無(wú)機(jī)化學(xué) 課件 大連理工 高教 第十一章 配合物結(jié)構(gòu)_第1頁(yè)
無(wú)機(jī)化學(xué) 課件 大連理工 高教 第十一章 配合物結(jié)構(gòu)_第2頁(yè)
無(wú)機(jī)化學(xué) 課件 大連理工 高教 第十一章 配合物結(jié)構(gòu)_第3頁(yè)
無(wú)機(jī)化學(xué) 課件 大連理工 高教 第十一章 配合物結(jié)構(gòu)_第4頁(yè)
無(wú)機(jī)化學(xué) 課件 大連理工 高教 第十一章 配合物結(jié)構(gòu)_第5頁(yè)
已閱讀5頁(yè),還剩29頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶(hù)提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

第十一章配合物結(jié)構(gòu)11.1配合物的空間構(gòu)型和磁性11.2配合物的化學(xué)價(jià)鍵理論一.配合物的空間構(gòu)型:配體圍繞中心離子排布的幾何構(gòu)型。10.1配合物的空間構(gòu)型和磁性第十一章配合物結(jié)構(gòu)配合物結(jié)構(gòu)一般規(guī)律:1.中心離子在中間位置提供空軌道,配位體提供孤對(duì)電子,圍繞中心離子以配位鍵與其結(jié)合。2.配位體之間盡可能遠(yuǎn)離,使配位體之間的斥力小,配合物相對(duì)穩(wěn)定。3.配合物的空間構(gòu)型不僅僅取決于配位數(shù),當(dāng)配位數(shù)相同時(shí),還與中心離子和配位體的種類(lèi)有關(guān)。直線(xiàn)形四面體平面正方形八面體例空間構(gòu)型配位數(shù)

246例三角形

四方錐

三角雙錐配位數(shù)

3

5空間構(gòu)型二.配合物的磁性磁性:是配合物的重要性質(zhì)。物質(zhì)在磁場(chǎng)中表現(xiàn)出來(lái)的性質(zhì)。分類(lèi):反磁性物質(zhì):磁力線(xiàn)通過(guò)反磁性物質(zhì)時(shí),比在真空中受到的阻力大,受到磁場(chǎng)排斥。順磁性物質(zhì):磁力線(xiàn)通過(guò)順磁性物質(zhì)時(shí),比在真空中容易,受到磁場(chǎng)吸引。鐵磁性物質(zhì):受到磁場(chǎng)強(qiáng)烈吸引。第十一章配合物結(jié)構(gòu)磁性產(chǎn)生的原因:物質(zhì)內(nèi)部電子自旋有關(guān)。反磁性物質(zhì):沒(méi)有未成對(duì)電子。順磁性物質(zhì):有未成對(duì)電子。鐵磁性物質(zhì):有較多未成對(duì)電子。磁性大小表示:磁矩:μ=[n(n+2)]1/2(B.M.)玻爾磁子磁性測(cè)定:舉例(用μ實(shí)與理論估算值相比較確定未成對(duì)電子數(shù))

n0

1

2

3

4

5μ/B.M.

01.732.833.874.905.92[Ti(H2O)6]3+Ti3+3d1μ實(shí)=1.73n=1K3[Mn(CN)6]Mn3+3d4μ實(shí)=3.18n=2K3[Fe(CN)6]Fe3+3d5

μ實(shí)=2.40n=19.2配合物的化學(xué)鍵理論

一.價(jià)鍵理論價(jià)鍵理論的要點(diǎn):1.中心離子(M):有空軌道;配位體(L):有孤對(duì)電子;二者間形成配位鍵ML。2.中心離子采用雜化軌道成鍵,配合物的空間構(gòu)型與中心離子的雜化方式有關(guān)。第十一章配合物結(jié)構(gòu)二配位的配合物氧化數(shù)為+1的離子易形成配位數(shù)為2的配合物。四配位的配合物六配位的配合物小結(jié):對(duì)價(jià)鍵理論的評(píng)價(jià)

優(yōu)點(diǎn):很好地解釋了配合物的空間構(gòu)型、磁性、穩(wěn)定性。直觀(guān)明了,使用方便。缺點(diǎn):不能預(yù)見(jiàn)在什么時(shí)候形成內(nèi)軌型配合物或外軌型配合物。不能解釋配合物的光譜性質(zhì)。晶體場(chǎng):帶負(fù)電荷(或有極性)的配位體對(duì)中心離子產(chǎn)生的靜電場(chǎng)。二.晶體場(chǎng)理論晶體場(chǎng)理論從靜電理論出發(fā),將中心離子和配位體視為點(diǎn)電荷。中心離子的5個(gè)d軌道在配位體的影響下,發(fā)生能級(jí)分裂。在八面體場(chǎng)中分裂成兩組軌道。兩組軌道間的能量差稱(chēng)為晶體場(chǎng)的分裂能。

晶體場(chǎng)理論要點(diǎn):

1、在配合物中,中心離子M處于帶電的配位體L形成的靜電場(chǎng)中,二者靠靜電作用結(jié)合在一起;2、晶體場(chǎng)對(duì)中心離子的d電子產(chǎn)生排斥作用,使中心離子的d

軌道發(fā)生能級(jí)分裂;3、分裂類(lèi)型與化合物的空間構(gòu)型有關(guān)。八面體場(chǎng)中d軌道能級(jí)分裂d

軌道與配體間的作用八面體場(chǎng)中d軌道能級(jí)分裂配合物離子的顏色所吸收光子的頻率與分裂能大小有關(guān)。顏色的深淺與躍遷電子數(shù)目有關(guān)。影響o的因素(中心離子,配位體,晶體場(chǎng))[Cr(H2O)6]3+

[Cr(H2O)6]2+o

/cm-11760014000[Fe(H2O)6]3+

[Fe(H2O)6]2+o

/cm-11370010400[CrCl6]3-[MoCl6]3-o

/cm-11360019200

[Co(H2O)6]3+

[Co(CN)6]3-[CoF6]3-

[Co(NH3)6]3+o

/cm-113000186002290034000各種配體對(duì)同一M產(chǎn)生的晶體場(chǎng)分裂能的值由小到大的順序:

I-<Br-<Cl-,SCN-<F-<OH-<C2O42<H2O<NCS-<EDTA<NH3<en<bipy<phen<SO32-<NO2<CO,CN-配位體的影響:光譜化學(xué)序列八面體場(chǎng)中心離子的d

電子分布:排布原則:(1)能量最低原理(2)Hund規(guī)則(3)Pauli不相容原理電子成對(duì)能(P):兩個(gè)電子進(jìn)入同一軌道時(shí)需要消耗的能量。強(qiáng)場(chǎng):o>P弱場(chǎng):o<P八面體場(chǎng)中電子在t2g和eg軌道中的分布八面體場(chǎng)中電子在t2g和eg軌道中的分布強(qiáng)場(chǎng)o>P弱場(chǎng)o<P例:1.晶體場(chǎng)穩(wěn)定化能(CFSE)的定義d電子從未分裂的d軌道進(jìn)入分裂后的d軌道,所產(chǎn)生的總能量下降值。晶體場(chǎng)穩(wěn)定化能(CFSE)2.CFSE的計(jì)算CFSE=(-4n1+6n2)Dq+(m1-m2)PCFSE=n1Et2g+n2Eeg+(m1-m2)P

=n1(-4Dq)+n2(6Dq)+(m1-m2)P

=(-4n1+6n2)Dq+(m1-

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶(hù)所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫(kù)網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶(hù)上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶(hù)上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶(hù)因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論