標準解讀
《GB/T 4061-2009 硅多晶斷面夾層化學腐蝕檢驗方法》與《GB 4061-1983》相比,在內容和技術要求上進行了更新和細化,主要體現(xiàn)在以下幾個方面:
首先,《GB/T 4061-2009》將標準從強制性國家標準調整為推薦性國家標準,這一變化反映了國家對于該領域技術標準管理方式的調整。其次,在適用范圍上,新版本明確了適用于硅多晶材料中非金屬夾雜物及缺陷檢測的要求,并對樣品制備、試驗條件等細節(jié)做出了更加具體的規(guī)定。
此外,《GB/T 4061-2009》還增加了對試驗溶液成分的具體要求以及配制方法的描述,確保了不同實驗室間結果的一致性和可比性。同時,新版標準也詳細規(guī)定了腐蝕過程中的溫度控制、時間設定等關鍵參數(shù),以提高檢測精度。
在結果評定部分,《GB/T 4061-2009》不僅保留了原標準中關于缺陷分類的基本框架,而且進一步細化了各類缺陷的定義及其識別依據(jù),使得評價體系更為科學合理。另外,新標準還補充了實驗報告格式的相關要求,強調了記錄保存的重要性,有利于后續(xù)的數(shù)據(jù)分析與質量追溯。
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2009-10-30 頒布
- 2010-06-01 實施
文檔簡介
犐犆犛29.045
犎80
中華人民共和國國家標準
犌犅/犜4061—2009
代替GB4061—1983
硅多晶斷面夾層化學腐蝕檢驗方法
犘狅犾狔犮狉狔狊狋犪犾犾犻狀犲狊犻犾犻犮狅狀犲狓犪犿犻狀犪狋犻狅狀犿犲狋犺狅犱犪狊狊犲狊狊犿犲狀狋狅犳
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20091030發(fā)布20100601實施
中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局
發(fā)布
中國國家標準化管理委員會
書
犌犅/犜4061—2009
前言
本標準代替GB4061—1983《硅多晶斷面夾層化學腐蝕檢驗方法》。
本標準與原標準相比,主要有如下改動:
———增加了“術語”、“試劑與器材”;
———增加了“檢驗報告”內容;
———對試樣尺寸的切取方向和試樣處理內容增加了要求。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。
本標準起草單位:洛陽中硅高科技有限公司。
本標準主要起草人:袁金滿。
本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為:
———GB4061—1983。
Ⅰ
書
犌犅/犜4061—2009
硅多晶斷面夾層化學腐蝕檢驗方法
1范圍
本標準規(guī)定了以三氯氫硅和四氯化硅為原料在還原爐內用氫氣還原出的硅多晶棒的斷面夾層化學
腐蝕檢驗方法。
本標準關于斷面夾層的檢驗適用于以三氯氫硅和四氯化硅為原料,以細硅芯為發(fā)熱體,在還原爐內
用氫氣還原沉積生長出來的硅多晶棒。
2方法原理
本方法采用化學腐蝕法,根據(jù)氫氟酸硝酸混合液對硅多晶斷面氧化夾層及溫度夾層腐蝕速率的差
別進行檢驗。
3術語
3.1
氧化夾層狅狓犻犱犲犾犪犿犲犾犾犪
硅多晶橫斷面上呈同心圓狀結構的氧化硅夾雜。
3.2
溫度夾層狋犲犿狆犲狉犪狋狌狉犲犾犪犿犲犾犾犪
由于溫度起伏,在硅多晶的橫斷面上引起結晶致密度、晶粒大小或顏色的差異,晶粒呈現(xiàn)出以硅芯
為中心的年輪狀結構,也叫溫度圈(temperaturecircle)。
4試劑與器材
4.1試劑
4.1.1純水:大于2MΩ·cm純水(25℃)。
4.1.2氫氟酸(HF):化學純。
4.1.3硝酸(HNO3):化學純。
4.2器材
4.2.1器皿:采用耐氫氟酸腐蝕材料。
4.2.2排風櫥:采用耐酸氣腐蝕材料。
5試樣制備
5.1取樣部位
除在橋形硅多晶棒硅芯搭接處或者直的硅多晶棒離石墨卡頭10cm
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