GB/T 7576-1998半導(dǎo)體器件分立器件第7部分：雙極型晶體管第四篇高頻放大管殼額定雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范

TcS.31.080.30L42中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T7576—1998idtIEC747-7-4:1991QC750107半導(dǎo)體器件分立器件第7部分:雙極型晶體管第四篇高頻放大管殼額定雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范Semiconductordevices-DiscretedevicesPart7：BipolartransistorsSectionFourBlankdetailspecificationforcase-ratedbipolartransistorsforhigh-frequeneyamplification1998-11-17發(fā)布1999-06-01實(shí)施國(guó)家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

GB/T7576一1998前吉本空白規(guī)范等同采用1991年發(fā)布的IEC747-7-4《高頻放大管殼額定的雙極型品體管空白詳細(xì)規(guī)范》第一版。由于該規(guī)范較原國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)更能表征該種器件的特性，因此,對(duì)原國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T7576-1987做了修訂，使之與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)一致。本規(guī)范與前版的主要差別是增加了含有害物質(zhì)的說(shuō)明及發(fā)射極-基極反向截止電流;調(diào)整了引用總規(guī)范及分規(guī)范的標(biāo)準(zhǔn)號(hào);刪去B9分組高溫見(jiàn)存。除除非另有規(guī)定，本標(biāo)準(zhǔn)第8章中引用的條號(hào)對(duì)應(yīng)于GB/T4589.1一1989《半導(dǎo)體器件中分立器件和集成電路總規(guī)范》IEC747-10：1991)的條號(hào),測(cè)試方法引自GB/T4587—1994《半導(dǎo)體分立器件和集成電路第7部分：雙極型品體管》(IEC747-7:1988），試驗(yàn)方法引自GB/T4937一1995《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法》（IEC749:1984).本規(guī)范由中華人民共和國(guó)電子工業(yè)部提出。本規(guī)范由全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口。本規(guī)范起草單位：電子工業(yè)部標(biāo)準(zhǔn)化研究所。本規(guī)范主要起草人：蔡仁明。

GB/T7576—1998IEC前言1）IEC(國(guó)際電工委員會(huì))在技術(shù)問(wèn)題上的正式?jīng)Q議或協(xié)議，是由對(duì)這些問(wèn)題特別關(guān)切的國(guó)家委員會(huì)參加的技術(shù)委員會(huì)制定的，對(duì)所涉及的間題盡可能地代表了國(guó)際上的一致意見(jiàn)。2）這些決議或協(xié)議，以推薦標(biāo)準(zhǔn)的形式供國(guó)際上使用,并在此意義上為各國(guó)家委員會(huì)所認(rèn)可。3）為了促進(jìn)國(guó)際間的統(tǒng)一,IEC希望各國(guó)家委員會(huì)在本國(guó)條件許可的情況下,采用IEC標(biāo)準(zhǔn)的文本作為其國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),IEC標(biāo)準(zhǔn)與相應(yīng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)之間的差異,應(yīng)盡可能在國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)中指明。本標(biāo)準(zhǔn)由IEC第47技術(shù)委員會(huì)(半導(dǎo)體器件)制定。本標(biāo)準(zhǔn)是高頻放大管殼額定雙極型品體管空白詳細(xì)規(guī)范、本標(biāo)準(zhǔn)文本以下列文本為依據(jù)：6個(gè)月法表決報(bào)告47（C098447(C0)1078表決批準(zhǔn)本標(biāo)準(zhǔn)的詳細(xì)資料可在上表所列的表決報(bào)告中查閱。本標(biāo)準(zhǔn)封面上的QC號(hào)為國(guó)際電工委員會(huì)電子元器件質(zhì)量評(píng)定體系（IECQ)的規(guī)范號(hào)。本標(biāo)準(zhǔn)引用的其他IEC標(biāo)準(zhǔn)：IEC68-2-17:1978基本環(huán)境試驗(yàn)程序，第2部分：試驗(yàn)：試驗(yàn)Q:密封IEC191-2:1966半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化第2部分：尺寸(在修訂中)IEC747-1:1983半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第1部分：總則：半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路IEC747-7:1988第7部分：雙極型品體管IEC747-10:1991半導(dǎo)體器件第10部分：分立器件和集成電路總規(guī)范IEC747-11:1985半導(dǎo)體器件第11部分：分立器件分規(guī)范IEC749:1984半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體器件分立器件第7部分：雙極型晶體管第四篇高頻放大管殼額定雙極型-1998晶體管空白詳細(xì)規(guī)范QC750107花替C87576-1987Semiconductordevices-DiscretedevicesPart7：BipolartransistorsSectionFour-Blankdetailspecificationforcase-ratedbipolartransistorsforhigh-frequencyamplifieation引本空白詳細(xì)規(guī)范規(guī)定了制定高頻放大管殼額定雙極型品體管詳細(xì)規(guī)范的基本原則，制定該范圍內(nèi)的所有詳細(xì)規(guī)范應(yīng)與本空白詳細(xì)規(guī)范一致。本空白詳細(xì)規(guī)范是與GB/T4589.1—1989《半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路總規(guī)范》和GB/T12560一1990《半導(dǎo)體器件分立器件分規(guī)范》IEC747-11:1985)有關(guān)的一系列空白詳細(xì)規(guī)范中的一個(gè)。要求資料下列所要求的各項(xiàng)內(nèi)容，應(yīng)列入規(guī)定的相應(yīng)空欄中。詳細(xì)規(guī)范的識(shí)別：（1）授權(quán)發(fā)布詳細(xì)規(guī)范的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)名稱(chēng)。（2）IECQ詳細(xì)規(guī)范號(hào)。（3）總規(guī)范號(hào)和分規(guī)范號(hào)以及年代號(hào)(4）詳細(xì)規(guī)范號(hào)、發(fā)布日期和國(guó)家體系要求的任何更多的資料器件的識(shí)別：（5）器件型號(hào)(6）典型結(jié)構(gòu)和應(yīng)用資料。如果設(shè)計(jì)一種器件滿(mǎn)足若干應(yīng)用,則應(yīng)在詳細(xì)規(guī)范中指出。這些應(yīng)用的特性、極限值和檢驗(yàn)要求均應(yīng)子以滿(mǎn)足。如果器件對(duì)靜電敏感或含有害物質(zhì),例如氧化鍍,則應(yīng)在詳細(xì)規(guī)范中附加注意事項(xiàng)。（7）外形圖和(或)引用有關(guān)的外形標(biāo)準(zhǔn)。(8）質(zhì)量評(píng)定類(lèi)別。(9）能在各器件型號(hào)之間比較的最重要特性的