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半導體光電子學插圖2010.4.07地球表面平均太陽能4x1024J/年，或者5x1020J/小時2001年全球能量的消耗4x1020J/年美國正向注入pN+_正向電壓擴散流漂移流內(nèi)建電場加上一個與內(nèi)建電場方向相反的正向電壓,由于它的作用使得PN結內(nèi)部的勢壘變窄.。因此擴散電流要大于漂移電流，從而使得少數(shù)載流子能夠越過勢壘.由于復合效應，少數(shù)載流子的分布隨著與PN結邊界距離的增加而減小。

(以空穴行為為例)反向抽取PN負向偏壓擴散流漂移流_+內(nèi)建電場PN結兩端加上一個負向偏壓,它與內(nèi)建電場的方向相同,因此在PN結邊緣處的積累電荷會被抽取出來.當邊緣處的電荷被抽取完之后，內(nèi)部的載流子就會隨著復合而消失。

(以空穴行為為例)

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