GB/T 4937.18-2018半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第18部分：電離輻射(總劑量)

ICS3108001

L40..

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T493718—2018/IEC60749-182002

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半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法

第18部分電離輻射總劑量

:()

Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—

Part18Ionizinradiationtotaldose

:g()

(IEC60749-18:2002,IDT)

2018-09-17發(fā)布2019-01-01實(shí)施

國家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

中華人民共和國

國家標(biāo)準(zhǔn)

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法

第18部分電離輻射總劑量

:()

GB/T4937.18—2018/IEC60749-18:2002

*

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號(hào)

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號(hào)

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

:400-168-0010

年月第一版

20189

*

書號(hào)

:155066·1-61111

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GB/T493718—2018/IEC60749-182002

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前言

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法由以下部分組成

GB/T4937《》:

第部分總則

———1:;

第部分低氣壓

———2:;

第部分外部目檢

———3:;

第部分強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)

———4:(HAST);

第部分穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試驗(yàn)

———5:;

第部分高溫貯存

———6:;

第部分內(nèi)部水汽含量測(cè)試和其他殘余氣體分析

———7:;

第部分密封

———8:;

第部分標(biāo)志耐久性

———9:;

第部分機(jī)械沖擊

———10:;

第部分快速溫度變化雙液槽法

———11:;

第部分掃頻振動(dòng)

———12:;

第部分鹽霧

———13:;

第部分引出端強(qiáng)度引線牢固性

———14:();

第部分通孔安裝器件的耐焊接熱

———15:;

第部分粒子碰撞噪聲檢測(cè)

———16:(PIND);

第部分中子輻照

———17:;

第部分電離輻射總劑量

———18:();

第部分芯片剪切強(qiáng)度

———19:;

第部分塑封表面安裝器件耐潮濕和焊接熱綜合影響

———20:;

第部分對(duì)潮濕和焊接熱綜合影響敏感的表面安裝器件的操作包裝標(biāo)志和運(yùn)輸

———20-1:、、;

第部分可焊性

———21:;

第部分鍵合強(qiáng)度

———22:;

第部分高溫工作壽命

———23:;

第部分加速耐濕無偏置強(qiáng)加速應(yīng)力試驗(yàn)

———24:(HSAT);

第部分溫度循環(huán)

———25:;

第部分靜電放電敏感度試驗(yàn)人體模型

———26:(ESD)(HBM);

第部分靜電放電敏感度試驗(yàn)機(jī)械模型

———27:(ESD)(MM);

第部分靜電放電敏感度試驗(yàn)帶電器件模型器件級(jí)

———28:(ESD)(CDM);

第部分閂鎖試驗(yàn)

———29:;

第部分非密封表面安裝器件在可靠性試驗(yàn)前的預(yù)處理

———30:;

第部分塑封器件的易燃性內(nèi)部引起的

———31:();

第部分塑封器件的易燃性外部引起的

———32:();

第部分加速耐濕無偏置高壓蒸煮

———33:;

第部分功率循環(huán)

———34:;

第部分塑封電子元器件的聲學(xué)掃描顯微鏡檢查

———35:;

第部分恒定加速度

———36:;

Ⅰ

GB/T493718—2018/IEC60749-182002

.:

第部分采用加速度計(jì)的板級(jí)跌落試驗(yàn)方法

———37:;

第部分半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的軟錯(cuò)誤試驗(yàn)方法

———38:;

第部分半導(dǎo)體元器件原材料的潮氣擴(kuò)散率和水溶解率測(cè)量

———39:;

第部分采用張力儀的板級(jí)跌落試驗(yàn)方法

———40:;

第部分非易失性存儲(chǔ)器件的可靠性試驗(yàn)方法

———41:;

第部分溫度和濕度貯存

———42:;

第部分集成電路可靠性鑒定方案指南

———43:(IC);

第部分半導(dǎo)體器件的中子束輻照單粒子效應(yīng)試驗(yàn)方法

———44:。

本部分為的第部分

GB/T493718。

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分使用翻譯法等同采用半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分

IEC60749-18:2002《18:

電離輻射總劑量

()》。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任

。。

本部分由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本部分由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC78)。

本部分起草單位中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所中國科學(xué)院新疆理化技術(shù)研究所西北核

:、、

技術(shù)研究所

。

本部分主要起草人席善斌彭浩郭旗陸嫵陳偉林東生何寶平金曉明崔波陳海蓉

:、、、、、、、、、。

Ⅱ

GB/T493718—2018/IEC60749-182002

.:

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法

第18部分電離輻射總劑量

:()

1范圍

的本部分對(duì)已封裝的半導(dǎo)體集成電路和半導(dǎo)體分立器件進(jìn)行60射線源電離輻射

GB/T4937Coγ

總劑量試驗(yàn)提供了一種試驗(yàn)程序

。

本部分提供了評(píng)估低劑量率電離輻射對(duì)器件作用的加速退火試驗(yàn)方法這種退火試驗(yàn)對(duì)低劑量率

。

輻射或者器件在某些應(yīng)用情況下表現(xiàn)出時(shí)變效應(yīng)的應(yīng)用情形是比較重要的

。

本部分僅適用于穩(wěn)態(tài)輻照并不適用于脈沖型輻照

,。

本部分主要針對(duì)軍事或空間相關(guān)的應(yīng)用

。

本試驗(yàn)可能會(huì)導(dǎo)致輻照器件的電性能產(chǎn)生嚴(yán)重退化因而被認(rèn)為是破壞性試驗(yàn)

,。

2術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

21

.

電離輻射效應(yīng)ionizingradiationeffects

由輻射感生電荷引起分立器件或集成電路電參數(shù)的變化

。

注也稱為總劑量效應(yīng)

:。

22

.

輻照中測(cè)試in-fluxtest

輻照期間對(duì)器件進(jìn)行的電測(cè)試

。

23

.

非輻照中測(cè)試nonin-fluxt