拉晶工藝及操作規(guī)程

拉晶工藝及操作規(guī)程第一頁(yè)，共三十七頁(yè)，2022年，8月28日一、拉晶工藝流程圖配料煅燒拆、清爐裝料抽真空充氬氣化料引晶縮頸放肩轉(zhuǎn)肩等徑收尾停爐庫(kù)房檢驗(yàn)晶棒第二頁(yè)，共三十七頁(yè)，2022年，8月28日說明：a)單晶制造工藝流程為方塊標(biāo)注環(huán)形部分，即由配料工序開始，至晶棒終止；b)配料工序的入口為庫(kù)房管理部門；c)晶棒工序的出口為檢驗(yàn)；d)在本工藝流程中，如果拉晶為連續(xù)工作時(shí)，在停爐到清爐完后,從裝料重新開始，如在按要求開爐次數(shù)后或長(zhǎng)時(shí)間沒有開爐時(shí)，要從煅燒開始；e)在本工藝流程中，如果放肩、轉(zhuǎn)肩、等徑過程中掉苞，根據(jù)工藝要求回熔或者取出。第三頁(yè)，共三十七頁(yè)，2022年，8月28日二、具體操作規(guī)程第四頁(yè)，共三十七頁(yè)，2022年，8月28日1.拆、清爐拆清爐的目的是為了取出晶體，清除爐膛內(nèi)的揮發(fā)物及雜質(zhì)，清除石墨件上的附著物、石英碎片等雜質(zhì)。在拆清爐過程中必須穿戴好勞保防護(hù)用品（換工作服，戴好口罩、手套），認(rèn)真閱讀拉晶記錄，了解上爐設(shè)備運(yùn)轉(zhuǎn)情況。

第五頁(yè)，共三十七頁(yè)，2022年，8月28日取出晶體

在連續(xù)生產(chǎn)的情況下，確定停加熱5小時(shí)后，才能拆爐；拆爐時(shí)充氣到正壓后，打開副室門，快速提升晶體。如果晶體完全提升到副爐筒內(nèi)，則閉合翻板閥,升起副爐筒，用托盤防護(hù)后，將副爐筒轉(zhuǎn)出；如果晶體不能完全提升到副爐筒內(nèi)，則需在喉口墊厚木板加以防護(hù)，然后才能升起副室及爐蓋，連晶體一起轉(zhuǎn)出；轉(zhuǎn)出時(shí)注意推動(dòng)的速度要均勻，以防止晶體撞到爐體。擺放好取晶框后，快速降下晶體，嚴(yán)禁使晶體接觸到取晶框（會(huì)導(dǎo)致上軸鋼絲繩因跳槽而損壞），剪斷細(xì)頸后逐步釋放重錘，控制好重錘的旋轉(zhuǎn)和晃動(dòng)，防止鋼絲繩跳槽或籽晶磕碰損傷，此過程中注意個(gè)人安全防護(hù)。將取出的晶棒放置到規(guī)定地方冷卻。第六頁(yè)，共三十七頁(yè)，2022年，8月28日

檢查鋼絲繩、籽晶、取出熱系統(tǒng)部件

檢查鋼絲繩是否完好可用，若有變硬、毛刺或其它損壞情況，則應(yīng)請(qǐng)維修人員去除老化、損壞部分，或更換新鋼絲繩。戴好高溫隔熱手套，按順序取出導(dǎo)流筒、保溫蓋冷卻；用手或鉗子夾住石英堝的上端部分提起取出，將石英堝整體提出并取出爐內(nèi)廢石英、堝底料標(biāo)記后放在指定位置，不要讓殘骸和碎料掉入爐內(nèi)，取出的堝底料不能接觸到石墨。然后將三瓣石墨堝、石墨堝托取出冷卻。最后再將主室爐筒升到最高位，旋轉(zhuǎn)出來(lái)（垂直方向上要離開熱系統(tǒng)）固定穩(wěn)定。必要時(shí)，取出保溫筒，加熱器以及電極護(hù)套爐底部件等。

第七頁(yè)，共三十七頁(yè)，2022年，8月28日清爐過程

待取出的石墨件自然冷卻后,進(jìn)行徹底清理。石墨件的附著物用砂紙打磨后，用刷子和吸塵器對(duì)石墨件作整個(gè)除塵，用棉布或毛巾擦拭直至干凈。清理干凈的標(biāo)準(zhǔn)是：導(dǎo)流筒、上下保溫蓋、保溫筒、三瓣堝、石墨堝托等，必須清理到全部露出石墨的本色，特別是不能留有黃色的揮發(fā)物。將爐子內(nèi)壁、爐蓋、主爐筒、小副室、副爐筒、兩個(gè)抽氣口、觀察窗、依爾根信號(hào)孔及其防護(hù)玻璃清理干凈。先用吸塵器把爐內(nèi)的揮發(fā)物等吸凈，再用沾有酒精的棉布或毛巾徹底擦拭，不能留有任何揮發(fā)物。拆開防爆閥上的擋板，清理管道內(nèi)的揮發(fā)物；打開除塵罐，清理罐內(nèi)以及過濾網(wǎng)上的揮發(fā)物；清理完成后，安裝時(shí)應(yīng)檢查密封圈，注意將密封處擦干凈，如發(fā)現(xiàn)密封圈有損壞時(shí)應(yīng)及時(shí)更換。在進(jìn)行以上清理時(shí)，必要時(shí)可以使用細(xì)砂紙打磨（石墨器件除外）。凡是用砂紙打磨過的地方，最后必須用酒精擦拭干凈，損壞嚴(yán)重的石墨件要及時(shí)更換。第八頁(yè)，共三十七頁(yè)，2022年，8月28日安裝熱系統(tǒng)

將清理過的石墨熱系統(tǒng)各部件按“爐底碳?xì)帧?、“爐底護(hù)盤”、“下保溫筒”、“排氣口護(hù)套”、“坩堝護(hù)套”、“電極護(hù)套”、“石墨電極”、“石墨加熱器”、“石墨螺絲”的順序安裝。注意在“石墨電極與爐體電極、加熱器與石墨電極以及加熱器與石墨螺絲接觸面處加一層完整無(wú)損的碳箔；然后按順序安裝“中、上保溫筒”、“石墨托桿”、“石墨堝托”以及“三瓣堝”。將熱偶錐取光孔與保溫筒上預(yù)留口對(duì)正。除上、下保溫蓋、導(dǎo)流筒以外的所有石墨件安裝完畢后，互相對(duì)中（偏差在2mm之內(nèi)）。堝位對(duì)平口后，檢查堝位是否為“0”。若不是，設(shè)定堝位值為“0”，設(shè)定好后如無(wú)特殊情況，任何時(shí)候不允許隨意設(shè)定、更改堝位。給定堝轉(zhuǎn)2rpm，檢查平口、堝轉(zhuǎn)動(dòng)是否平穩(wěn)、是否晃動(dòng)，要求堝擺動(dòng)在2mm范圍內(nèi)。往回裝石墨件時(shí)，進(jìn)行如下檢查，并調(diào)整正常。

a)加熱器石墨螺釘是否緊固，之間的碳箔是否完好。

b)托桿與下軸連接是否穩(wěn)固、對(duì)中。

c)確認(rèn)石墨堝托及三瓣堝是否完好可用。

d)托桿與石墨堝托、石墨堝托與三瓣堝托之間的接口連接必須吻合良好，作到旋轉(zhuǎn)、滑動(dòng)自如。第九頁(yè)，共三十七頁(yè)，2022年，8月28日連接部位的檢查

對(duì)于新裝的熱場(chǎng),在開始的一段時(shí)間(約10爐以內(nèi)),每爐檢查以下部位的連接情況:1.電極螺絲,容易發(fā)生松動(dòng),導(dǎo)致打火。因此,對(duì)于已松動(dòng)的,必須擰緊;對(duì)于沒松動(dòng)的要先擰松再擰緊,以防粘結(jié)。擰緊的尺度是:盡量的緊。2.下軸與托桿的連接螺栓,容易燒結(jié)在一起。因此,每爐都要先擰松,再擰緊,以防燒結(jié)粘死。擰緊的尺度是適可而止。3.籽晶夾頭容易燒結(jié)粘死。因此每爐都要先擰松再擰緊。擰緊的尺度是：先擰緊后再退后1/3~1/2圈。4.新裝加熱器時(shí),加熱器與石墨電極之間墊碳箔。每次拆爐都要抬起加熱器，松動(dòng)與石墨電極之間的連接,以防粘連。使用一月之后，以上四項(xiàng)檢查可以降低頻率到每次大清的時(shí)候檢查一次。

第十頁(yè)，共三十七頁(yè)，2022年，8月28日2.裝料

檢查所備原料及母合金是否與隨工單相符，觀察包裝有無(wú)破損現(xiàn)象，區(qū)分原料的大小、破碎程度，如原料不符合要求（如：料未清洗）應(yīng)及時(shí)更換；按要求穿戴好勞保用品。檢查石英坩堝無(wú)問題（破損、裂紋、氣泡、黑點(diǎn)、色澤）后，將坩堝放入三瓣石墨堝內(nèi)，盡量裝水平。裝坩堝時(shí)要防止將坩堝外壁的石英渣子帶入堝內(nèi)。裝完坩堝，須另?yè)Q裝料用的手套后，才能開始裝料，佩戴一次性手套后，不允許接觸原料以外的東西，否則更換手套。在裝料過程中應(yīng)檢查硅料中是否有夾雜異物，表面是否被氧化，有無(wú)水跡等。裝料的原則:從縱向來(lái)說，小塊的料放在坩堝底部；最大塊的料放中部，中等大小的料放在最上邊；從徑向來(lái)說，大塊的放在周圍，小塊的放在中心。必要時(shí)要把大塊的料敲小，盡量利用好堝內(nèi)空間，否則到最后可能料裝不下。

第十一頁(yè)，共三十七頁(yè)，2022年，8月28日中下部的料可以裝得緊湊些并且貼近堝壁，但應(yīng)該是自然堆砌，而不是硬擠。上部的料塊，仍可輕輕靠在堝壁上，但應(yīng)該注意四點(diǎn)：a)減少料塊與堝邊的接觸面積，以防止掛邊；b)在料塊的相對(duì)位置方面，要預(yù)估料塊在垮料后，是否會(huì)架橋，然后進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整；c)裝最上面部分時(shí)，小塊的料不要靠在堝壁上(掛上后難以被烤下);d)不論是上、中、下哪個(gè)部位，料塊尖銳部位不能直接對(duì)著坩堝壁;裝完料后，用洗塵器吸干凈石英堝、石墨堝、加熱器上沿，頂層炭氈上的料渣，給定堝轉(zhuǎn)2rpm，檢查堝轉(zhuǎn)動(dòng)是否平、是否晃動(dòng)，要求堝擺動(dòng)在2mm范圍內(nèi)，快速降坩堝到化料位置，注意不要超過下限即最低堝位（此處指熱場(chǎng)裝配時(shí)確定的安全下限，每套熱系統(tǒng)剛使用時(shí)都要確定最低堝位，并明確標(biāo)記在此爐記錄本上。確定最低堝位的方法：在裝爐過程中，對(duì)好平口后，取出三瓣石墨坩堝，降堝位直到堝托距離石墨電極20mm距離時(shí)的堝位值。），防止造成短路。第十二頁(yè)，共三十七頁(yè)，2022年，8月28日?qǐng)逦唤档轿缓笸Ｖ箞遛D(zhuǎn)，安裝下保溫蓋及導(dǎo)流筒，安裝時(shí)要戴上薄膜手套，以防手沾污多晶料，并且要避免導(dǎo)流筒與多晶料接觸。檢查無(wú)誤后，擦拭干凈主爐室、副爐室密封面，合上爐蓋，確認(rèn)籽晶的型號(hào)和質(zhì)量，檢查籽晶是否裝好。籽晶夾頭裝到重錘上時(shí)不能擰得過緊，正確操作為：擰緊后再擰回1/3到1/2圈。整個(gè)拆裝爐、裝料過程中，籽晶不能有任何磕碰、損傷，對(duì)是否損傷有疑問時(shí)，應(yīng)更換新籽晶。打開小副室門，用沾有酒精的棉布或毛巾擦拭干凈翻板閥的密封圈及翻板閥內(nèi)部，關(guān)上翻板閥。停穩(wěn)籽晶后，打開翻板閥，關(guān)好小副室門，準(zhǔn)備抽空。

按要求做好記錄。第十三頁(yè)，共三十七頁(yè)，2022年，8月28日3.抽空

直拉單晶硅是在減壓狀態(tài)下進(jìn)行單晶生長(zhǎng)的，所謂減壓就是將氬氣從副室上端通入，同時(shí)用機(jī)械泵從主室下部抽出，使?fàn)t內(nèi)壓力保持在1200～1600Pa左右。檢查熱藕錐的信號(hào)線，檢查觀察窗口，如影響觀察則清洗干凈，并裝好。檢查通水情況正常后，才能啟動(dòng)主室泵。循環(huán)水壓力0.12～0.16MPa。啟動(dòng)泵時(shí)，需點(diǎn)動(dòng)兩、三次后，再開泵。真空閥必須慢慢打開一半（50），保持約1分鐘左右后，再完全打開（100）。不經(jīng)點(diǎn)動(dòng)直接開泵和過快地打開球閥都是錯(cuò)誤地操作方法。爐內(nèi)真空度在連續(xù)抽空30分鐘應(yīng)達(dá)到6.0Pa以下。當(dāng)真空抽不下去時(shí)，可以開啟氬氣閥門向爐內(nèi)通入氬氣，保持3～5分鐘后關(guān)閉氬氣，繼續(xù)抽真空，若在充氬氣三次后，真空還是抽不下去，要與維修人員聯(lián)系檢修。

按要求做好記錄。第十四頁(yè)，共三十七頁(yè)，2022年，8月28日4.充氬氣

真空度低于6.0Pa,方可打開氬氣閥，打開副室氬氣閥門V2使?fàn)t內(nèi)壓強(qiáng)保持在1200～1600Pa之間。

通氬氣的壓力為0.15MPa，當(dāng)爐壓達(dá)到規(guī)定要求后，準(zhǔn)備加熱。

按要求做好記錄。第十五頁(yè)，共三十七頁(yè)，2022年，8月28日5.化料

化料功率的選擇打開加熱開關(guān)，用一個(gè)小時(shí)的時(shí)間，均勻的分四次將功率加到最高功率85～90kw，具體操作：調(diào)節(jié)加熱功率值，一般為30、50、70、85左右。在料全部熔完之前，還剩余少量小料塊時(shí)，應(yīng)適當(dāng)降低功率，以防止跳料。升溫過程一定按照上述過程，加熱速度不宜太快，否則易造成石英坩堝炸裂。堝轉(zhuǎn)的啟動(dòng)塌料后根據(jù)情況給坩堝轉(zhuǎn)速1～2rpm，使坩堝均勻受熱。堝位升降的把握一旦塌料之后，應(yīng)該馬上將坩堝升上來(lái)。以后隨著料的逐漸垮下，應(yīng)該逐漸升高堝位。如果不及時(shí)將坩堝升上來(lái)，料塊的主體部分處于低溫區(qū)，會(huì)增加化料的時(shí)間，也就增加了坩堝與硅液的反應(yīng)時(shí)間，不利于坩堝的保護(hù)。而且，堝底長(zhǎng)期處于低溫區(qū)，增加了漏料的機(jī)率。上升的時(shí)候注意要在料和導(dǎo)流筒之間留夠安全距離。第十六頁(yè)，共三十七頁(yè)，2022年，8月28日化料過程中，應(yīng)時(shí)常注意各出水管道水溫。在整個(gè)化料的過程中，都要有防范漏料的意識(shí)。因此，熔料過程中操作人員不能離開爐臺(tái)，要隨時(shí)觀察情況，及時(shí)處理掛邊、搭橋、漏料及其它意外事故，并做好記錄。為了防范漏料，在平時(shí)(指正常時(shí))就應(yīng)該積累以下經(jīng)驗(yàn)：高溫多少時(shí)間以后，坩堝下部會(huì)出現(xiàn)熔液；首次出現(xiàn)熔液時(shí)，液面的位置應(yīng)該在什么地方；第一次垮料后，液面位置應(yīng)該在什么位置。判斷漏料的跡象除了出現(xiàn)熔液的時(shí)間、熔液的高度位置外，還有一個(gè)參考現(xiàn)象是觀察加熱電流是否穩(wěn)定，因?yàn)槁┝蠒?huì)造成短路打火。第十七頁(yè)，共三十七頁(yè)，2022年，8月28日掛邊的處理

應(yīng)該在坩堝中心的料未化完時(shí)，就將掛邊處理掉。因此，當(dāng)料剛剛?cè)靠逑聲r(shí)，就要注意觀察有無(wú)掛邊的可能。如果有，正確的處理順序是：先用較高的堝位，將支撐住掛邊的處于坩堝中心的料塊熔垮，使之與掛邊料脫離，再將堝位降到較低的位置，使掛邊料塊處于加熱器縱向的中心位置（即高溫區(qū)），進(jìn)行烘烤。在處理掛邊的過程中，功率要適當(dāng)?shù)厣?。如果所有料都化完了，仍有掛邊，這時(shí)即使有跳料風(fēng)險(xiǎn)，還是應(yīng)該把堝位降到最低，升高功率，將掛邊化掉。因?yàn)橛袙爝厱r(shí)，拉晶無(wú)法進(jìn)行。一般情況下，還未到嚴(yán)重跳料時(shí)，掛邊就能被處理掉。利用化料時(shí)間，檢查計(jì)算機(jī)內(nèi)各參數(shù)設(shè)定是否正確。觀察硅液面有無(wú)渣滓，決定是否需要提渣，如有渣滓，在剩一小塊料沒化完前，用此塊料盡量粘熔硅中的渣滓，將其提出，并按要求做好記錄。第十八頁(yè)，共三十七頁(yè)，2022年，8月28日6.引晶

當(dāng)料熔化完時(shí)，應(yīng)調(diào)整堝位到引晶堝位，一般目測(cè)熔硅液面與導(dǎo)流筒下沿距離10～20mm為宜（可參考前幾爐堝位參數(shù)），加熱功率到引晶功率（參照加料量以及前幾爐數(shù)據(jù)確定），開始穩(wěn)定溫度。具體操作過程：歐陸值降至合適時(shí)，將歐陸/功率部分調(diào)至“自動(dòng)”，待溫度穩(wěn)定后（從降溫到穩(wěn)定大約需要2h），判定溫度穩(wěn)定的方法：SV值與SP值基本相當(dāng)，沒有大幅度上下浮動(dòng)。設(shè)定堝轉(zhuǎn)5～9r/min，晶轉(zhuǎn)值10～12r/min，堝轉(zhuǎn)晶轉(zhuǎn)應(yīng)分幾次調(diào)整到位，禁止調(diào)整幅度過大。將籽晶降至導(dǎo)流筒上沿；10分鐘后將籽晶降至距液面10㎜處，預(yù)熱10分鐘，降籽晶使之與熔硅接觸（試引晶）。合適的的引晶溫度是籽晶和熔硅接觸后出現(xiàn)光圈并慢慢變圓，并有變大的趨勢(shì)。若下種后籽晶周圍出現(xiàn)白色結(jié)晶，而且很長(zhǎng)時(shí)間沒有出現(xiàn)光圈，說明溫度偏低；若下種后馬上出現(xiàn)光圈，光圈抖動(dòng)，并且越來(lái)越小，說明溫度過高。然后根據(jù)情況調(diào)節(jié)溫度（SP值），當(dāng)溫度合適開始引晶。打開晶升電源，計(jì)長(zhǎng)器清“0”，手動(dòng)引晶過程中，拉速可以在0～9mm/min之間調(diào)整，最好是讓拉速保持在2～6mm/min，直徑控制在3～6mm之間。第十九頁(yè)，共三十七頁(yè)，2022年，8月28日引晶過程中要時(shí)刻注意觀察爐內(nèi)情況，根據(jù)情況靈活調(diào)節(jié)拉速保證引晶正常進(jìn)行。引晶過程中盡量不調(diào)節(jié)溫度，防止位錯(cuò)產(chǎn)生。引晶要求熔接、縮頸均良好，直徑在3-6mm之間，長(zhǎng)度150mm。引晶高速段的平均速度應(yīng)控制在3-6mm/min之間。過慢不能排除位錯(cuò)，過快則放肩時(shí)易放“飛”（放肩時(shí)長(zhǎng)的太快，甚至于呈方形），容易導(dǎo)致單晶半途斷棱。第二十頁(yè)，共三十七頁(yè)，2022年，8月28日?qǐng)A籽晶和方籽晶第二十一頁(yè)，共三十七頁(yè)，2022年，8月28日7.放肩引晶結(jié)束后（細(xì)頸長(zhǎng)度150mm），將拉速調(diào)整到0.40左右進(jìn)行放肩，放肩的起始部分宜慢，之后應(yīng)通過調(diào)整溫校速率適時(shí)降溫，使放肩生長(zhǎng)平滑，防止肩部呈臺(tái)階狀（一般溫校起始值-12，然后慢慢增加）。放肩時(shí)間大約100min左右，放肩過快容易導(dǎo)致單晶斷棱。放肩務(wù)必要放平肩，當(dāng)肩部放到接近要求直徑時(shí)，應(yīng)用測(cè)徑儀測(cè)量晶體直徑，當(dāng)直徑小于要求直徑約10mm左右時(shí)，即可開始轉(zhuǎn)肩。

第二十二頁(yè)，共三十七頁(yè)，2022年，8月28日放肩時(shí)不成晶(斷棱)的處理第一次放肩不成晶時(shí)，無(wú)渣回熔。有渣時(shí)用晶快升提升至導(dǎo)流筒的中間部位后，將SL設(shè)定在6.0㎜/min上升5分鐘后快速提升到副室，打開主室氬氣閥門蓋好翻板閥。關(guān)閉翻板閥后，打開快速充氣閥門V1給副室充氣，到達(dá)常壓后打開副室小門，取出不成晶品。c)清理副爐筒，擦拭小副室門密封處。d)檢查籽晶，并穩(wěn)定好籽晶，合好小副室門，用副室泵，開始抽真空。第二十三頁(yè)，共三十七頁(yè)，2022年，8月28日副室抽真空

打開副室泵開關(guān)及副室泵閥門，抽真空。當(dāng)真空接近氣壓表負(fù)值頂端時(shí)，關(guān)閉副室泵閥門，打開氬氣快速充氣閥門V1，充氬氣到接近常壓，然后關(guān)閉氬氣閥門V1，打開副室泵閥門抽空，按以上方法重復(fù)充氣3次。關(guān)閉副室泵閥門檢漏，合格后，打開翻板閥。降籽晶，重新穩(wěn)定溫度，準(zhǔn)備引晶。

第二十四頁(yè)，共三十七頁(yè)，2022年，8月28日8.轉(zhuǎn)肩轉(zhuǎn)肩前需根據(jù)情況進(jìn)行預(yù)降溫，一般降低歐陸控制器設(shè)定值（SP值）10～30個(gè)字，轉(zhuǎn)肩時(shí)拉速為1.5～3mm/min，根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)放肩快慢而定。一般調(diào)節(jié)方法為：直徑145mm時(shí)，拉速1.5mm/min左右；直徑148mm時(shí)，拉速2mm/min左右；直徑151mm時(shí)，拉速2.5mm/min左右；直徑154mm時(shí)，拉速1.25mm/min左右；轉(zhuǎn)肩過程中應(yīng)適時(shí)打開堝升，轉(zhuǎn)肩完成后，及時(shí)將計(jì)長(zhǎng)清零并記錄。轉(zhuǎn)肩完畢后，對(duì)拉晶狀態(tài)進(jìn)行20分鐘的觀察，適當(dāng)調(diào)整溫度和拉速，確認(rèn)棱線明顯，直徑合適。當(dāng)晶體在頭部設(shè)定拉速下能等徑生長(zhǎng)時(shí)，壓好光圈（1/3～2/3），手柄拉速調(diào)到0后即可投入自動(dòng)等徑。第二十五頁(yè)，共三十七頁(yè)，2022年，8月28日9.等徑驗(yàn)算堝跟比是否正確在等徑過程中要經(jīng)常驗(yàn)算堝跟比是否正確，特別是在尾部時(shí)，要注意堝升情況，判斷堝升曲線是否合適，不正確的要及時(shí)糾正。驗(yàn)算的正確方法是：用同一時(shí)間段內(nèi)，堝位變化量和晶體長(zhǎng)度變化量之比來(lái)判斷。按要求每隔一小時(shí)做一次記錄，要求整齊、詳實(shí)。第二十六頁(yè)，共三十七頁(yè)，2022年，8月28日等徑過程中掉苞的處理(以拉制6.5″單晶為例)

A)處理原則：當(dāng)單晶長(zhǎng)度大于一個(gè)直徑長(zhǎng)度的2.5倍左右（即6.5″單晶大于430mm左右）時(shí)，應(yīng)當(dāng)按單晶（無(wú)位錯(cuò)或有位錯(cuò)）進(jìn)行冷卻，然后取出。小于430mm左右時(shí)，分以下兩種情況處理：a)如果原料較差，或者化完料后看見液面有較多渣滓，應(yīng)該提渣（俗稱“提餅子”）。b)如果原料較好，且化完料后液面較干凈，應(yīng)該全部回熔。第二十七頁(yè)，共三十七頁(yè)，2022年，8月28日B)冷卻單晶的步驟：在需要拉多段單晶時(shí)，取出單晶棒前，晶體應(yīng)逐步冷卻，以防止晶裂。步驟如下：a)先將計(jì)算機(jī)退出自動(dòng)控制，然后將歐陸退出自動(dòng)，并將加熱功率略微升高（參考上段引晶功率和歐陸值適當(dāng)增加）。b)將堝跟關(guān)閉，快速降坩堝30～40mm，使晶體脫離液面。c)晶升速度起初設(shè)定為1.5mm/min，逐步增加，四小時(shí)左右將晶體提升至副爐筒。打開V3，關(guān)閉V2，關(guān)閉翻板閥，用V1充氣到壓力表一半左右，讓晶體再冷卻10分鐘。最后充氣到正壓，才可以取出晶體。

第二十八頁(yè)，共三十七頁(yè)，2022年，8月28日注意事項(xiàng)a)在進(jìn)行倒氣之前，先確認(rèn)以下三個(gè)條件是否具備。否則不能進(jìn)行倒氣。1）副室泵是否完好可用。2）晶體長(zhǎng)度能否升到副爐筒以內(nèi)。3）翻板閥冷卻良好，出水溫度正常。b)向上提升晶體前，確認(rèn)堝升跟蹤已經(jīng)關(guān)閉。c)晶體高度提升到足夠安全的位置，確保不會(huì)被翻板閥碰到。第二十九頁(yè)，共三十七頁(yè)，2022年，8月28日d)確認(rèn)主室氬氣通上之后，才能蓋上翻板閥，如果主室被抽成真空，將會(huì)出現(xiàn)嚴(yán)重的跳料，損壞導(dǎo)流筒及熱場(chǎng)。e)主室通氣后，隨時(shí)觀察爐內(nèi)是否正常，防止結(jié)晶和跳料。f)取出晶體并且檢查或更換好籽晶后，擦拭干凈各部位密封處，降下爐筒，關(guān)上小副室門，給副室抽上真空之后，不能直接打開翻板閥，必須趕氣三次后，才能打開。h)趕氣完后，打開翻板閥，通上副室氬氣V2，關(guān)閉主室氬氣V3，關(guān)閉副室閥，關(guān)閉副室泵。這五步操作之間的順序不能錯(cuò)，時(shí)間間隔盡量縮短。第三十頁(yè)，共三十七頁(yè)，2022年，8月28日拉B段的方法：

拉B段的方法與第一段開始一樣，根據(jù)上段引晶歐陸功率值，確定好引晶堝位和歐陸功率值。與第一段相比注意以下幾點(diǎn)：a)引晶、放大、轉(zhuǎn)肩過程基本一致，轉(zhuǎn)肩后等徑起始拉速應(yīng)根據(jù)第一段拉速設(shè)定。b)開始投自動(dòng)等徑前，要設(shè)定起始長(zhǎng)度為前面取出晶體長(zhǎng)度總和。c)檢查各種數(shù)據(jù)參數(shù)，如有疑問時(shí)可請(qǐng)教相關(guān)技術(shù)人員，并做好記錄。第三十一頁(yè)，共三十七頁(yè)，2022年，8月28日C)回熔步驟：

a)確認(rèn)晶體長(zhǎng)度，降低堝位到適當(dāng)高度。b)將歐陸退出自動(dòng)，晶轉(zhuǎn)設(shè)定為5r/min，堝轉(zhuǎn)設(shè)定為2r/min。c)功率調(diào)整到化料功率的90%左右。d)觀察爐內(nèi)狀態(tài)，慢慢下降晶體進(jìn)行回熔。如果過快降下晶體，有可能觸到石英堝底，造成漏硅事故。e)回熔完成后進(jìn)行常規(guī)作業(yè)，并做好相關(guān)記錄。第三十二頁(yè)，共三十七頁(yè)，2022年，8月28日10.收尾當(dāng)堝底余料少于投料量的10％時(shí)（可根據(jù)晶體長(zhǎng)度判斷，即：55kg投料時(shí)，按直徑154mm計(jì)算，晶體長(zhǎng)度1150mm，其他投料重復(fù)類推，按直徑154mm計(jì)算，每公斤長(zhǎng)度23mm，或者根據(jù)堝位判斷），可開始收尾。對(duì)于手動(dòng)收尾，收尾前將自動(dòng)等徑退出，堝升停止，但控溫部分的溫校速率可以保留；對(duì)于自動(dòng)收尾，到達(dá)設(shè)定長(zhǎng)度后自動(dòng)進(jìn)入收尾程序，需關(guān)閉堝跟，并在速度系統(tǒng)中將堝升速度清零、關(guān)閉堝升電源，計(jì)算機(jī)將按設(shè)定的收尾曲線自動(dòng)收尾。收尾過程的開始階段不能過大提高拉速或者大幅提高溫度。收尾過程中應(yīng)時(shí)刻注意爐內(nèi)情況，適當(dāng)調(diào)整拉速或者溫校參數(shù)。第三十三頁(yè)，共三十七頁(yè)，2022年，8月28日11.停爐當(dāng)堝內(nèi)出現(xiàn)結(jié)晶或收完尾后，若處于自動(dòng)狀態(tài)需退出自動(dòng)，降低堝位約50mm左右,使晶體脫離液面。分步降低加熱功率到零，關(guān)閉加熱電源，停堝轉(zhuǎn)，慢慢降晶轉(zhuǎn)到零。將計(jì)算機(jī)內(nèi)以下參數(shù)復(fù)位：

a)晶升速度歸零。

b)控溫單元退出自動(dòng)。

c)分次降加熱功率至0。停爐冷卻時(shí)間為4至5小時(shí)，冷卻期間不停泵和氬氣，以加快冷卻，或者停爐后兩小時(shí)停氬氣和泵，自然冷卻6小時(shí)后拆爐。停爐后一定要保證供水正常。在拆爐前半小時(shí)要抽空到極限，進(jìn)行檢漏，將真空度及檢漏數(shù)據(jù)記錄下來(lái)。如果應(yīng)該換泵油或清洗機(jī)械泵、清洗真空管道等，則停加熱2小時(shí)后，停氣、抽空、檢漏，記錄真空度及檢漏數(shù)據(jù)。然后開始換油或清洗。在換油、清洗過程中，要注意與換油人員