(shù)授課內(nèi)容靜電場(chǎng)旋度和環(huán)路定律電位函數(shù)高斯通量定理8.1靜電場(chǎng)旋度和環(huán)路定律
1).
靜電場(chǎng)旋度(從物理角度)8.1.1
靜電場(chǎng)的旋度
分析當(dāng)電荷q0在電場(chǎng)從P點(diǎn)沿路徑C移至Q(P0)點(diǎn)時(shí)所做的功。
定義P、Q兩點(diǎn)間的電壓為:
分析點(diǎn)電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)中,P、Q兩點(diǎn)間的電壓:可見(jiàn),UPQ只與P和Q點(diǎn)的位置有關(guān),而與所取路徑無(wú)關(guān)。對(duì)于任何電荷分布,該結(jié)論都成立。
2).
靜電場(chǎng)的無(wú)旋性(從數(shù)學(xué)角度)
點(diǎn)電荷電場(chǎng)
矢量恒等式:故,靜電場(chǎng)是無(wú)旋場(chǎng)。取旋度0
2’).
靜電場(chǎng)的無(wú)旋性(從數(shù)學(xué)角度)
分布電荷電場(chǎng)故靜電場(chǎng)是無(wú)旋場(chǎng)。利用
當(dāng)取電場(chǎng)E沿閉合路徑的線(xiàn)積分時(shí),有在靜電場(chǎng)中,沿任一閉合路徑繞一周移動(dòng)單位正電荷,電場(chǎng)力做的功為0,這意味著當(dāng)所有電荷分布一定時(shí),電場(chǎng)能量即為一定值,故靜電場(chǎng)為保守場(chǎng)。右式表明靜電場(chǎng)是一個(gè)無(wú)旋場(chǎng)。由斯托克斯定理,得
在靜電場(chǎng)中,電場(chǎng)強(qiáng)度沿著閉合回路的環(huán)量恒等于零。
電場(chǎng)力作功與路徑無(wú)關(guān),靜電場(chǎng)是保守場(chǎng)。
二者等價(jià)。QPmn8.1.2
靜電場(chǎng)的環(huán)路定律8.2電位函數(shù)1)
電位的引出根據(jù)靜電場(chǎng)的無(wú)旋性,可以定義另一個(gè)表征靜電場(chǎng)特性的場(chǎng)量---標(biāo)量電位。如果取Q點(diǎn)作為電位參考點(diǎn)(電位為0),則P點(diǎn)電位定義為:
電位的單位與電壓相同,為V(伏)。物理含義:與將電荷從一點(diǎn)移至另一點(diǎn)所做的功有關(guān)。在靜電場(chǎng)中,將單位電荷從P1點(diǎn)移P2點(diǎn),克服電場(chǎng)力所做的功為:2)
電位參考點(diǎn)的選擇原則
場(chǎng)中任意兩點(diǎn)的電位差與參考點(diǎn)無(wú)關(guān)。任意兩點(diǎn)的電壓就是兩點(diǎn)間的電位差。
同一個(gè)物理問(wèn)題,只能選取一個(gè)參考點(diǎn)。
選擇參考點(diǎn)盡可能使電位表達(dá)式比較簡(jiǎn)單,且要有意義。在實(shí)際工作中,常常把大地表面作為電位參考點(diǎn)。而在理論分析中,只要引起電場(chǎng)的全部電荷都在有限的空間區(qū)域內(nèi),都可取無(wú)窮遠(yuǎn)處作為電位參考點(diǎn)。
參考點(diǎn)的選取是任意的,參考點(diǎn)不同,各點(diǎn)的電位都增加(或減少)一個(gè)常數(shù)。3)
已知電荷分布,求電位:點(diǎn)電荷群連續(xù)分布電荷設(shè)參考點(diǎn)在無(wú)究遠(yuǎn)處,真空中一個(gè)位于原點(diǎn)的點(diǎn)電荷q在離它R遠(yuǎn)處的電位為:4)
電位與電場(chǎng)強(qiáng)度關(guān)系:根據(jù)靜電場(chǎng)的無(wú)旋性微分關(guān)系:右式說(shuō)明,任意一點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度E的方向總是沿著電位減少的最快方向,其大小等于電位的最大變化率。是對(duì)場(chǎng)點(diǎn)的微分算符,積分是對(duì)源點(diǎn)進(jìn)行,可提到積分號(hào)外設(shè)P0為電位參考點(diǎn),即,則P點(diǎn)電位為電位與電場(chǎng)強(qiáng)度的積分關(guān)系線(xiàn)積分所以式中5)
電力線(xiàn)與等位線(xiàn)(面)
E線(xiàn):曲線(xiàn)上每一點(diǎn)切線(xiàn)方向應(yīng)與該點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度E的方向一致,若是電力線(xiàn)的長(zhǎng)度元,E
矢量將與方向一致,故電力線(xiàn)微分方程在直角坐標(biāo)系中:微分方程的解即為電力線(xiàn)E的方程。當(dāng)取不同的
C值時(shí),可得到不同的等位線(xiàn)(面)。
在靜電場(chǎng)中電位相等的點(diǎn)的曲面稱(chēng)為等位面,即等位線(xiàn)(面)方程:例:畫(huà)出電偶極子的等位線(xiàn)和電力線(xiàn)。電偶極子:相距很近的兩個(gè)等值異號(hào)電荷。(其與場(chǎng)點(diǎn)距離遠(yuǎn)大于其正負(fù)電荷距離)電偶極子的電矩:
(p的方向由-q指向q)采用球坐標(biāo)系:電力線(xiàn)微分方程(球坐標(biāo)系):代入上式,得解得E線(xiàn)方程為將和代入上式,等位線(xiàn)方程(球坐標(biāo)系):
表示電偶極矩,方向由負(fù)電荷指向正電荷。圖1.2.2電偶極子
當(dāng)R很大,且d<<R,r1,r2和R近似平行。r1r2電力線(xiàn)與等位線(xiàn)(面)的性質(zhì):
E線(xiàn)不能相交;
E線(xiàn)起始于正電荷,終止于負(fù)電荷;
E線(xiàn)愈密處,場(chǎng)強(qiáng)愈大;
E線(xiàn)與等位線(xiàn)(面)正交;電偶極子的等位線(xiàn)和電力線(xiàn)點(diǎn)電荷與接地導(dǎo)體的電場(chǎng)點(diǎn)電荷與不接地導(dǎo)體的電場(chǎng)均勻場(chǎng)中放進(jìn)了介質(zhì)球的電場(chǎng)均勻場(chǎng)中放進(jìn)了導(dǎo)體球的電場(chǎng)點(diǎn)電荷位于一塊介質(zhì)上方的電場(chǎng)點(diǎn)電荷位于一塊導(dǎo)平面上方的電場(chǎng)例2-3:下圖表示真空中平面上一半徑為a的圓形線(xiàn)電荷,其線(xiàn)密度為,求軸線(xiàn)上離圓心z處P點(diǎn)的電位和電場(chǎng)強(qiáng)度。
由于電荷分布的對(duì)稱(chēng)性,該處的電場(chǎng)強(qiáng)度僅有z方向的分量,即應(yīng)用圓柱坐標(biāo)系,P點(diǎn)電位為解:取一線(xiàn)元,其上所帶電荷量為,源點(diǎn)到場(chǎng)點(diǎn)P的距離為解:在圓盤(pán)上取一半徑為r、寬為dr的圓環(huán),由于dr
很小,源點(diǎn)到場(chǎng)點(diǎn)P的距離即為,圓環(huán)上的元電荷,它在軸線(xiàn)上P點(diǎn)所產(chǎn)生的電位為例2-4:求電荷密度為、半徑為a的均勻帶電圓盤(pán)(見(jiàn)圖)軸上的電場(chǎng)強(qiáng)度。并代入a=r
,則同樣可得或者利用前例中圓形線(xiàn)電荷在軸線(xiàn)上產(chǎn)生的電位的公式,將dr
很小形成的圓環(huán)看成是圓形線(xiàn)電荷,其相應(yīng)的線(xiàn)電荷密度滿(mǎn)足:整個(gè)圓盤(pán)上的電荷在P點(diǎn)的電位(z>0)可見(jiàn),只要z有限,則E是均勻的,且與z無(wú)關(guān)。當(dāng)時(shí),相當(dāng)與無(wú)限大帶電荷平面在其一側(cè)(z>0)附近產(chǎn)生的場(chǎng):應(yīng)用圓柱坐標(biāo)系中的梯度表達(dá)式,可得到電場(chǎng)強(qiáng)度為8.3.1高斯通量定理的微分形式8.3真空中的高斯定理(靜電場(chǎng)中場(chǎng)與源的關(guān)系)作散度運(yùn)算高斯定理的微分形式說(shuō)明靜電場(chǎng)是有源場(chǎng),電荷是電場(chǎng)的通量源。8.3.2高斯定理的積分形式
在無(wú)限大真空中有一點(diǎn)電荷,以該點(diǎn)電荷的在處為球心作一任意半徑為r的球面,則由該球面穿出的E通量應(yīng)為:
在如果包圍點(diǎn)電荷的是一個(gè)任意形狀的閉合面,則由該閉合面穿出的E能量應(yīng)為:
E對(duì)任意閉合面的通量只與面內(nèi)包含的電荷多少有關(guān),而與閉合面的形狀無(wú)關(guān)。高斯定理:在真空電場(chǎng)中,由任意閉合面穿出的E通量,應(yīng)等于該閉合面所包圍的電荷的代數(shù)和與真空電容率的比值
如果在無(wú)限大真空的電場(chǎng)中,閉合面S包圍了N個(gè)點(diǎn)電荷,根據(jù)疊加原理,可得:真空中高斯通量定理的積分形式靜電場(chǎng)中任一閉合面上E的通量不恒等于0,說(shuō)明靜電場(chǎng)是有通量源的場(chǎng),通量源為電荷。通過(guò)計(jì)算立體角的方法8.3.3
E的通量閉合曲面的電通量閉合面外的電荷對(duì)場(chǎng)的影響散度定理
S面上的E是由系統(tǒng)中全部電荷產(chǎn)生的。
E的通
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