組原補(bǔ)充：二極管、三極管開關(guān)特性課件_第1頁
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文檔簡介

2.1.1理想開關(guān)的開關(guān)特性一、靜態(tài)特性①斷開②閉合SAK2.1半導(dǎo)體二極管、三極管和MOS管的開關(guān)特性2.1.1理想開關(guān)的開關(guān)特性SAK2.1半導(dǎo)體二極管、三極管和MOS管的開關(guān)特性二、動態(tài)特性①開通時間：②關(guān)斷時間：閉合）（斷開斷開）（閉合普通開關(guān)：靜態(tài)特性好，動態(tài)特性差半導(dǎo)體開關(guān)：靜態(tài)特性較差，動態(tài)特性好幾百萬/秒幾千萬/秒2.1.2半導(dǎo)體二極管的開關(guān)特性一、靜態(tài)特性①外加正向電壓(正偏)二極管導(dǎo)通(相當(dāng)于開關(guān)閉合)②外加反向電壓(反偏)二極管截止(相當(dāng)于開關(guān)斷開)陰極A陽極KPN結(jié)-AK+P區(qū)N區(qū)++++++++--------1.結(jié)構(gòu)示意圖、符號和伏安特性一、靜態(tài)特性NPN2.1.3半導(dǎo)體三極管的開關(guān)特性發(fā)射結(jié)集電結(jié)發(fā)射極emitter基極base集電極collectorbiBiCec(電流控制型)NNP1、結(jié)構(gòu)示意圖和符號2.半導(dǎo)體三極管的開關(guān)應(yīng)用發(fā)射結(jié)反偏T截止發(fā)射結(jié)正偏T導(dǎo)通+RcRb+VCC

(12V)+uoiBiCTuI3V-2V2k2.3k2.1.4MOS管的開關(guān)特性(電壓控制型)MOS（Mental–Oxide–Semiconductor）

金屬

–

氧化物

–

半導(dǎo)體場效應(yīng)管一、靜態(tài)特性1.結(jié)構(gòu)和特性：(1)N溝道柵極

G漏極

DB源極

SiD+-uGS+-uDS襯底

P溝道增強(qiáng)型MOS管與N溝道有對偶關(guān)系。(2)P溝道柵極

G漏極

DB源極

SiD+-uGS+-uDS襯底參考方向(2)P溝道增強(qiáng)型MOS管-VDD-10VRD20kBGDSuIuO-VDD-10VRD20kGDSuIuO-VDD-

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