場效應(yīng)管及其基本放大電路課件

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)

FundamentalsofAnalogElectronic

第五章場效應(yīng)管及其放大電路第五章場效應(yīng)管及其放大電路§5.1場效應(yīng)管§5.2場效應(yīng)管基本放大電路§5.1場效應(yīng)管一、結(jié)型場效應(yīng)管二、絕緣柵型場效應(yīng)管三、場效應(yīng)管的分類2.工作原理

（1）柵-源電壓對導(dǎo)電溝道寬度的控制作用溝道最寬溝道變窄溝道消失稱為夾斷

uGS可以控制導(dǎo)電溝道的寬度。為什么g-s必須加負(fù)電壓？UGS（off）（2）漏-源電壓對漏極電流的影響uGS＞UGS（off）且不變，VDD增大，iD增大。預(yù)夾斷uGD＝UGS（off）VDD的增大，幾乎全部用來克服溝道的電阻，iD幾乎不變，進(jìn)入恒流區(qū)，iD幾乎僅僅決定于uGS。場效應(yīng)管工作在恒流區(qū)的條件是什么？uGD>UGS（off）uGD<UGS（off）夾斷電壓漏極飽和電流3.特性場效應(yīng)管工作在恒流區(qū)，因而uGS＞UGS（off）且uGD＜UGS（off）。uDG＞－UGS（off）（1）轉(zhuǎn)移特性二、絕緣柵型場效應(yīng)管uGS增大，反型層（導(dǎo)電溝道）將變厚變長。當(dāng)反型層將兩個N區(qū)相接時，形成導(dǎo)電溝道。SiO2絕緣層襯底耗盡層空穴高摻雜反型層1.增強(qiáng)型管大到一定值才開啟增強(qiáng)型MOS管uDS對iD的影響

用場效應(yīng)管組成放大電路時應(yīng)使之工作在恒流區(qū)。N溝道增強(qiáng)型MOS管工作在恒流區(qū)的條件是什么？iD隨uDS的增大而增大，可變電阻區(qū)uGD＝UGS（th）,預(yù)夾斷iD幾乎僅僅受控于uGS，恒流區(qū)剛出現(xiàn)夾斷uDS的增大幾乎全部用來克服夾斷區(qū)的電阻2.耗盡型MOS管

耗盡型MOS管在

uGS＞0、uGS

＜0、uGS

＝0時均可導(dǎo)通，且與結(jié)型場效應(yīng)管不同，由于SiO2絕緣層的存在，在uGS＞0時仍保持g-s間電阻非常大的特點。加正離子小到一定值才夾斷uGS=0時就存在導(dǎo)電溝道3.場效應(yīng)管的分類

工作在恒流區(qū)時g-s、d-s間的電壓極性問題：uGS=0可工作在恒流區(qū)的場效應(yīng)管有哪幾種？

只有uGS＞0才可能工作在恒流區(qū)的場效應(yīng)管有哪幾種？只有uGS＜0才可能工作在恒流區(qū)的場效應(yīng)管有哪幾種？例題例5.1.1（P138）例5.1.2例5.1.3（場效應(yīng)管恒流源）討論一：利用圖示場效應(yīng)管組成原理性共源放大電路。§5.2場效應(yīng)管基本放大電路一、場效應(yīng)管靜態(tài)工作點的設(shè)置方法二、場效應(yīng)管放大電路的動態(tài)分析三、場效應(yīng)管放大電路的頻率響應(yīng)一、場效應(yīng)管靜態(tài)工作點的設(shè)置方法

根據(jù)場效應(yīng)管工作在恒流區(qū)的條件，在g-s、d-s間加極性合適的電源1.基本共源放大電路2.自給偏壓電路由正電源獲得負(fù)偏壓稱為自給偏壓哪種場效應(yīng)管放大電路能夠采用這種電路形式設(shè)置Q點？二、場效應(yīng)管放大電路的動態(tài)分析近似分析時可認(rèn)為其為無窮大！根據(jù)iD的表達(dá)式或轉(zhuǎn)移特性可求得gm。與晶體管的h參數(shù)等效模型類比：1.場效應(yīng)管的交流等效模型求gm一般手冊中會給出gm在給定IDQ處的值2.基本共源放大電路的動態(tài)分析若Rd=3kΩ，Rg=1MΩ，gm=2mS，則與共