單電子晶體管課件

單電子晶體管目錄一、單電子晶體管定義及結(jié)構(gòu)二、單電子晶體管工作原理三、單電子晶體管特征四、單電子晶體管發(fā)展概況五、單電子晶體管的應(yīng)用及展望一、定義及結(jié)構(gòu)定義：?jiǎn)坞娮泳w管是基于庫侖阻塞效應(yīng)和單電子隧道效應(yīng)的基本物理原理的一種新型納米電子器件。結(jié)構(gòu)：一般它由以下5部分組成，（1）庫侖島或量子點(diǎn)；（2）隧道勢(shì)壘；（3）勢(shì)壘區(qū)；（4）柵氧化層；（5）源、漏、極。如右圖1所示。圖1SET的基本結(jié)構(gòu)形式定義電化學(xué)勢(shì)μd(N)為將第N個(gè)電子加到點(diǎn)上所需要的能量。在外加偏壓下，點(diǎn)的電勢(shì)有兩種情形。情形如圖2(b)時(shí)，μd(N)<μ2<μ1<μd（N+1），此時(shí)，不能再加第N+1個(gè)電子到點(diǎn)中，電子輸運(yùn)被禁止，稱為庫侖阻塞。如果改變電壓，則達(dá)到第二種情形，如圖2(c),即μ1>μd（N+1）>μ2。此時(shí)，電子可以從左邊庫進(jìn)入到點(diǎn)中，然后再出來到右邊庫。圖2窄通道結(jié)構(gòu)的勢(shì)能圖圖2窄通道結(jié)構(gòu)的勢(shì)能圖如圖中箭頭所示形成電流，這稱為單電荷隧穿。如果不斷增加?xùn)艍篤g,則單電荷隧穿狀態(tài)和庫侖阻塞狀態(tài)交替出現(xiàn)，稱為庫侖振蕩(Coulomboscillation)。如果將兩極電壓變化而柵壓不變，隨著V的增加，I將以臺(tái)階式增加，每一個(gè)臺(tái)階對(duì)應(yīng)增加一個(gè)電子輸運(yùn)，臺(tái)階之間的間隔為△V=e/C，稱為庫侖臺(tái)階(Coulombstaircase)。在上面的討論中，電荷通過比自己能量高的勢(shì)壘的隧穿是由粒子的波粒二象性決定的，通過解薛定諤方程，可得出隧穿幾率隨勢(shì)壘高度變化而變化的定量公式。因此，人為調(diào)節(jié)柵壓和兩極電壓，就可以控制電荷的通過或者截止，且能控制每次流過電荷的個(gè)數(shù)。這就是單電子器件的工作原理。1968年，Zeller和Giaever研究了Al-Al2O3-Al結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電特性。結(jié)果顯示，當(dāng)電壓較低時(shí)，電流較小，而電壓超過某一臨界電壓Vs時(shí)，電導(dǎo)趨向于飽和。Vs強(qiáng)烈地依賴于Sn顆粒的大小。據(jù)此，他們指出，在低溫時(shí)，對(duì)于單隧道結(jié)，只有當(dāng)V>e/2C時(shí)才有電流，并將這一電壓值稱為庫侖抑制勢(shì)。1969年，Lambe和Jaklevic的實(shí)驗(yàn)表明，金屬顆粒中的平均電荷數(shù)隨附加電壓的增加而增加。Shekhter據(jù)此分析預(yù)言，此種結(jié)構(gòu)中，I-V曲線將隨電壓的變化作周期性的振蕩。此預(yù)言后來被實(shí)驗(yàn)所證實(shí)。這個(gè)結(jié)論激發(fā)起人們的靈感，人們開始設(shè)想，可以通過周期性地改變中間金屬顆粒的電壓來控制單個(gè)電子的通過與截?cái)?。單電子晶體管的概念就這樣產(chǎn)生。四、單電子晶體管發(fā)展概況1988年MIT的ScottThoms在0.2K溫度下測(cè)量極窄的n溝硅MOS晶體管的溝道電導(dǎo)隨柵壓變化時(shí)偶然發(fā)現(xiàn)現(xiàn)象。1989年的IBM的Meirav等人根據(jù)SET原理，采用分子束外延工藝，利用GaAs/AIGaAs異質(zhì)結(jié)，研制成功SET，在4K溫度下觀察到SET特性。2001年日本科學(xué)家研制成功SET，在SET該中使用的硅和二氧化鐵材料的結(jié)構(gòu)尺寸都達(dá)到10nm左右的尺度。近幾年來,SET已成為納米電子器件研究的熱點(diǎn)。我國(guó)中科院物理所王太宏教授領(lǐng)導(dǎo)的凝聚態(tài)物理中心于1996年研制成功波導(dǎo)型單電子晶體管，它是由一維波導(dǎo)及線條柵等組成的SET，其工作溫度高、性能穩(wěn)定和適用集成。1999年又研制成功可工作在90K以上的高溫點(diǎn)接觸平面柵型單電子晶體管，于2001年9月在美國(guó)召開的國(guó)際納米器件研討會(huì)上發(fā)表，得到了國(guó)外同行專家的好評(píng)。存在問題單電子器件雖然有很多優(yōu)點(diǎn)，但是也存在不少問題。主要體現(xiàn)在以下兩個(gè)方面。1)在理論上，對(duì)單電子器件中載流子的行為還不能十分精確地了解。單電子器件是一種人造量子系統(tǒng)，因此需要對(duì)自洽與非自洽人造量子系統(tǒng)進(jìn)行研究。雖然代數(shù)動(dòng)力學(xué)是一個(gè)較好的工具，但也只能解少數(shù)具有動(dòng)力學(xué)代數(shù)結(jié)構(gòu)的部分。另外，單電子器件中的粒子既不同于宏觀的無限多粒子體系,也不同于單分子、原子體系。它是一種介觀體系，研究純宏觀與純微觀的理論和方法均需要加以修正。對(duì)于制備ULSI來說，載流子波動(dòng)的相互干涉對(duì)計(jì)算機(jī)的運(yùn)行穩(wěn)定性問題均需要研究。五、單電子晶體管的應(yīng)用及展望由于SET具有高頻、高速、功耗小、集成度高和適用作多值邏輯等特性，所以SET可廣泛用于高速高密度IC、超高靈敏度靜電計(jì)、單光子器件、高靈敏度紅外輻射探測(cè)器、超高速微功耗特大規(guī)模量子功能器件、電路和系統(tǒng)、量子功能計(jì)算機(jī)等。如日本電信電話公司于1999年12月研制成功采用多個(gè)單電子晶體管的電子計(jì)算機(jī)邏輯電路，最初的電路是一個(gè)加法器。2001年4月又研制成功基于硅襯底可高密度集成化的單電子晶體管和單電子元件。如果把各種技術(shù)相結(jié)合,有望不久將實(shí)現(xiàn)高密度集成化單電子邏輯電路。但是，目前大多數(shù)單電子晶體管和IC的工作溫度都較低，通常在液氮溫度（77K）。目前，人們正在探索室溫工作的SET及其IC。由于傳統(tǒng)的集成電路已經(jīng)快達(dá)到其物理極限,如果想使集成電路進(jìn)一步發(fā)展，就必須尋求新的方法和器件。單電子器件作為一種從傳統(tǒng)器件到量子器件的過渡產(chǎn)品，是符合實(shí)際情況的途徑，也許