YS/T 936-2013集成電路器件用鎳釩合金靶材

ICS7715040

H62..

中華人民共和國(guó)有色金屬行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

YS/T936—2013

集成電路器件用鎳釩合金靶材

Sputteringnickelvanadiumalloytargetusedinintegratedcircuitdevice

2013-10-17發(fā)布2014-03-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部發(fā)布

YS/T936—2013

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員歸口

(SAC/TC243)。

本標(biāo)準(zhǔn)負(fù)責(zé)起草單位有研億金新材料股份有限公司

:。

本標(biāo)準(zhǔn)參加起草單位北京有色金屬研究總院寧波江豐電子材料股份有限公司中國(guó)有色金屬工

:、、

業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量質(zhì)量研究所

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人董亭義何金江劉紅賓張濤姚力軍王學(xué)澤向磊徐學(xué)禮朱曉光丁照崇

:、、、、、、、、、、

呂超雷繼峰熊曉東張殿凱李娜

、、、、。

Ⅰ

YS/T936—2013

集成電路器件用鎳釩合金靶材

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了集成電路器件用鎳釩合金濺射靶材的要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則和標(biāo)志包裝運(yùn)輸

、、、、、

貯存質(zhì)量證明書(shū)及合同或訂貨單內(nèi)容

、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于電子薄膜制造用的各類鎳釩合金濺射靶材

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范表面結(jié)構(gòu)輪廓法表面粗糙度參數(shù)及其數(shù)值

GB/T1031(GPS)

金屬平均晶粒度測(cè)定法

GB/T6394

金屬材料中氫氧氮碳和硫分析方法通則

GB/T14265、、、

變形金屬超聲檢驗(yàn)方法

GJB1580A

濺射靶材背板結(jié)合質(zhì)量超聲波檢驗(yàn)方法

YS/T837-

3術(shù)語(yǔ)和定義

下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

。

31

.

靶材target

濺射沉積技術(shù)中的陰極部分該陰極材料在帶正電荷的陽(yáng)離子撞擊下以分子原子或離子的形式

。、

脫離陰極而在陽(yáng)極表面沉積

。

32

.

靶坯targetblank

陰極上用作目標(biāo)材料的部分

。

33

.

背板backingplate

用來(lái)支撐或固定靶坯的部分靶材與背板可以通過(guò)焊接如釬焊電子束焊擴(kuò)散焊等機(jī)械復(fù)合

。(、、)、、

粘接等方式連接

。

4要求

41產(chǎn)品分類

.

411按照結(jié)構(gòu)形式分為單體和復(fù)合兩種