電力電子技術(shù)試題20套及答案(DOC)

考試試卷(1)卷一、填空題（本題共8小題，每空1分，共20分）1、電子技術(shù)包括______________和電力電子技術(shù)兩大分支，通常所說(shuō)的模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)就屬于前者。2、為減少自身?yè)p耗，提高效率，電力電子器件一般都工作在_________狀態(tài)。當(dāng)器件的工作頻率較高時(shí)，_________損耗會(huì)成為主要的損耗。3、在PWM控制電路中，載波頻率與調(diào)制信號(hào)頻率之比稱為_(kāi)____________，當(dāng)它為常數(shù)時(shí)的調(diào)制方式稱為_(kāi)________調(diào)制。在逆變電路的輸出頻率范圍劃分成若干頻段，每個(gè)頻段內(nèi)載波頻率與調(diào)制信號(hào)頻率之比為桓定的調(diào)制方式稱為_(kāi)___________調(diào)制。4、面積等效原理指的是，_________相等而_______不同的窄脈沖加在具有慣性的環(huán)節(jié)上時(shí)，其效果基本相同。5、在GTR、GTO、IGBT與MOSFET中，開(kāi)關(guān)速度最快的是_________，單管輸出功率最大的是_____________，應(yīng)用最為廣泛的是___________。6、設(shè)三相電源的相電壓為U2，三相半波可控整流電路接電阻負(fù)載時(shí)，晶閘管可能承受的最大反向電壓為電源線電壓的峰值，即，其承受的最大正向電壓為。7、逆變電路的負(fù)載如果接到電源，則稱為逆變，如果接到負(fù)載，則稱為逆變。8、如下圖，指出單相半橋電壓型逆變電路工作過(guò)程中各時(shí)間段電流流經(jīng)的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。(1)0~t1時(shí)間段內(nèi)，電流的通路為_(kāi)_______；(2)t1~t2時(shí)間段內(nèi)，電流的通路為_(kāi)______；(3)t2~t3時(shí)間段內(nèi)，電流的通路為_(kāi)______；(4)t3~t4時(shí)間段內(nèi)，電流的通路為_(kāi)______；(5)t4~t5時(shí)間段內(nèi)，電流的通路為_(kāi)______；二、選擇題（本題共10小題，前4題每題2分，其余每題1分，共14分）1、單相橋式PWM逆變電路如下圖，單極性調(diào)制工作時(shí)，在電壓的正半周是（）A、V1與V4導(dǎo)通，V2與V3關(guān)斷B、V1常通，V2常斷，V3與V4交替通斷C、V1與V4關(guān)斷，V2與V3導(dǎo)通D、V1常斷，V2常通，V3與V4交替通斷2、對(duì)于單相交流調(diào)壓電路，下面說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）A、晶閘管的觸發(fā)角大于電路的功率因素角時(shí)，晶閘管的導(dǎo)通角小于180度B、晶閘管的觸發(fā)角小于電路的功率因素角時(shí)，必須加寬脈沖或脈沖列觸發(fā)，電路才能正常工作C、晶閘管的觸發(fā)角小于電路的功率因素角正常工作并達(dá)到穩(wěn)態(tài)時(shí)，晶閘管的導(dǎo)通角為180度D、晶閘管的觸發(fā)角等于電路的功率因素角時(shí)，晶閘管的導(dǎo)通角不為180度3、在三相三線交流調(diào)壓電路中，輸出電壓的波形如下圖所示，在t1~t2時(shí)間段內(nèi)，有（）晶閘管導(dǎo)通。A、1個(gè)B、2個(gè)C、3個(gè)D、4個(gè)4、對(duì)于單相交交變頻電路如下圖，在t1~t2時(shí)間段內(nèi)，P組晶閘管變流裝置與N組晶閘管變流裝置的工作狀態(tài)是（）A、P組阻斷，N組整流C、N組阻斷，P組整流B、P組阻斷，N組逆變D、N組阻斷，P組逆變5、電阻性負(fù)載三相半波可控整流電路中，控制角的范圍是（A、30°～150B、0°～120°C、15°～125°D、0°～150°）6、桓流驅(qū)動(dòng)電路中加速電容C的作用是（）A、加快功率晶體管的開(kāi)通B、延緩功率晶體管的關(guān)斷D、保護(hù)器件C、加深功率晶體管的飽和深度7、直流斬波電路是一種（）變換電路。A、AC/ACB、DC/ACC、DC/DCD、AC/DC8、為限制功率晶體管的飽和深度，減少存儲(chǔ)時(shí)間，桓流驅(qū)動(dòng)電路經(jīng)常采用（）A、du/dt抑制電路B、抗飽和電路C、di/dt抑制電路D、吸收電路9、已經(jīng)導(dǎo)通的晶閘管的可被關(guān)斷的條件是流過(guò)晶閘管的電流（）A、減小至維持電流以下B、減小至擎住電流以下D、減小至5A以下C、減小至門(mén)極觸發(fā)電流以下10、IGBT是一個(gè)復(fù)合型的器件，它是（）A、GTR驅(qū)動(dòng)的MOSFETB、MOSFET驅(qū)動(dòng)的GTRD、MOSFET驅(qū)動(dòng)的GTOC、MOSFET驅(qū)動(dòng)的晶閘管三、簡(jiǎn)答題（共3小題，22分）1、簡(jiǎn)述晶閘管導(dǎo)通的條件與關(guān)斷條件。（7分）2、電壓型逆變電路的主要特點(diǎn)是什么？（8分）3、簡(jiǎn)述實(shí)現(xiàn)有源逆變的基本條件，并指出至少兩種引起有源逆變失敗的原因（7分）四、作圖題（共2小題，每題12分，共24分）1、三相全控橋，阻感負(fù)載，主回路整流變壓器的接法是D,y5，采用NPN管的鋸齒波觸發(fā)器，要求在整流與逆變狀態(tài)運(yùn)行。同步變壓器二側(cè)電壓經(jīng)R-C濾波器濾波后（滯后角為30°）接到觸發(fā)電路。同步變壓器的的接法為Y/Y-10，4接法，如下圖所示，選擇晶閘管的同步電壓。（要給出分析過(guò)程，分析依據(jù)）晶閘管VT1+UuVT2-UwVT3+UvVT4-UuVT5+UwVT6-Uv主電路電壓同步電壓2、電路與波形如圖所示。（1）若在t1時(shí)刻合上K，在t2時(shí)