YS/T 1167-2016硅單晶腐蝕片

ICS29045

H82.

中華人民共和國有色金屬行業(yè)標準

YS/T1167—2016

硅單晶腐蝕片

Monocrystallinesiliconetchedwafers

2016-07-11發(fā)布2017-01-01實施

中華人民共和國工業(yè)和信息化部發(fā)布

中華人民共和國有色金屬

行業(yè)標準

硅單晶腐蝕片

YS/T1167—2016

*

中國標準出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務熱線

:400-168-0010

年月第一版

20189

*

書號

:155066·2-44939

版權(quán)專有侵權(quán)必究

YS/T1167—2016

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國有色金屬標準化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC243)。

本標準起草單位天津市環(huán)歐半導體材料技術(shù)有限公司天津中環(huán)領(lǐng)先材料技術(shù)有限公司洛陽鴻

:、、

泰半導體有限公司有研半導體材料有限公司杭州海納半導體有限公司

、、。

本標準主要起草人由佰玲張雪囡蔣建國孫燕王飛堯沈浩平

:、、、、、。

Ⅰ

YS/T1167—2016

硅單晶腐蝕片

1范圍

本標準規(guī)定了硅單晶腐蝕片的牌號及分類要求試驗方法檢驗規(guī)則以及標志包裝運輸貯存

、、、、、、、

質(zhì)量證明書和訂貨單或合同內(nèi)容

()。

本標準適用于直拉法懸浮區(qū)熔法包括區(qū)熔中子嬗變和氣相摻雜制備的硅單晶研磨片經(jīng)化學腐

、()

蝕液去除表面損傷層后制備的酸腐蝕片和堿腐蝕片以下簡稱腐蝕片產(chǎn)品主要用于制作晶體管整

()。、

流管特大功率晶閘管光電器件等半導體元器件或進一步加工成硅拋光片

、、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導體材料導電類型測試方法

GB/T1550

半導體單晶晶向測定方法

GB/T1555

計數(shù)抽樣檢驗程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗抽樣計劃

GB/T2828.11(AQL)

半導體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻率測試方法非接觸渦流法

GB/T6616

硅片厚度和總厚度變化測試方法

GB/T6618

硅片翹曲度非接觸式測試方法

GB/T6620

硅片徑向電阻率變化的測量方法

GB/T11073

硅單晶

GB/T12962

硅單晶切割片和研磨片

GB/T12965

硅及其他電子材料晶片參考面長度測量方法

GB/T13387

硅片參考面結(jié)晶學取向射線測試方法

GB/T13388X

硅片直徑測量方法

GB/T14140

半導體材料術(shù)語

GB/T14264

半導體材料牌號表示方法

GB/T14844

鋁及鋁合金陽極氧化陽極氧化膜鏡面反射率和鏡面光澤度的測定

GB/T2050320°、45°、60°、

角度方向

85°

硅片切口尺寸測試方法

GB/T26067

硅片平坦表面的表面粗糙度測量方法

GB/T29505

硅材料原生缺陷圖譜

GB/T30453

硅片邊緣輪廓檢驗方法

YS/T26

硅片包裝

YS/T28

3術(shù)語和定