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文檔簡(jiǎn)介

授課老師:曹佰來(lái)1薄膜太陽(yáng)能電池薄膜太陽(yáng)能簡(jiǎn)介2薄膜太陽(yáng)能電池可使用價(jià)格低廉的玻璃,塑料,陶瓷,石墨,金屬片等不同材料當(dāng)基板來(lái)制造,形成可產(chǎn)生電壓的薄膜,厚度僅需數(shù)μm,厚度可低于晶體硅太陽(yáng)能電池90%以上)。薄膜電池除了平面之外,也因具有饒性可制作成非平面構(gòu)造。其應(yīng)用范圍大,可與建筑物結(jié)合或變成建筑的一部分,在薄膜太陽(yáng)電池制造上,可使用各種沉積(deposition)技術(shù),一層又一層的把p-型或n-型材料長(zhǎng)上去,常見(jiàn)的薄膜太陽(yáng)能電池有非晶硅、CuInSe2(CIS)、CuInGaSe2(CIGS)、和CdTe..等。薄膜太陽(yáng)能電池的種類薄膜新材料新技術(shù)化合物半導(dǎo)體硅薄膜類球狀硅納米技術(shù)有機(jī)類Cds,CdTe,CIS,CIGS硫化鎘,銻化鎘…低溫多晶硅微晶硅非晶硅薄膜太陽(yáng)能厚度比較:晶硅(200~350μm)、非晶性薄膜(0.5μm)

主要定義◆非晶硅——利用濺鍍或化學(xué)氣相沉積方式在玻璃或金屬基板上生成薄膜的太陽(yáng)能生產(chǎn)方式◆BIPV——一體型太陽(yáng)能電池模板,是結(jié)合太陽(yáng)能發(fā)電與建筑物外墻,將太陽(yáng)電池模組或陣列整合,設(shè)計(jì)并安裝在建筑物上的雙用途產(chǎn)品◆化合物半導(dǎo)體——硫化鎘,銻化鎘,硒化銦銅等化合物半導(dǎo)體材料轉(zhuǎn)換效率總體優(yōu)于非晶硅材料,12~30%薄膜太陽(yáng)能電池特點(diǎn):

◆相同遮蔽面積下功率損失小(弱光下的發(fā)電性能佳)

◆光照度相同下?lián)p失的功率較晶體硅太陽(yáng)能電池少◆功率溫度系數(shù),光傳輸性佳◆較高的累積發(fā)電量◆只需少量的硅原料,成本低◆厚度較晶體硅太陽(yáng)能電池薄◆沒(méi)有內(nèi)部電路短路問(wèn)題(連線已經(jīng)在串聯(lián)電池制造時(shí)內(nèi)建)◆可與建材整合性運(yùn)用(BIPV)薄膜太陽(yáng)能電池的應(yīng)用:◆建筑整合式太陽(yáng)能應(yīng)用(BIPV)◆隨身折疊式充電電源,軍事,旅行,海上設(shè)備等◆屋頂,建筑整合式,遠(yuǎn)端電力供應(yīng),國(guó)防等薄膜太陽(yáng)能結(jié)構(gòu)圖基板透明導(dǎo)電膜(P)半導(dǎo)體層(p型、i型、n型三層a-Si)金屬膜(N)以非晶硅為例電流薄膜太陽(yáng)能電池制備流程基板準(zhǔn)備,清洗TCO膜沉積鐳射切割半導(dǎo)體膜成形鐳射切割金屬膜成形鐳射切割測(cè)試,模組封裝及出貨IECEE認(rèn)可的測(cè)試機(jī)構(gòu)國(guó)家測(cè)試機(jī)構(gòu)法國(guó)LCIE德國(guó)VDE,TUV萊茵日本JET西班牙AENOR美國(guó)UL.Inc意大利IMQIEC61646

測(cè)試程序目測(cè)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件下的性能絕緣測(cè)試濕漏電流測(cè)試光曝露測(cè)試紫外線測(cè)試退火測(cè)試熱循環(huán)測(cè)試50次濕冷凍測(cè)試10次引線段強(qiáng)度測(cè)試扭曲測(cè)試濕漏電流測(cè)試光曝露測(cè)試測(cè)試溫度系數(shù)標(biāo)準(zhǔn)操作電池溫度標(biāo)準(zhǔn)操作電池溫度下性能低照射度下性能戶外暴露測(cè)試熱斑耐久測(cè)試退火測(cè)試熱循環(huán)測(cè)試200次

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