方便易用的功放集成電路LMD18245

方便易用的功放集成電路LMD18245隨著集成電路制造技術(shù)的發(fā)展，集成功率放大器的性能不斷提高。當(dāng)前，出現(xiàn)了許多用于中小型直流電機(jī)及步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的性能優(yōu)良的集成電路產(chǎn)品。對(duì)于中小型直流電機(jī)及步進(jìn)電機(jī)控制電路的設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)，選用性能參數(shù)都比較合適的集成功率放大器，與采用分立元件設(shè)計(jì)的功放電路相比，不但能減小功放電路的體積，提高功放電路的整體性能；而且由于集成功放中設(shè)計(jì)了多種多樣的保護(hù)電路，從而可以減少系統(tǒng)發(fā)生故障的可能性，提高電路的可靠性。例如，美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司推出的DMOS全橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器LMD18245，只需外接兩個(gè)電阻和兩個(gè)電容，即可實(shí)現(xiàn)電機(jī)的全橋驅(qū)動(dòng)、數(shù)字電流控制、過(guò)流保護(hù)、過(guò)熱保護(hù)、欠壓保護(hù)、防止對(duì)管直通等功能，充分體現(xiàn)了集成功放電路外圍電路簡(jiǎn)單、性能穩(wěn)定可靠、控制功能全面的特點(diǎn)。LMD18245是為中小型直流電機(jī)及兩相步進(jìn)電機(jī)設(shè)計(jì)的功率放大集成電路°NS公司在該種芯片的制造過(guò)程中應(yīng)用了多種技術(shù)以達(dá)到在單個(gè)芯片上同時(shí)集成雙極性邏輯電路、CMOS邏輯電路以及DMOS功率開(kāi)關(guān)電路的目的，從而使芯片內(nèi)部不僅包含了DMOS開(kāi)關(guān)功率放大電路，還包含了直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)及控制所需的所有電路模塊，如四位D/A轉(zhuǎn)換器、電機(jī)電流傳感放大器、比較器、單穩(wěn)電路、輸入及控制邏輯、過(guò)流保護(hù)、欠壓保護(hù)、過(guò)熱保護(hù)等。在負(fù)載電流的測(cè)量上，針對(duì)在電機(jī)回路中串入傳感電阻測(cè)量電機(jī)電流，將導(dǎo)致較大功率損耗的缺陷，NS公司采用了一種基本上無(wú)功率損耗的新型電流傳感技術(shù)，使低成本下的無(wú)功率損耗電流測(cè)量成為可能。由于采用了固定切斷時(shí)間的斬波放大器(Fixesoff-timechopper)及內(nèi)置四位D/A轉(zhuǎn)換器，該芯片可以很容易完成電機(jī)電流的數(shù)字控制，實(shí)現(xiàn)步進(jìn)電機(jī)的微步驅(qū)動(dòng)。另外，LMD18245中的全DMOSH一橋功率開(kāi)關(guān)低導(dǎo)通電阻特性，使其具有很高的功放效率。1主要性能參數(shù)及引腳定義LMD18245的主要性能參數(shù)?工作溫度范圍：一40°C?+125°C?電機(jī)電源電壓范圍：+12V?+55V?最大邏輯電壓：+12V?最大輸出持續(xù)電流：3A?最大輸出峰值電流：6A?最小輸入脈沖寬度：2以s?電流傳感器最大線性誤差(0.5A?3A)：±9%LMD18245引腳定義LMD18245采用15腳TO-220封裝，引腳排列如圖1所示。各引腳功能如下：-jOUTZ；DACREFijCSOUTySGND5DIRECTION了BRAKEQVcc,MlM3OpgndM42COMPOUTS>OUT1圖1LMD18245引腳OUT1，OUT2:DMOSH一橋功放輸出,接負(fù)載電機(jī)。COMPOUT:比較器輸出。當(dāng)電流傳感器引腳CSOUT的電壓超過(guò)D/A轉(zhuǎn)換器給定電壓時(shí)，比較器翻轉(zhuǎn)，觸發(fā)單穩(wěn)電路工作，切斷電機(jī)供電電路。RC:單穩(wěn)電路時(shí)間參數(shù)引腳。在該引腳與地之間連接一并聯(lián)RC網(wǎng)絡(luò)，可以將單穩(wěn)脈沖的寬度設(shè)置為1.1RC秒。PGND:電機(jī)電源地。M4,M3,M2,M1：D/A轉(zhuǎn)換器的二進(jìn)制數(shù)字輸入，其中M4為最高位。Vcc:電機(jī)電源端。BRAKE:急停引腳。當(dāng)該引腳為邏輯高電平輸入時(shí)，H一橋的兩個(gè)輸入開(kāi)關(guān)迅速將負(fù)載短路，從而使負(fù)載電流迅速衰減到零，達(dá)到〃緊急剎車〃的效果。其真值表見(jiàn)表1。DIRECTION:方向邏輯輸入引腳，邏輯電平與負(fù)載方向的關(guān)系見(jiàn)表1。SGND:邏輯電源地。CSOUT:電流傳感放大器輸出，電流傳感器的典型值為每安培負(fù)載電流輸出250pA。DACREF：D/A轉(zhuǎn)換器參考電壓輸入，D/A轉(zhuǎn)換器的輸出電壓為V^。refxD/160<1按制邏輯真值表BRAKEmRECTlONMONO導(dǎo)通開(kāi)關(guān)HXXSItS2LHLS2LHHS2.S3LLLSILLH?SIS42工作原理2.1LMD18245的工作過(guò)程LMD18245的內(nèi)部功能框圖如圖2LMD18245的內(nèi)部功能框圖如圖2所示其控制方式采用固定關(guān)斷時(shí)間斬波放大技術(shù)，工作過(guò)程如下:電琦案D[REC110?i11上電后，在BRAKE信號(hào)無(wú)效，且保護(hù)邏輯無(wú)輸出的情況下，電機(jī)按DIRECTIONN信號(hào)的方向轉(zhuǎn)動(dòng)，電流傳感放大器采樣電機(jī)電樞電流，經(jīng)13腳的RC網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)換為電壓值，與D/A轉(zhuǎn)換輸出的預(yù)定閥值相比較。如果當(dāng)前的電流使轉(zhuǎn)換的電壓值小于閥值,則控制H一橋輸入開(kāi)關(guān)（SourceSwitch：S1或S2）及對(duì)角的輸出開(kāi)關(guān)（SinkSwitch：S4或S3）保持導(dǎo)通，電源電壓全部加在負(fù)載上，使負(fù)載電流通過(guò)電源-S1-負(fù)載-S4一地或電源-S2一負(fù)載—S3—地的回路（圖3a及圖3b實(shí)線所示），以指數(shù)規(guī)律增加。接在CSOUT端的阻容網(wǎng)絡(luò)上的電壓值Vcs也隨之增長(zhǎng)，當(dāng)負(fù)載電流增加到或超過(guò)閥值電流時(shí),Vcs隨后也達(dá)到閥值電壓，滯后的時(shí)間與阻容網(wǎng)絡(luò)的時(shí)間常數(shù)有關(guān)，從而使比較器翻轉(zhuǎn)，觸發(fā)單穩(wěn)電路翻轉(zhuǎn)，關(guān)斷輸出開(kāi)關(guān)（S4或S3）。此時(shí)，電機(jī)電樞電流在電樞電感的作用下，通過(guò)繼流二極管構(gòu)成的回路（圖3a及圖3b虛線所示），繼續(xù)沿原方向流動(dòng)，其大小呈指數(shù)規(guī)律衰減并趨向于零。輸

出開(kāi)關(guān)關(guān)斷的時(shí)間，即固定關(guān)斷時(shí)間tof-Ttime由單穩(wěn)電路的時(shí)間常數(shù)決定，其計(jì)算公式為:Vcctf-time=1.1RCVcc電機(jī)線圈TF4本由昌豈片T涔本由本二豈I- S1和S4導(dǎo)通 S2和S3導(dǎo)通 *S1導(dǎo)通，S4關(guān)閉 *S2導(dǎo)通，$3關(guān)閉（時(shí) ⑴其中，R、C分別為引腳3所接的電阻和電容。當(dāng)關(guān)斷時(shí)間到達(dá)的時(shí)候，則輸出開(kāi)關(guān)重新閉合，電樞電流又呈指數(shù)規(guī)律增長(zhǎng)，重復(fù)前面的過(guò)程，形成電樞電流的固定關(guān)斷時(shí)間斬波控制。當(dāng)DIRECTION信號(hào)改變時(shí)，系統(tǒng)進(jìn)入方向轉(zhuǎn)換階段。首先，所有四個(gè)功率開(kāi)關(guān)都被關(guān)斷，電流通過(guò)續(xù)流二極管構(gòu)成的回路（圖3c或圖3d所示的虛線）向零衰減；在電流接近零時(shí)，反向開(kāi)關(guān)閉合，通過(guò)反向開(kāi)關(guān)構(gòu)成的回路（圖3c的回路（圖3c或圖3d所示的實(shí)線）電流迅速衰減到零，并隨后反向增大到目標(biāo)電流值。2.2LMD18245的電流傳感原理LMD18245中的DMOS功率開(kāi)關(guān)由大量的晶體管單元陣行組成。LMD18245通過(guò)獨(dú)特的低功率損耗的方法,利用兩個(gè)輸入開(kāi)關(guān)陣列中的幾個(gè)單元，得到電機(jī)負(fù)載電流。LMD18245的電流傳感器結(jié)構(gòu)如圖4所示。對(duì)于每一個(gè)輸入DMOS開(kāi)關(guān)，都有1X的傳感器開(kāi)關(guān)和4000X的功率開(kāi)關(guān)同時(shí)工作，由于電流傳感放大器的虛短效果，使傳感器開(kāi)關(guān)兩端的電壓與DMOS功率開(kāi)關(guān)兩端的電壓相同，從而使傳感器開(kāi)關(guān)按1/4000負(fù)載電流的比例輸出傳感電流。每輸出1A的負(fù)載電流，電流傳感放大器就會(huì)輸出250心的傳感電流。在傳感電流的輸出端與地之間加入并行阻容網(wǎng)絡(luò)，一方面將該電流轉(zhuǎn)化為電壓信號(hào)，與D/A轉(zhuǎn)換輸出的閥值電壓相比較，觸發(fā)斬波過(guò)程；另方面通過(guò)該低通濾波器可以將電流開(kāi)關(guān)噪聲的影響濾除。

電流傳感電阻Rs值的選定可以參考以下公式:R電流傳感電阻Rs值的選定可以參考以下公式:sDACREF LOADMAX其中，【LOADMAX為電機(jī)負(fù)載電流的最大設(shè)定值；RS為電流傳感器輸出電阻；VdacreF為D/A轉(zhuǎn)換器的參考電壓，最大值為12V，建議采用0?5V；D為D/A轉(zhuǎn)換器的輸入值，以M4為最高位，M1為最低位，D的取值范圍為十進(jìn)制0?15V，即亳的值應(yīng)該使D的變化能夠控制Iload在負(fù)載需要的范圍內(nèi)變化。2.3保護(hù)功能的工作原理及應(yīng)用注意事項(xiàng)LMD18245具有過(guò)流保護(hù)、過(guò)熱保護(hù)、欠壓保護(hù)等多種保護(hù)功能，使由該芯片構(gòu)成的功放系統(tǒng)具有較高的安全性和可靠性。下面分別介紹各保護(hù)功能的工作原理及應(yīng)用時(shí)應(yīng)注意的事項(xiàng)。過(guò)流保護(hù)實(shí)際是利用芯片內(nèi)部的12A電流閥值開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)的。如果芯片的兩個(gè)輸入開(kāi)關(guān)中的任意一個(gè)的電流達(dá)到了12A的閥值，LMD18245的內(nèi)部電路就將開(kāi)關(guān)關(guān)閉，并迫使故障電流在大約3四s的時(shí)間內(nèi)衰減到零。在此之后，芯片自動(dòng)重新啟動(dòng)。應(yīng)當(dāng)注意的是：如果此時(shí)電路故障已經(jīng)排除，自動(dòng)啟動(dòng)后電路將迅速恢復(fù)到正常工作狀態(tài)；但如果故障沒(méi)有消除，電流仍然過(guò)大，則芯片將反復(fù)進(jìn)入電流通斷狀態(tài)。反復(fù)開(kāi)關(guān)如此大的電流，將在電源線上感應(yīng)出破壞性的電壓尖峰脈沖（Spike），如果該脈沖的幅度超過(guò)芯片的最大承受電壓：60V），則有可能造成芯片永久性損壞。因此，芯片的Vcc端要求必須能可靠濾除電壓尖峰脈沖，以保護(hù)芯片不被損壞。在實(shí)際操作過(guò)程中，由于電機(jī)電流的跳變或換向經(jīng)常出現(xiàn)，因此電源線上也經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)尖峰電壓或浪涌電流。在電路實(shí)際設(shè)計(jì)中，常采用在芯片的電源端并聯(lián)高頻陶瓷濾波電容及大容量鋁電解電容的方法消除尖峰脈沖及浪涌電流。通常陶瓷電容的容值設(shè)定為1|1F左右；鋁電解電容的大小設(shè)置為每安培負(fù)載電流100gF左右。另外，在布線時(shí)應(yīng)注意：電容距Vcc的距離應(yīng)在0.5英寸以內(nèi)，電容的管腳引線應(yīng)盡量短。過(guò)熱保護(hù)是利用芯片內(nèi)部的結(jié)溫傳感器實(shí)現(xiàn)的。當(dāng)結(jié)溫超過(guò)155r時(shí)，結(jié)溫傳感器將功率開(kāi)關(guān)關(guān)閉，當(dāng)結(jié)溫下降到閥值以下時(shí)，芯片將自動(dòng)重新啟動(dòng)。欠壓保護(hù)的工作過(guò)程為：當(dāng)電源電壓下降到大約5?8V的閥值以下時(shí)，內(nèi)部電路將關(guān)閉功率開(kāi)關(guān)；如果電壓恢復(fù)正常，芯片將重新啟動(dòng)。3典型應(yīng)用3.1驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)圖5為采用LMD18245的兩相步進(jìn)電機(jī)斬波功放應(yīng)用電路。其固定斬波時(shí)間為：

米/輯，排除式.ISVAWAjLMD18245CSOVTRCTCWWOoff _電機(jī)的最大電流為0.95A，電流傳感電且通值為:相"土米/輯，排除式.ISVAWAjLMD18245CSOVTRCTCWWOoff _電機(jī)的最大電流為0.95A，電流傳感電且通值為:相"土'"「?「"4(gs)PACEIEFVLMD18245 VM￡REF*

fis=250x10Jx15_JXl6

250x106x0.95步進(jìn)電機(jī)的A、B兩相各有一LMD1824密制，兩芯片的方向控制端(DIRECTION)＞電流控制端(M4?Ml)、急?？刂贫?BRAKE)均與微控制器相連，從而使微控制器能夠很方便地控制電機(jī)線圈的電流大小及方向，實(shí)現(xiàn)步進(jìn)電機(jī)的整步控制、半步控制及細(xì)分微步控制等多種驅(qū)動(dòng)方式。電源端并聯(lián)的1pF陶瓷電容及100gF電解電容，可有效防止過(guò)壓脈沖的沖擊，防止芯片損壞°20kQ的傳感電阻既保證了線圈電流能達(dá)到滿幅，使電機(jī)輸出最大力矩，又防止了電流超過(guò)滿幅電流而燒壞電機(jī)。3.2雙極性輸出方式驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)H一橋結(jié)構(gòu)的電機(jī)功放電路通常有雙極性輸出和單極性輸出兩種控制方式，各有各的特點(diǎn)。下面分別給出其驅(qū)動(dòng)某種直流電機(jī)時(shí)的電路。利用LMD18245實(shí)現(xiàn)直流電機(jī)的雙極性輸出的電路結(jié)構(gòu)如圖6所示，其固定斬波時(shí)間設(shè)定為：toff—time=1.1RC=1.1x20x103x2.2x10—9=48.4(ps)由于電機(jī)的最大電流為150mA，電流傳感電阻的阻值RS為：芯片的各控制端連接微控制器，與圖5電路不同的是，芯片的DIRECTION端連接微控制器的PWM輸出。通過(guò)改變PWM脈沖的占空比，可以改變電機(jī)的轉(zhuǎn)速和轉(zhuǎn)向。微控制器還可以通過(guò)M4?Ml端改變電機(jī)的最大電流閥值，控制電機(jī)的力矩大小，從而方便地實(shí)現(xiàn)電機(jī)控制。但這種連接方式也有電機(jī)電流波動(dòng)較大的缺點(diǎn)。

+12V3.3單極性輸出方PWMmtAfa;M4+12V3.3單極性輸出方PWMmtAfa;M4FMl動(dòng)直流電機(jī)雙極性輸出方式