電路基礎與集成電子技術-163 隨機存儲器RAM課件

16.3隨機存儲器16.3.1靜態(tài)RAM的結構和工作原理16.3.2集成RAM

RAM是RandomAccessMemory的縮寫，通常稱為隨機存儲器，也稱為讀寫存儲器。它的特點是在工作過程中，數(shù)據(jù)可以隨時寫入和讀出，使用靈活方便，但所存數(shù)據(jù)在斷電后消失。RAM按著工作原理分為:1.靜態(tài)隨機存儲器SRAM：只要不斷電，數(shù)據(jù)不丟失2.動態(tài)隨機存儲器DRAM：通電時要不斷對存儲的數(shù)據(jù)進行刷新，否則數(shù)據(jù)丟失

RAM電路由地址譯碼器、存儲矩陣和讀/寫控制電路組成，RAM的讀、寫操作由讀/寫控制電路管理。

RAM的核心是基本存儲單元，其結構有雙極型和MOS型兩種，雙極型的已經(jīng)很少使用。16.3.1靜態(tài)RAM的結構和工作原理

16.3.1.1存儲矩陣

SRAM的存儲矩陣由許多存儲單元構成，每個存儲單元存放一位二進制碼，“0”或“1”。與ROM存儲單元不同的是，RAM存儲單元的數(shù)據(jù)不是預先固定的，而是由外部的信息決定的。要存儲這些信息，RAM存儲單元必須用具有記憶功能的電路，如觸發(fā)器等電路構成。

地址譯碼器是最小項譯碼器，也稱為N中取一譯碼器，一個地址碼對應一條字線。當某條字線被選中時，與該字線相聯(lián)系的存儲單元就與數(shù)據(jù)線相通，以便實現(xiàn)讀取數(shù)據(jù)或寫入數(shù)據(jù)。圖16.3.1RAM的結構框圖

SRAM的存儲矩陣由許多存儲單元構成，每個存儲單元存放一位二進制碼，“0”或“1”。SRAM的存儲單元與ROM存儲單元類似，但不同的是，RAM存儲單元的數(shù)據(jù)不是預先固定的，而是由外部信息根據(jù)工作需要隨時寫入的。要存儲這些信息，RAM存儲單元必須用具有記憶功能的電路，如觸發(fā)器等電路構成。

當一個地址碼選中相應的存儲單元時，是讀還是寫，可采用高電平或低電平作為讀寫控制信號。當時，執(zhí)行讀操作，RAM將存儲矩陣中的內容送到I/O端；當時，執(zhí)行寫操作，RAM將輸入/輸出端上的輸入數(shù)據(jù)寫入存儲矩陣。在同一時間內不可能同時執(zhí)行讀/寫指令，讀和寫的功能只能一項一項地執(zhí)行。因此可以將輸入線和輸出線合用一條雙向數(shù)據(jù)線（I/O），利用讀/寫控制信號和讀/寫控制電路，通過I/O線讀出或寫入數(shù)據(jù)。16.3.2集成RAM以MOTOROLA公司生產(chǎn)的MCM6264為例，說明RAM的使用情況。圖16.3.4為MCM6264的管腳圖。其中A12～A0為13根地址線，容量213×8bit=64k；DQ7～DQ0為8位