數(shù)電課件新-第三章_第1頁(yè)
數(shù)電課件新-第三章_第2頁(yè)
數(shù)電課件新-第三章_第3頁(yè)
數(shù)電課件新-第三章_第4頁(yè)
數(shù)電課件新-第三章_第5頁(yè)
已閱讀5頁(yè),還剩78頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》(第五版)教學(xué)課件

劉伯恕福州大學(xué)電氣工程與自動(dòng)化學(xué)院電工電子教學(xué)中心第三章門(mén)電路3.1概述門(mén)電路:實(shí)現(xiàn)基本運(yùn)算、復(fù)合運(yùn)算的單元電路,如與門(mén)、與非門(mén)、或門(mén)······門(mén)電路中以高/低電平表示邏輯狀態(tài)的1/0正邏輯:高電平表示1,低電平表示0

負(fù)邏輯:高電平表示0,低電平表示1

高/低電平都有一個(gè)允許的范圍門(mén)電路分類:分立元件門(mén)電路集成門(mén)電路分立元件門(mén)電路介紹二極管與門(mén)、或門(mén)集成門(mén)電路介紹應(yīng)用最為廣泛的CMOS門(mén)電路和TTL門(mén)電路雙極型三極管組成TTL門(mén)電路,功耗大制作中、小規(guī)模集成電路(MSI,SSI)單極型三極管(互補(bǔ)MOS管)組成CMOS門(mén)電路,低功耗大規(guī)模集成電路(LSI)3.2半導(dǎo)體二極管門(mén)電路

半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)和外特性

(Diode)二極管的結(jié)構(gòu):

PN結(jié)+引線+封裝構(gòu)成(P)(N)D二極管的開(kāi)關(guān)等效電路:3.2.1二極管的開(kāi)關(guān)特性:RL較小二極管的開(kāi)關(guān)等效電路:理想二極管3.2.2二極管與門(mén)設(shè)VCC=5V加到A,B的VIH=3VVIL=0V二極管導(dǎo)通時(shí)VON=0.7VABY0V0V0V3V3V0V3V3VABY000010100111規(guī)定3V以上為10.7V以下為0(正邏輯)0.7V0.7V0.7V3.7V3.2.3二極管或門(mén)設(shè)加到A,B的VIH=3VVIL=0V二極管導(dǎo)通時(shí)VON=0.7VABY0V0V0V3V3V0V3V3VABY000011101111規(guī)定2.3V以上為10V以下為00V2.3V2.3V2.3V二極管構(gòu)成的門(mén)電路的缺點(diǎn)電平有偏移帶負(fù)載能力差只用于IC內(nèi)部電路,不直接帶負(fù)載3.3CMOS門(mén)電路

3.3.1MOS管的開(kāi)關(guān)特性一、MOS管的結(jié)構(gòu)金屬層氧化物層半導(dǎo)體層S(Source):源極G(Gate):柵極D(Drain):漏極B(Substrate):襯底以N溝道增強(qiáng)型為例:以N溝道增強(qiáng)型為例:當(dāng)加+VDS時(shí),VGS=0時(shí),D-S間是兩個(gè)背向PN結(jié)串聯(lián),iD=0開(kāi)啟電壓加上+VGS,且足夠大至VGS>VGS(th),D-S間形成導(dǎo)電溝道(N型層)對(duì)于N溝道增強(qiáng)型:二、輸入特性和輸出特性輸入特性:直流電流為0,沒(méi)有輸入特性??催M(jìn)去有一個(gè)輸入電容CI,對(duì)動(dòng)態(tài)有影響。輸出特性:

iD=f(VDS)對(duì)應(yīng)不同的VGS下得一族曲線。漏極特性曲線(分三個(gè)區(qū)域)截止區(qū)恒流區(qū)可變電阻區(qū)漏極特性曲線(分三個(gè)區(qū)域)截止區(qū):VGS<VGS(th),iD=0,ROFF>109Ω漏極特性曲線(分三個(gè)區(qū)域)

可變電阻區(qū):當(dāng)VDS較低(近似為0),VGS一定時(shí),這個(gè)電阻受VGS控制、可變。截止區(qū)和可變電阻區(qū)可作開(kāi)關(guān)狀態(tài)用,這和三極管截止飽和是一樣的。漏極特性曲線(分三個(gè)區(qū)域)恒流區(qū):iD

基本上由VGS決定,與VDS關(guān)系不大三、MOS管的基本開(kāi)關(guān)電路四、等效電路OFF,截止?fàn)顟B(tài)

ON,導(dǎo)通狀態(tài)五、MOS管的四種類型1、N溝道增強(qiáng)型導(dǎo)電溝道是N型,所以襯底是P型。2、N溝道耗盡型五、MOS管的四種類型導(dǎo)電溝道是N型。3、P溝道增強(qiáng)型五、MOS管的四種類型4、P溝道耗盡型五、MOS管的四種類型3.3.2CMOS反相器的電路結(jié)構(gòu)和工作原理一、電路結(jié)構(gòu)DDSSDDSS反相器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,利用NMOS與PMOS導(dǎo)電的互補(bǔ)性,叫互補(bǔ)對(duì)稱式MOS電路,稱CMOS電路。CMOS電路優(yōu)點(diǎn):靜態(tài)時(shí),流過(guò)T1T2的靜態(tài)電流很小,始終有一個(gè)截止功耗為0;輸出的高電平基本上是VDD,電源利用率高。二、電壓、電流傳輸特性DDSS二、電壓、電流傳輸特性DDSS二、電壓、電流傳輸特性DDSS二、電壓、電流傳輸特性連起來(lái):DDSS電壓傳輸特性三、輸入噪聲容限結(jié)論:可以通過(guò)提高VDD來(lái)提高噪聲容限電流傳輸特性DDSS3.3.3CMOS反相器的靜態(tài)輸入和輸出特性一、輸入特性二、輸出特性二、輸出特性3.3.4CMOS反相器的動(dòng)態(tài)特性一、傳輸延遲時(shí)間---輸出電壓變化落后于輸入電壓變化的時(shí)間稱之。3.3.4CMOS反相器的動(dòng)態(tài)特性一、傳輸延遲時(shí)間負(fù)載電容CL:當(dāng)負(fù)載為下一級(jí)反相器時(shí),下一級(jí)反相器的輸入電容和接線電容就構(gòu)成了這一級(jí)的負(fù)載電容。低高通截低高通截二、交流噪聲容限(自學(xué))三、動(dòng)態(tài)功耗三、動(dòng)態(tài)功耗

3.3.5其他類型的CMOS門(mén)電路一、其他邏輯功能的門(mén)電路1.與非門(mén)兩個(gè)PMOS并聯(lián),兩個(gè)NMOS串聯(lián)2.或非門(mén)一、其他邏輯功能的門(mén)電路二、漏極開(kāi)路的門(mén)電路(OD門(mén))

菱形表示OD門(mén)(a)結(jié)構(gòu)符號(hào)虛框內(nèi)菱形表示OD門(mén)三、CMOS傳輸門(mén)及雙向模擬開(kāi)關(guān)1.傳輸門(mén)并聯(lián),工作狀態(tài)受C、C控制。TP的B接高電平TN的B接低電平假如uo加電阻接地TPTNSDDS2.雙向模擬開(kāi)關(guān)四、三態(tài)輸出門(mén)三角形表示三態(tài)門(mén)三態(tài)門(mén)的用途3.5TTL門(mén)電路

3.5.1半導(dǎo)體三極管的開(kāi)關(guān)特性一、雙極型三極管的結(jié)構(gòu)管芯+三個(gè)引出電極+外殼二、三極管的輸入特性和輸出特性

三極管的輸入特性曲線(NPN)與二極管正向特性相似。

特性曲線分三個(gè)部分放大區(qū):特點(diǎn)VBE=0.7V,VCE>0.7V,IB>0,IC=βIB。飽和區(qū):特點(diǎn)VBE=0.7V,IB>0。IB增加,IC不再增加,VCE0。截止區(qū):特點(diǎn)VBE0V,IB=0,IC=0,c—e間“斷開(kāi)”。三極管的輸出特性三、雙極型三極管的基本開(kāi)關(guān)電路只要參數(shù)合理:VI=VIL時(shí),T截止,VO=VOHVI=VIH時(shí),T導(dǎo)通,VO=VOL四、三極管的開(kāi)關(guān)等效電路截止?fàn)顟B(tài)飽和導(dǎo)通狀態(tài)CE之間是斷開(kāi)的開(kāi)關(guān)CE之間近似是閉合的開(kāi)關(guān)六、三極管反相器三極管的基本開(kāi)關(guān)電路就是反相器 實(shí)際應(yīng)用中,為保證 VI=VIL時(shí)T可靠截止,常在 輸入接入負(fù)壓。

參數(shù)合理?VI=VIL時(shí),T截止,VO=VOHVI=VIH時(shí),T飽和,VO=VOL五、動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)特性(自學(xué))例3.5.1:計(jì)算參數(shù)設(shè)計(jì)是否合理5V-8V3.3KΩ10KΩ1KΩβ=20VCE(sat)=0.1VVIH=5VVIL=0V例3.5.1:計(jì)算參數(shù)設(shè)計(jì)是否合理將基極外接電路化為等效的VB與RB電路當(dāng)當(dāng)又因此,參數(shù)設(shè)計(jì)合理3.5.2TTL反相器的電路結(jié)構(gòu)和工作原理一、電路結(jié)構(gòu)設(shè)

二、電壓傳輸特性二、電壓傳輸特性二、電壓傳輸特性需要說(shuō)明的幾個(gè)問(wèn)題:

三、輸入噪聲容限3.5.3TTL反相器的靜態(tài)輸入特性和輸出特性

例:扇出系數(shù)(Fan-out),試計(jì)算門(mén)G1能驅(qū)動(dòng)多少個(gè)同樣的門(mén)電路負(fù)載。輸入輸出3.5.4TTL反相器的動(dòng)態(tài)特性一、傳輸延遲時(shí)間1、現(xiàn)象二、交流噪聲容限(自學(xué))三、電源的動(dòng)態(tài)尖峰電流(自學(xué))3.5.5其他類型的TTL門(mén)電路一、其他邏輯功能的門(mén)電路1.與非門(mén)2.或非門(mén)二、集電極開(kāi)路的門(mén)電路1、推拉式輸出電路結(jié)構(gòu)的局限性①

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫(kù)網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論