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文檔簡介

中國碳化硅的逆襲之路給自足的長期目標(biāo)的推化硅(SiC)的電力電子產(chǎn)品。中國超在制定不同的商業(yè)戰(zhàn)SiC一個都讓全球電力電子高管徹YoleIntelligence合物半導(dǎo)體團(tuán)隊首席分析師EzgiDogmus表獨(dú)立的SiC技術(shù)、制造和供應(yīng)鏈基礎(chǔ)設(shè)施的并行發(fā)展?！拔覀儗⒖唇?jīng)理SimonKeeton在最近接受Ojo-YoshidaReport采訪時指出?！捌駷橹?，我還沒有看到中國在碳化硅器件方面的競爭?！盨TMicroelectronicsWolfspeedRohm猜測中國多久寬帶隙半導(dǎo)體，尤其是用碳化硅來取代硅功率半導(dǎo)體?！眮碚f，這很有可能。”超越西方制造商。 成電路公司采用混合業(yè)務(wù)模式，將代工和集成器件制造(IDM)業(yè)務(wù)極管。像SiCMOSFET這樣的器件是另一回事。“(對中國供應(yīng)商而言)可言)可能需要三年或更長時間才能實現(xiàn)量產(chǎn)。截至目前，三安集成發(fā)SiC進(jìn)行大量投資。這也解釋了最近幾個月西方SiC廠商紛紛宣布投資SiC晶圓生產(chǎn)立足于LED(GaN/GaAs)領(lǐng)域的三安光電，與三安集成電路在廈SiC半導(dǎo)體提供代工服務(wù)和模塊封裝。Wolfspeed首席執(zhí)行官GreggLowe將SiC描述為“一項棘手的技術(shù)

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