保護(hù)電路介紹課件

概要保護(hù)電路基本構(gòu)成各元器件簡要介紹保護(hù)電路工作原理保護(hù)電路的附加功能保護(hù)電路的最新發(fā)展保護(hù)電路基本構(gòu)成貼片電阻、貼片電容、場效應(yīng)管、保護(hù)IC另外有的有熱敏電阻、識別電阻（或識別IC)、保險絲等。元器件簡要介紹元器件作用保護(hù)IC檢測保護(hù)電路當(dāng)前的電壓、電流、時間等參數(shù)以此來控制場效應(yīng)管的開關(guān)狀態(tài)場效應(yīng)管由保護(hù)IC來控制回路中是否有需開或關(guān)貼片電阻限流貼片電容濾波、調(diào)節(jié)延遲時間熱敏電阻檢測電池塊內(nèi)的環(huán)境溫度保險絲防止流過電池的電流過大，切斷電流回路元器件簡要介紹---貼片電阻2、阻值及允許偏差：貼片電阻表面上用三位數(shù)字表示阻值，其中第一、二位為有效數(shù)字，第三位數(shù)字表示后接零的數(shù)目，有小數(shù)點(diǎn)時用“R”來表示，并占一位有效位數(shù)，如511是51×101=510R。2R2=2.2R；允許偏差：F檔表示1﹪；J檔表示5﹪；K檔表示10﹪。元器件簡要介紹---貼片電容

基本參數(shù)：封裝尺寸、耐壓、容值、允許偏差、材質(zhì)、阻抗等1、封裝尺寸：其尺寸代碼與貼片電阻相同。2、耐壓：不同容值、不同封裝、不同偏差的電容廠家能做到的耐壓值也不相同。一般容值越低，耐壓值越高；封裝尺寸越大耐壓值也越高；偏差越大耐壓值越高。3、容值與允許偏差：容值表示方法與電阻類似，如0R5表示0.5PF,104表示100000PF即0.1UF；允許偏差表示方法也與電阻類似，F(xiàn)檔表示1﹪；J檔表示5﹪；K檔表示10﹪；M檔表示20﹪；Z檔表示+80,-20﹪。

4、材質(zhì)：COG(NPO)容值精度為5﹪；X5R(X7R)容值精度為10﹪；Y5V容值精度為20﹪；Z5U容值精度為+80,-20﹪；元器件簡要介紹---熱敏電阻

有PTC(POSITIVETEMPERATURECOEFFICENT)正溫度系數(shù)，如過流保護(hù)器；NTC(NEGATIVETEMPERATURECOEFFICENT)負(fù)溫度系數(shù)兩種。NTC基本參數(shù)有封裝尺寸、阻值、允許偏差，B常數(shù)、B值偏差等。

NTC阻值隨溫度呈非線性變化，NTC熱敏電阻的阻值隨溫度的變化函數(shù)如下式：

R25C是熱敏電阻在室溫下的阻值，β是熱敏電阻材料的開爾文(Kelvins)常數(shù)，T是熱敏電阻的實際攝氏溫度。

元器件簡要介紹---場效應(yīng)管

縮寫為FET，電壓控制器件，可通過改變輸入電壓來改變輸入電流，有N溝道與P溝道兩種。基本參數(shù)封裝、耐壓、耐流、內(nèi)阻等。

1、與三極管相比具有的優(yōu)點(diǎn)：三極管電流控制器件，內(nèi)阻較大，耗電很大，電流不可雙向流動。

2、N溝道場效應(yīng)管與P溝道場效應(yīng)管相比：N溝道高電平導(dǎo)通，內(nèi)阻較小，價格較低；P溝道低電平導(dǎo)通，內(nèi)阻較大，價格較高。

3、耐壓：指柵源間耐壓VGSS與漏源間耐壓VDSS。

4、耐流：指場效應(yīng)管導(dǎo)通時可流過場效應(yīng)管D、S間的最大電流，有恒流耐流與脈沖電流兩種。

5、內(nèi)阻：指場效應(yīng)管導(dǎo)通時不同電壓、電流下D、S間的內(nèi)阻，電壓越高時，內(nèi)阻越低；電流越大，內(nèi)阻越高。

6、保護(hù)電路中，單雙節(jié)保護(hù)電路用N溝道場效應(yīng)管，多節(jié)用P溝道。元器件簡要介紹---保護(hù)IC

分單節(jié)保護(hù)IC與多節(jié)（串聯(lián)）用保護(hù)IC，有內(nèi)置延時與外置延時，發(fā)展趨勢是由外置延時發(fā)展到內(nèi)置延時。基本功能有過充保護(hù)、過放保護(hù)、過流保護(hù)、短路保護(hù)等。基本參數(shù)有過充電保護(hù)（釋放）電壓、過放電保護(hù)（釋放）電壓、過充（放、流）保護(hù)延時等。

保護(hù)電路工作原理---應(yīng)用電路圖保護(hù)電路工作原理---特點(diǎn)1、每種保護(hù)只關(guān)斷一個場效應(yīng)管。關(guān)斷具體場效應(yīng)管為：過充保護(hù)---過充場效應(yīng)管過放保護(hù)---過放場效應(yīng)管過流保護(hù)---過放場效應(yīng)管短路保護(hù)---過放場效應(yīng)管2、每種保護(hù)關(guān)斷時都經(jīng)過一定的延時以避免誤動作。其中過充保護(hù)延時是通過改變外部電容容值來設(shè)置延時的，其它保護(hù)延時是內(nèi)置的。保護(hù)電路工作原理---兩參數(shù)確定1、過充電保護(hù)延時：計算公式為：

tVdet1[sec]=(C3[F]X(Vdd(V)-0.7)/(0.48X10-6)式中：Vdd為保護(hù)IC的過充電檢測電壓值。簡便計算：延時時間=C3（UF）/0.01UFX77ms

如若C3容值為0.22UF,則延時值為0.22/0.01X77=1694ms。嚴(yán)格計算還要考慮電容容值的偏差。保護(hù)電路工作原理---兩參數(shù)確定

2、過電流值的計算：

依據(jù)公式I=U/R式中I為所要計算的過電流檢測值；U為保護(hù)IC的過電流檢測電壓值；R為保護(hù)電路中從B-~P-間的內(nèi)阻值，具體來間說指的是保護(hù)IC的第6腳與R2外接P-處的內(nèi)阻（大電流回路中MOSFET與PCB布線內(nèi)阻之和）。例如：一個保護(hù)電路中保護(hù)IC檢驗電壓為0.20V,R為40mR（MOS管內(nèi)阻以3.8V左右計），則過電流檢測電壓值0.20V/4