電力半導(dǎo)體器件

電力半導(dǎo)體器件第一頁，共九十六頁，2022年，8月28日電力電子器件的基本模型定義：電力電子電路中能實(shí)現(xiàn)電能的變換和控制的半導(dǎo)體電子器件稱為電力電子器件（PowerElectronicDevice）。在對(duì)電能的變換和控制過程中，電力電子器件可以抽象成下圖所示的理想開關(guān)模型，它有三個(gè)電極，其中A和B代表開關(guān)的兩個(gè)主電極，K是控制開關(guān)通斷的控制極。它只工作在“通態(tài)”和“斷態(tài)”兩種情況，在通態(tài)時(shí)其電阻為零，斷態(tài)時(shí)其電阻無窮大。第二頁，共九十六頁，2022年，8月28日電力電子器件的基本特性（1）電力電子器件一般都工作在開關(guān)狀態(tài)。（2）電力電子器件的開關(guān)狀態(tài)由（驅(qū)動(dòng)電路）外電路來控制。（3）在工作中器件的功率損耗（通態(tài)、斷態(tài)、開關(guān)損耗）很大。為保證不至因損耗散發(fā)的熱量導(dǎo)致器件溫度過高而損壞，在其工作時(shí)一般都要安裝散熱器。注：很重要，一定記住。第三頁，共九十六頁，2022年，8月28日電力電子器件的分類按器件的開關(guān)控制特性可以分為以下三類：

①不可控器件：器件本身沒有導(dǎo)通、關(guān)斷控制功能，而需要根據(jù)電路條件決定其導(dǎo)通、關(guān)斷狀態(tài)的器件稱為不可控器件。如：電力二極管（PowerDiode）；②半控型器件：通過控制信號(hào)只能控制其導(dǎo)通，不能控制其關(guān)斷的電力電子器件稱為半控型器件。如：晶閘管（Thyristor）及其大部分派生器件等；③全控型器件：通過控制信號(hào)既可控制其導(dǎo)通又可控制其關(guān)斷的器件，稱為全控型器件。如：門極可關(guān)斷晶閘管（Gate-Turn-OffThyristor）、功率場(chǎng)效應(yīng)管（PowerMOSFET）和絕緣柵雙極型晶體管（Insulated-GateBipolarTransistor）等。第四頁，共九十六頁，2022年，8月28日電力電子器件的分類前面已經(jīng)將電力電子器件分為不可控型、半控型和全控型。按控制信號(hào)的性質(zhì)不同又可分為兩種：①

電流控制型器件：

此類器件采用電流信號(hào)來實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通或關(guān)斷控制。如：晶閘管、門極可關(guān)斷晶閘管、功率晶體管、IGCT等；②

電壓控制半導(dǎo)體器件：這類器件采用電壓控制（場(chǎng)控原理控制）它的通、斷，輸入控制端基本上不流過控制電流信號(hào)，用小功率信號(hào)就可驅(qū)動(dòng)它工作。如：代表性器件為MOSFET管和IGBT管。第五頁，共九十六頁，2022年，8月28日功率二極管功率二極管（PowerDiode）也稱為半導(dǎo)體整流器（SemiconductorRectifier，簡(jiǎn)稱SR），屬不可控電力電子器件，是20世紀(jì)最早獲得應(yīng)用的電力電子器件。在中、高頻整流和逆變以及低壓高頻整流的場(chǎng)合發(fā)揮著積極的作用,具有不可替代的地位?；窘Y(jié)構(gòu)和工作、原理與信息電子電路中的二極管一樣。從外形上看，主要有螺栓型和平板型兩種。第六頁，共九十六頁，2022年，8月28日功率二極管

a）結(jié)構(gòu)b）外形c）電氣圖形伏安特性曲線第七頁，共九十六頁，2022年，8月28日功率二極管的開關(guān)特性

（1）關(guān)斷特性：電力二極管由正向偏置的通態(tài)轉(zhuǎn)換為反向偏置的斷態(tài)過程。須經(jīng)過一段短暫的時(shí)間才能重新獲得反向阻斷能力，進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)。在關(guān)斷之前有較大的反向電流出現(xiàn)，并伴隨有明顯的反向電壓過沖。反向恢復(fù)時(shí)間：trr=td+tf（2）開通特性：

電力二極管由零偏置轉(zhuǎn)換為正向偏置的通態(tài)過程。電力二極管的正向壓降先出現(xiàn)一個(gè)過沖UFP，經(jīng)過一段時(shí)間才趨于接近穩(wěn)態(tài)壓降的某個(gè)值（如2V）。這一動(dòng)態(tài)過程時(shí)間被稱為正向恢復(fù)時(shí)間tfr。第八頁，共九十六頁，2022年，8月28日功率二極管的主要參數(shù)

（1）額定正向平均電流IF(AV)：在指定的管殼溫（簡(jiǎn)稱殼溫，用TC表示）和散熱條件下，其允許流過的最大工頻正弦半波電流的平均值。（2）反向重復(fù)峰值電壓ＵRRM：指器件能重復(fù)施加的反向最高峰值電壓（額定電壓），此電壓通常為擊穿電壓UＢ的2/3。（3）正向壓降ＵF：指規(guī)定條件下，流過穩(wěn)定的額定電流時(shí)，器件兩端的正向平均電壓(又稱管壓降)。（4）反向漏電流ＩRR：指器件對(duì)應(yīng)于反向重復(fù)峰值電壓時(shí)的反向電流。最高工作結(jié)溫ＴjM：指器件中ＰＮ結(jié)不至于損壞的前提下所能承受的最高平均溫度。ＴjM通常在125～175℃范圍內(nèi)。第九頁，共九十六頁，2022年，8月28日功率二極管的主要類型

（1）普通二極管：普通二極管又稱整流管（RectifierDiode），多用于開關(guān)頻率在１KHZ以下的整流電路中，其反向恢復(fù)時(shí)間在５us以上，額定電流達(dá)數(shù)千安，額定電壓達(dá)數(shù)千伏以上。（2）快恢復(fù)二極管：反向恢復(fù)時(shí)間在５us以下的稱為快恢復(fù)二極管（FastRecoveryDiode簡(jiǎn)稱FDR）?？旎謴?fù)二極管從性能上可分為快速恢復(fù)和超快速恢復(fù)二極管。前者反向恢復(fù)時(shí)間為數(shù)百納秒以上，后者則在100ns以下，其容量可達(dá)1200V/200A的水平,多用于高頻整流和逆變電路中。（3）肖特基二極管：肖特基二極管是一種金屬同半導(dǎo)體相接觸形成整流特性的單極型器件，其導(dǎo)通壓降的典型值為0.4～0.6V，而且它的反向恢復(fù)時(shí)間短，為幾十納秒。但反向耐壓在200Ｖ以下。它常被用于高頻低壓開關(guān)電路或高頻低壓整流電路中。第十頁，共九十六頁，2022年，8月28日晶閘管

晶閘管(Thyristor)包括：普通晶閘管(SCR)、快速晶閘管(FST)、雙向晶閘管(TRIAC)、逆導(dǎo)晶閘管(RCT)、可關(guān)斷晶閘管(GTO)和光控晶閘管等。普通晶閘管面世早，應(yīng)用極為廣泛,在無特別說明的情況下,本書所說的晶閘管都為普通晶閘管。普通晶閘管：也稱可控硅整流管(SiliconControlledRectifier),簡(jiǎn)稱SCR。

它電流容量大,電壓耐量高以及開通的可控性(目前生產(chǎn)水平：4500A/8000V)已被廣泛應(yīng)用于相控整流、逆變、交流調(diào)壓、直流變換等領(lǐng)域,成為特大功率低頻(200Hz以下)裝置中的主要器件。第十一頁，共九十六頁，2022年，8月28日晶閘管的外形、結(jié)構(gòu)和符號(hào)

(a)外形；(b)結(jié)構(gòu)；(c)圖形符號(hào)第十二頁，共九十六頁，2022年，8月28日晶閘管的工作原理

IA=Ic1+Ic2+ICO=1IA+2IK

+ICO（2-1）

IK=IA+IG

（2-2）式中1和2分別是晶體管V1和V2的共基極電流增益；ICO是流過J2結(jié)的反向漏電流。由以上兩式可得

（2-3）第十三頁，共九十六頁，2022年，8月28日晶閘管的阻斷狀態(tài)與正向轉(zhuǎn)折阻斷狀態(tài)：IG=0，1+2很小。正向陽極電壓uAK在一定范圍內(nèi)可視為IA=IK=IC0。正向轉(zhuǎn)折：若增大uAK電流IC0隨之增加，導(dǎo)致1、2上升。當(dāng)（1+2

）≈1時(shí)，IA急劇上升，晶閘管由阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為正向?qū)顟B(tài)，稱為正向轉(zhuǎn)折。晶閘管發(fā)生正向轉(zhuǎn)折后，陽極電流IA決定于外電路參數(shù)，屬于失控狀態(tài)，應(yīng)于避免。反向陽極電壓uAK在一定范圍內(nèi)時(shí)，晶閘管處于反向阻斷狀態(tài)。反向陽極電壓超限會(huì)導(dǎo)致晶閘管反向擊穿，造成永久損壞。第十四頁，共九十六頁，2022年，8月28日晶閘管的門極開通原理晶閘管陽極施加正向電壓時(shí),若給門極G也加正向電壓UG,門極電流IG經(jīng)三極管V2放大后成為集電極電流IC2，IC2又是三極管V1的基極電流,放大后的集電極電流IC1進(jìn)一步使IG增大且又作為V2的基極電流流入。重復(fù)上述正反饋過程，兩個(gè)三極管V1

、V2都快速進(jìn)入飽和狀態(tài),使晶閘管陽極A與陰極K之間導(dǎo)通。此時(shí)若撤除UG,V1

、V2內(nèi)部電流仍維持原來的方向,只要滿足陽極正偏的條件,晶閘管就一直導(dǎo)通。第十五頁，共九十六頁，2022年，8月28日晶閘管的關(guān)斷在晶閘管導(dǎo)通之后，它的導(dǎo)通狀態(tài)完全依靠管子本身的正反饋?zhàn)饔脕砭S持，即使控制極電流消失，晶閘管仍將處于導(dǎo)通狀態(tài)。因此，控制極的作用僅是觸發(fā)晶閘管使其導(dǎo)通，導(dǎo)通之后，控制極就失去了控制作用。要想關(guān)斷晶閘管，最根本的方法就是必須將陽極電流減小到使之不能維持正反饋的程度，也就是將晶閘管的陽極電流減小到小于維持電流?？刹捎玫姆椒ㄓ校簩㈥枠O電源斷開；改變晶閘管的陽極電壓的方向，即在陽極和陰極間加反向電壓。第十六頁，共九十六頁，2022年，8月28日幾點(diǎn)結(jié)論（非常重要）

1.晶閘管具有單向?qū)щ姾涂煽亻_通的開關(guān)特性。

2.晶閘管由阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，應(yīng)具備兩個(gè)條件：從主電路看，晶閘管應(yīng)承受正向陽極電壓；從控制回路看，應(yīng)有符合要求的正向門極電流。

3.晶閘管導(dǎo)通后，只要具備維持導(dǎo)通的主回路條件，晶閘管就維持導(dǎo)通狀態(tài)，門極便失去控制作用，其陽極電流由外電路決定。

4.欲使晶閘管關(guān)斷，必須從主電路采取措施，使晶閘管陽極電流下降至維持電流之下，通常還要施加一定時(shí)間的反向陽極電壓。第十七頁，共九十六頁，2022年，8月28日晶閘管的陽極伏安特性第I象限的是正向特性第III象限的是反向特性IG2>IG1>IG第十八頁，共九十六頁，2022年，8月28日晶閘管的正向特性IG=0時(shí)，器件兩端施加正向電壓，正向阻斷狀態(tài)，只有很小的正向漏電流流過，正向電壓超過臨界極限即正向轉(zhuǎn)折電壓Ubo，則漏電流急劇增大，器件開通。隨著門極電流幅值的增大，正向轉(zhuǎn)折電壓降低。導(dǎo)通后的晶閘管特性和二極管的正向特性相仿。晶閘管本身的壓降很小，在1V左右。導(dǎo)通期間，如果門極電流為零，并且陽極電流降至接近于零的某一數(shù)值IH以下，則晶閘管又回到正向阻斷狀態(tài)。IH稱為維持電流。第十九頁，共九十六頁，2022年，8月28日晶閘管的反向特性晶閘管上施加反向電壓時(shí)，伏安特性類似二極管的反向特性。

晶閘管處于反向阻斷狀態(tài)時(shí)，只有極小的反相漏電流流過。當(dāng)反向電壓超過一定限度，到反向擊穿電壓后，外電路如無限制措施，則反向漏電流急劇增加，導(dǎo)致晶閘管發(fā)熱損壞。第二十頁，共九十六頁，2022年，8月28日晶閘管的動(dòng)態(tài)特性第二十一頁，共九十六頁，2022年，8月28日晶閘管的開通過程延遲時(shí)間td：門極電流階躍時(shí)刻開始，到陽極電流上升到穩(wěn)態(tài)值的10%的時(shí)間。上升時(shí)間tr：陽極電流從10%上升到穩(wěn)態(tài)值的90%所需的時(shí)間。開通時(shí)間tgt以上兩者之和，tgt=td+tr

普通晶閘管延遲時(shí)為0.5~1.5s，上升時(shí)間為0.5~3s。第二十二頁，共九十六頁，2022年，8月28日晶閘管的關(guān)斷過程反向阻斷恢復(fù)時(shí)間trr：正向電流降為零到反向恢復(fù)電流衰減至接近于零的時(shí)間正向阻斷恢復(fù)時(shí)間tgr：晶閘管要恢復(fù)其對(duì)正向電壓的阻斷能力還需要一段時(shí)間在正向阻斷恢復(fù)時(shí)間內(nèi)如果重新對(duì)晶閘管施加正向電壓，晶閘管會(huì)重新正向?qū)ā?shí)際應(yīng)用中，應(yīng)對(duì)晶閘管施加足夠長(zhǎng)時(shí)間的反向電壓，使晶閘管充分恢復(fù)其對(duì)正向電壓的阻斷能力，電路才能可靠工作。

關(guān)斷時(shí)間tq：trr與tgr之和，即tq=trr+tgr

普通晶閘管的關(guān)斷時(shí)間約幾百微秒。第二十三頁，共九十六頁，2022年，8月28日晶閘管的電壓額定參數(shù)1）正向重復(fù)峰值電壓UDRM:

門極斷開(Ig=0),元件處在額定結(jié)溫時(shí),正向陽極電壓為正向阻斷不重復(fù)峰值電壓UDSM(此電壓不可連續(xù)施加)的80%所對(duì)應(yīng)的電壓(此電壓可重復(fù)施加,其重復(fù)頻率為50HZ，每次持續(xù)時(shí)間不大于10ms)。2）反向重復(fù)峰值電壓URRM:

元件承受反向電壓時(shí),陽極電壓為反向不重復(fù)峰值電壓URRM的80%所對(duì)應(yīng)的電壓。3）晶閘管銘牌標(biāo)注的額定電壓Ue通常取UDRM與URRM中的最小值,選用時(shí)，額定電壓要留有一定裕量,一般取額定電壓為正常工作時(shí)晶閘管所承受峰值電壓2～3倍。即Ue=（2～3）UM

（2-7）

UM為晶閘管實(shí)際承受的最大重復(fù)電壓。第二十四頁，共九十六頁，2022年，8月28日晶閘管的電流額定參數(shù)1）維持電流ＩＨ：在室溫下門極斷開時(shí)，元件從較大的通態(tài)電流降至剛好能保持導(dǎo)通的最小陽極電流為維持電流ＩH

。2）掣住電流ＩL

：給晶閘管門極加上觸發(fā)電壓，當(dāng)元件剛從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)就撤除觸發(fā)電壓，此時(shí)元件維持導(dǎo)通所需要的最小陽極電流稱掣住電流ＩL。對(duì)同一晶閘管來說，掣住電流ＩL

要比維持電流ＩH

大2~4倍。第二十五頁，共九十六頁，2022年，8月28日晶閘管的電流額定參數(shù)3）通態(tài)平均電流─額定電流ITa

在環(huán)境溫度為40℃和規(guī)定的冷卻條件下,晶閘管在電阻性負(fù)載導(dǎo)通角不小于170°的單相工頻正弦半波電路中,當(dāng)結(jié)溫穩(wěn)定且不超過額定結(jié)溫時(shí)所允許的最大通態(tài)平均電流。在選用晶閘管額定電流時(shí)，根據(jù)實(shí)際最大的電流計(jì)算后至少還要乘以1.5～2的安全系數(shù)，使其有一定的電流裕量。第二十六頁，共九十六頁，2022年，8月28日晶閘管的電流額定參數(shù)4）通態(tài)平均電流─額定電流ITa的計(jì)算方法

根據(jù)平均值、有效值的定義對(duì)正弦半波電流有如下關(guān)系：從上兩式有：I=1.57ITa(2-10)晶閘管電流定額可按下式選擇，IVT為晶閘管實(shí)際通過電流的有效值。（2-11）第二十七頁，共九十六頁，2022年，8月28日晶閘管的動(dòng)態(tài)參數(shù)通態(tài)電流臨界上升率

di/dt定義：晶閘管能承受而沒有損害影響的最大通態(tài)電流上升率稱通態(tài)電流臨界上升率

di/dt。影響：門極流入觸發(fā)電流后，晶閘管開始只在靠近門極附近的小區(qū)域內(nèi)導(dǎo)通，隨著時(shí)間的推移，導(dǎo)通區(qū)才逐漸擴(kuò)大到PN結(jié)的全部面積。如果陽極電流上升得太快，則會(huì)導(dǎo)致門極附近的ＰＮ結(jié)因電流密度過大而燒毀，使晶閘管損壞。第二十八頁，共九十六頁，2022年，8月28日晶閘管的動(dòng)態(tài)參數(shù)斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt定義：把在規(guī)定條件下，不導(dǎo)致晶閘管直接從斷態(tài)轉(zhuǎn)換到通態(tài)的最大陽極電壓上升率，稱為斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt。

影響：晶閘管的結(jié)面在阻斷狀態(tài)下相當(dāng)于一個(gè)電容，若突然加一正向陽極電壓，便會(huì)有一個(gè)充電電流流過結(jié)面，該充電電流流經(jīng)靠近陰極的ＰＮ結(jié)時(shí)，產(chǎn)生相當(dāng)于觸發(fā)電流的作用，如果這個(gè)電流過大，將會(huì)使元件誤觸發(fā)導(dǎo)通。第二十九頁，共九十六頁，2022年，8月28日晶閘管的型號(hào)第三十頁，共九十六頁，2022年，8月28日晶閘管的主要派生器件1.快速晶閘管(FastSwitchingThyristor—FST可允許開關(guān)頻率在400HZ以上工作的晶閘管稱為快速晶閘管(FastSwitchingThyrister，簡(jiǎn)稱FST)，開關(guān)頻率在10KHZ

以上的稱為高頻晶閘管?？焖倬чl管為了提高開關(guān)速度，其硅片厚度做得比普通晶閘管薄，因此承受正反向阻斷重復(fù)峰值電壓較低，一般在2000V以下。快速晶閘管du/dt的耐量較差，使用時(shí)必須注意產(chǎn)品銘牌上規(guī)定的額定開關(guān)頻率下的du/dt，當(dāng)開關(guān)頻率升高時(shí)，du/dt

耐量會(huì)下降。第三十一頁，共九十六頁，2022年，8月28日晶閘管的主要派生器件2.逆導(dǎo)晶閘管(RCT)將晶閘管反并聯(lián)一個(gè)二極管制作在同一管芯上的功率集成器件。與普通晶閘管相比，逆導(dǎo)晶閘管具有正壓降小、關(guān)斷時(shí)間短、高溫特性好、額定結(jié)溫高等優(yōu)點(diǎn)；根據(jù)逆導(dǎo)晶閘管的伏安特性可知，它的反向擊穿電壓很低；因此只能適用于反向不需承受電壓的場(chǎng)合；逆導(dǎo)晶閘管存在著晶閘管區(qū)和整流管區(qū)之間的隔離區(qū)；逆導(dǎo)晶閘管的額定電流分別以晶閘管和整流管的額定電流表示。a)電氣圖形符號(hào)b)伏安特性第三十二頁，共九十六頁，2022年，8月28日晶閘管的主要派生器件3.雙向晶閘管(TRIAC)可認(rèn)為是一對(duì)反并聯(lián)聯(lián)接的普通晶閘管的集成。有兩個(gè)主電極T1和T2，一個(gè)門極G。正反兩方向均可觸發(fā)導(dǎo)通，所以雙向晶閘管在第Ｉ和第III象限有對(duì)稱的伏安特性。與一對(duì)反并聯(lián)晶閘管相比是經(jīng)濟(jì)的，且控制電路簡(jiǎn)單，在交流調(diào)壓電路、固態(tài)繼電器（SSR）和交流電機(jī)調(diào)速等領(lǐng)域應(yīng)用多。

通常用在交流電路中，因此不用平均值而用有效值來表示其額定電流值。a)電氣圖形符號(hào)b)伏安特性第三十三頁，共九十六頁，2022年，8月28日可關(guān)斷晶閘管結(jié)構(gòu)與符號(hào)與普通晶閘管的相同點(diǎn)：PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，外部引出陽極、陰極和門極。和普通晶閘管的不同點(diǎn)：GTO是一種多元的功率集成器件，內(nèi)部包含數(shù)十個(gè)甚至數(shù)百個(gè)共陽極的小GTO元，這些GTO元的陰極和門極則在器件內(nèi)部并聯(lián)在一起。第三十四頁，共九十六頁，2022年，8月28日可關(guān)斷晶閘管的開通過程與普通晶閘管類似，需經(jīng)過延遲時(shí)間td和上升時(shí)間tr。第三十五頁，共九十六頁，2022年，8月28日可關(guān)斷晶閘管的關(guān)斷過程與普通晶閘管有所不同抽取飽和導(dǎo)通時(shí)儲(chǔ)存的大量載流子——儲(chǔ)存時(shí)間ts，使等效晶體管退出飽和。等效晶體管從飽和區(qū)退至放大區(qū)，陽極電流逐漸減小——下降時(shí)間tf

。殘存載流子復(fù)合——尾部時(shí)間tt

。通常tf比ts小得多，而tt比ts要長(zhǎng)。門極負(fù)脈沖電流幅值越大，前沿越陡，抽走儲(chǔ)存載流子的速度越快，ts越短。門極負(fù)脈沖的后沿緩慢衰減，在tt階段仍保持適當(dāng)負(fù)電壓，則可縮短尾部時(shí)間。第三十六頁，共九十六頁，2022年，8月28日可關(guān)斷晶閘管的開關(guān)損耗GTO在通態(tài)和斷態(tài)時(shí)損耗較小，在開通和關(guān)斷的動(dòng)態(tài)過程中損耗較大。在開通過程中，最大瞬時(shí)損耗功率出現(xiàn)在上升時(shí)間tr內(nèi)，在不超過門極平均耗散功率的前提下，提高門極電流脈沖的幅值、寬度和前沿陡度可縮短開通時(shí)間，降低開通損耗。在關(guān)斷過程中，出現(xiàn)兩次峰值損耗功率。一次在下降時(shí)間tf內(nèi)，一次在尾部時(shí)間tt內(nèi)。提高門極關(guān)斷電流脈沖的幅值和前沿陡度，盡可能使負(fù)電壓脈沖后沿衰減緩慢，盡量減小主電路電感，合理設(shè)置吸收電路，可降低關(guān)斷損耗。第三十七頁，共九十六頁，2022年，8月28日GTO的主要技術(shù)參數(shù)1.斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓Udsm。使用只絕對(duì)不允許超過。2.可關(guān)斷峰值電流ITGQM。它是GTO的額定電流。3.維持電流IH。導(dǎo)通狀態(tài)下的GTO陽極電流減小至開始出現(xiàn)部分GTO元不能再維持導(dǎo)通狀態(tài)的陽極電流值。4.掣住電流IL。GTO經(jīng)門極觸發(fā)后，陽極電流上升到能夠保持所有GTO元導(dǎo)通的最低值。第三十八頁，共九十六頁，2022年，8月28日GTO的主要技術(shù)參數(shù)5.開通時(shí)間tgt

。延遲時(shí)間與上升時(shí)間之和。延遲時(shí)間一般約1~2s，上升時(shí)間則隨通態(tài)陽極電流值的增大而增大。6.關(guān)斷時(shí)間tq。一般指儲(chǔ)存時(shí)間和下降時(shí)間之和，不包括尾部時(shí)間。GTO的儲(chǔ)存時(shí)間隨陽極電流的增大而增大，下降時(shí)間一般小于2s。7.電流關(guān)斷增益off。最大可關(guān)斷陽極電流與門極負(fù)脈沖電流最大值IGM之比稱為電流關(guān)斷增益。off一般很小，只有5左右，這是GTO的一個(gè)主要缺點(diǎn)。1000A的GTO關(guān)斷時(shí)門極負(fù)脈沖電流峰值要200A

。第三十九頁，共九十六頁，2022年，8月28日GTO的吸收電路設(shè)置吸收（緩沖）電路的目的是：

(1)減輕GTO在開關(guān)過程中的功耗。為了降低開通時(shí)的功耗，必須抑制GTO開通時(shí)陽極電流上升率。GTO關(guān)斷時(shí)會(huì)出現(xiàn)擠流現(xiàn)象，即局部地區(qū)因電流密度過高導(dǎo)致瞬時(shí)溫度過高，甚至使GTO無法關(guān)斷。為此必須在管子關(guān)斷時(shí)抑制電壓上升率。

(2)抑制靜態(tài)電壓上升率，過高的電壓上升率會(huì)使GTO因位移電流產(chǎn)生誤導(dǎo)通。下圖為GTO的阻容吸收電路，其電路形式和工作原理與普通晶閘管電路基本相似。圖（a）只能用于小電流電路；圖（b）與圖（c）是較大容量GTO電路中常見的緩沖器，其二極管盡量選用快速型、接線短的二極管，這將使緩沖器阻容效果更顯著。第四十頁，共九十六頁，2022年，8月28日GTO的吸收電路第四十一頁，共九十六頁，2022年，8月28日電力晶體管的結(jié)構(gòu)與符號(hào)GTR與普通雙極結(jié)型晶體管基本原理是一樣的。主要特性是耐壓高、電流大、開關(guān)特性好。通常采用至少由兩個(gè)晶體管按達(dá)林頓接法組成的單元結(jié)構(gòu)。采用集成電路工藝將許多這種單元并聯(lián)而成。第四十二頁，共九十六頁，2022年，8月28日GTR的開關(guān)特性開通過程：延遲時(shí)間td和上升時(shí)間tr，二者之和為開通時(shí)間ton。td主要是由發(fā)射結(jié)勢(shì)壘電容和集電結(jié)勢(shì)壘電容充電產(chǎn)生的。增大ib的幅值并增大dib/dt，可縮短延遲時(shí)間，同時(shí)可縮短上升時(shí)間，從而加快開通過程。第四十三頁，共九十六頁，2022年，8月28日GTR的開關(guān)特性關(guān)斷過程儲(chǔ)存時(shí)間ts和下降時(shí)間tf，二者之和為關(guān)斷時(shí)間toff

。ts是用來除去飽和導(dǎo)通時(shí)儲(chǔ)存在基區(qū)的載流子的，是關(guān)斷時(shí)間的主要部分。減小導(dǎo)通時(shí)的飽和深度以減小儲(chǔ)存的載流子，或者增大基極抽取負(fù)電流Ib2的幅值和負(fù)偏壓，可縮短儲(chǔ)存時(shí)間，從而加快關(guān)斷速度。負(fù)面作用是會(huì)使集電極和發(fā)射極間的飽和導(dǎo)通壓降Uces增加，從而增大通態(tài)損耗。GTR的開關(guān)時(shí)間在幾微秒以內(nèi)，比晶閘管和GTO都短很多。第四十四頁，共九十六頁，2022年，8月28日GTR的最大額定值1.最高工作電壓

UM。GTR上電壓超過規(guī)定值時(shí)會(huì)發(fā)生擊穿，擊穿電壓不僅和晶體管本身特性有關(guān)，還與外電路接法有關(guān)。2.集電極最大允許電流IcM。通常規(guī)定為hFE下降到規(guī)定值的1/2~1/3時(shí)所對(duì)應(yīng)的Ic。實(shí)際使用時(shí)要留有裕量，只能用到IcM的一半或稍多一點(diǎn)。3.最高結(jié)溫TjM。一般情況下，塑封硅管的TjM為125℃～150℃，金屬封硅管的TjM為150℃～170℃，高可靠平面管的TjM為175℃～200℃。

4.集電極最大耗散功率PcM。最高工作溫度下允許的耗散功率。第四十五頁，共九十六頁，2022年，8月28日GTR的二次擊穿一次擊穿集電極電壓升高至擊穿電壓時(shí)，Ic迅速增大，出現(xiàn)雪崩擊穿。只要Ic不超過限度，GTR一般不會(huì)損壞，工作特性也不變。

二次擊穿一次擊穿發(fā)生時(shí)Ic增大到某個(gè)臨界點(diǎn)時(shí)會(huì)突然急劇上升，并伴隨電壓的陡然下降。常常立即導(dǎo)致器件的永久損壞，或者工作特性明顯衰變。第四十六頁，共九十六頁，2022年，8月28日GTR的二次擊穿一次擊穿、二次擊穿原理二次擊穿臨界線第四十七頁，共九十六頁，2022年，8月28日GTR的安全工作區(qū)安全工作區(qū)SOA(SafeOperationArea)是指在輸出特性曲線圖上GTR能夠安全運(yùn)行的電流、電壓的極限范圍。按基極偏置分類可分為正偏安全工作區(qū)FBSOA和反偏安全工作區(qū)RBSOA。第四十八頁，共九十六頁，2022年，8月28日GTR的正偏安全工作區(qū)FBSOA

正偏安全工作區(qū)又叫開通安全工作區(qū)，它是基極正向偏置條件下由GTR的最大允許集電極電流ICM、最大允許集電極電壓BUCEO、最大允許集電極功耗PCM以及二次擊穿功率PSB四條限制線所圍成的區(qū)域。第四十九頁，共九十六頁，2022年，8月28日GTR的反偏安全工作區(qū)RBSOA反偏安全工作區(qū)又稱GTR的關(guān)斷安全工作區(qū)。它表示在反向偏置狀態(tài)下GTR關(guān)斷過程中電壓UCE、電流IC限制界線所圍成的區(qū)域。第五十頁，共九十六頁，2022年，8月28日GTR的保護(hù)與基流控制GTR的過電流保護(hù)只能采取快速封鎖驅(qū)動(dòng)電路的方式，快速檢測(cè)和快速響應(yīng)是影響保護(hù)性能的主要因素?；鶚O電流控制應(yīng)從以下幾個(gè)方面考慮：1.開通時(shí)應(yīng)保證有足夠的峰值，縮短開通時(shí)間，降低開通損耗。2.開通后要維持GTR工作在準(zhǔn)飽和狀態(tài)，避免進(jìn)入放大狀態(tài)。3.關(guān)斷時(shí)盡量提供較大的電流，縮短關(guān)斷時(shí)間，減小關(guān)斷損耗。第五十一頁，共九十六頁，2022年，8月28日功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET結(jié)構(gòu)與符號(hào)分為結(jié)型和絕緣柵型（類似小功率FieldEffectTransistor——FET）但通常主要指絕緣柵型中的MOS型（MetalOxideSemiconductorFET）第五十二頁，共九十六頁，2022年，8月28日MOSFET的工作原理（1）截止：柵源電壓UGS≤0或0＜UGS≤UT(UT為開啟電壓，又叫閾值電壓)；（2）導(dǎo)通：UGS＞UT時(shí)，加至漏極電壓UDS＞0；（3）漏極電流ID

：VDMOS的漏極電流ID受控于柵壓UGS

；第五十三頁，共九十六頁，2022年，8月28日MOSFET的主要參數(shù)1.漏源擊穿電壓BUDSSBUDSS決定了VDMOS的最高工作電壓，它是為了避免器件進(jìn)入雪崩區(qū)而設(shè)立的極限參數(shù)。2.最大漏極電流IDMIDM表征器件的電流容量。當(dāng)UGS=10V，UDS為某一數(shù)值時(shí)，漏源間允許通過的最大電流稱為最大漏極電流。3.柵源擊穿電壓BUGSBUGS是為了防止絕緣柵層因柵源間電壓過高而發(fā)生介電擊穿而設(shè)立的參數(shù)。一般BUGS=±20V。4.通態(tài)電阻Ron

在確定的柵壓UGS下，VDMOS由可調(diào)電阻區(qū)進(jìn)入飽和區(qū)時(shí)漏極至源極間的直流電阻稱為通態(tài)電阻Ron

。Ron是影響最大輸出功率的重要參數(shù)。在相同條件下，耐壓等級(jí)越高的器件其Ron值越大，另外Ron隨ID的增加而增加，隨UGS的升高而減小。第五十四頁，共九十六頁，2022年，8月28日正偏安全工作區(qū)(FBSOA)：四條邊界極限：1）漏源通態(tài)電阻限制線I(由于通態(tài)電阻Ron大，因此器件在低壓段工作時(shí)要受自身功耗的限制)；2）最大漏極電流限制線Ⅱ；3）最大功耗限制線Ⅲ；4）最大漏源電壓限制線Ⅳ；第五十五頁，共九十六頁，2022年，8月28日開關(guān)安全工作區(qū)(SSOA)開關(guān)安全工作區(qū)(SSOA)反應(yīng)VDMOS在關(guān)斷過程中的參數(shù)極限范圍；由最大峰值漏極電流IDM、最小漏源擊穿電壓BUDSS和最高結(jié)溫TJM所決定。第五十六頁，共九十六頁，2022年，8月28日換向安全工作區(qū)(CSOA)換向安全工作區(qū)(CSOA)是器件寄生二極管或集成二極管反向恢復(fù)性能所決定的極限工作范圍。在換向速度(寄生二極管反向電流變化率)一定時(shí)，CSOA由漏極正向電壓UDS(即二極管反向電壓UR)和二極管的正向電流的安全運(yùn)行極限值IFM來決定。第五十七頁，共九十六頁，2022年，8月28日MOSFET的特點(diǎn)1.開關(guān)速度快，一般為10ns~100ns。2.溫度穩(wěn)定性好，通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù)，可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)均流。3.輸入阻抗大、驅(qū)動(dòng)功率小，因此驅(qū)動(dòng)電路也較簡(jiǎn)單。4.導(dǎo)通電阻大、通態(tài)壓降大，因此在大電流時(shí)通態(tài)損耗較大。第五十八頁，共九十六頁，2022年，8月28日絕緣柵晶體管IGBT：絕緣柵雙極型晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor)。兼具功率MOSFET高速開關(guān)特性和GTR的低導(dǎo)通壓降特性兩者優(yōu)點(diǎn)的一種復(fù)合器件。結(jié)構(gòu)、等效電路、符號(hào)第五十九頁，共九十六頁，2022年，8月28日IGBT的工作原理

驅(qū)動(dòng)原理與電力MOSFET基本相同，場(chǎng)控器件，通斷由柵射極電壓uGE決定。導(dǎo)通：uGE大于開啟電壓UGE(th)時(shí)，MOSFET內(nèi)形成溝道，為晶體管提供基極電流，IGBT導(dǎo)通。導(dǎo)通壓降：電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)使電阻晶體管基區(qū)調(diào)制電阻RN減小，使通態(tài)壓降小。關(guān)斷：柵射極間施加反壓或不加信號(hào)時(shí)，MOSFET內(nèi)的溝道消失，晶體管的基極電流被切斷，IGBT關(guān)斷。第六十頁，共九十六頁，2022年，8月28日IGBT的靜態(tài)特性

a)轉(zhuǎn)移特性b)輸出特性第六十一頁，共九十六頁，2022年，8月28日IGBT的工作原理（1）IGBT的轉(zhuǎn)移特性曲線IGBT開通：UGE>UGE(TH)(開啟電壓,一般為3～6V)；其輸出電流Ic與驅(qū)動(dòng)電壓UGE基本呈線性關(guān)系；IGBT關(guān)斷：UGE<UGE(TH)（2）IGBT的伏安特性（如前圖a)

反映在一定的柵極一發(fā)射極電壓UGE下器件的輸出端電壓UCE與電流Ic的關(guān)系。

IGBT的伏安特性分為:截止區(qū)、有源放大區(qū)、飽和區(qū)和擊穿區(qū)。第六十二頁，共九十六頁，2022年，8月28日IGBT的動(dòng)態(tài)特性

ttt10%90%10%90%UCEIC0O0UGEUGEMICMUCEMtfv1tfv2tofftontfi1tfi2td(off)tftd(on)trUCE(on)UGEMUGEMICMICM第六十三頁，共九十六頁，2022年，8月28日IGBT的開通過程與MOSFET的相似，因?yàn)殚_通過程中IGBT在大部分時(shí)間作為MOSFET運(yùn)行。開通延遲時(shí)間td(on)——從uGE上升至其幅值10%的時(shí)刻，到iC上升至10%ICM2

。

電流上升時(shí)間tr

——iC從10%ICM上升至90%ICM所需時(shí)間。開通時(shí)間ton——開通延遲時(shí)間與電流上升時(shí)間之和。uCE的下降過程分為tfv1和tfv2兩段。tfv1——IGBT中MOSFET單獨(dú)工作的電壓下降過程；tfv2——MOSFET和PNP晶體管同時(shí)工作的電壓下降過程。第六十四頁，共九十六頁，2022年，8月28日IGBT的關(guān)斷過程關(guān)斷延遲時(shí)間td(off)——從uGE后沿下降到其幅值90%的時(shí)刻起，到iC下降至90%ICM

。電流下降時(shí)間——iC從90%ICM下降至10%ICM

。

關(guān)斷時(shí)間toff——關(guān)斷延遲時(shí)間與電流下降之和。電流下降時(shí)間又可分為tfi1和tfi2兩段。tfi1——IGBT內(nèi)部的MOSFET的關(guān)斷過程，iC下降較快；tfi2——IGBT內(nèi)部的PNP晶體管的關(guān)斷過程，iC下降較慢。第六十五頁，共九十六頁，2022年，8月28日IGBT的掣住效應(yīng)

NPN晶體管基極與發(fā)射極之間存在體區(qū)短路電阻，P形體區(qū)的橫向空穴電流會(huì)在該電阻上產(chǎn)生壓降，相當(dāng)于對(duì)J3結(jié)施加正偏壓，一旦J3開通，柵極就會(huì)失去對(duì)集電極電流的控制作用，電流失控。動(dòng)態(tài)擎住效應(yīng)比靜態(tài)擎住效應(yīng)所允許的集電極電流小。擎住效應(yīng)曾限制IGBT電流容量提高，20世紀(jì)90年代中后期開始逐漸解決。第六十六頁，共九十六頁，2022年，8月28日IGBT的安全工作區(qū)

正偏安全工作區(qū)FBSOA：IGBT在開通時(shí)為正向偏置時(shí)的安全工作區(qū)，如圖(a)所示。反偏安全工作區(qū)RBSOA：IGBT在關(guān)斷時(shí)為反向偏置時(shí)的安全工作區(qū)，如圖(b)IGBT的導(dǎo)通時(shí)間越長(zhǎng)，發(fā)熱越嚴(yán)重，安全工作區(qū)越小。

在使用中一般通過選擇適當(dāng)?shù)腢CE和柵極驅(qū)動(dòng)電阻控制，避免IGBT因過高而產(chǎn)生擎住效應(yīng)。第六十七頁，共九十六頁，2022年，8月28日IGBT的特點(diǎn)

(1)

開關(guān)速度高，開關(guān)損耗小。在電壓1000V以上時(shí)，開關(guān)損耗只有GTR的1/10，與電力MOSFET相當(dāng)。(2)

相同電壓和電流定額時(shí)，安全工作區(qū)比GTR大，且具有耐脈沖電流沖擊能力。(3)

通態(tài)壓降比VDMOSFET低，特別是在電流較大的區(qū)域。(4)

輸入阻抗高，輸入特性與MOSFET類似。(5)與MOSFET和GTR相比，耐壓和通流能力還可以進(jìn)一步提高，同時(shí)保持開關(guān)頻率高的特點(diǎn)。第六十八頁，共九十六頁，2022年，8月28日MOS控制晶閘管（MCT）結(jié)構(gòu)與符號(hào)MCT是在SCR結(jié)構(gòu)中集成一對(duì)MOSFET構(gòu)成的，通過MOSFET來控制SCR的導(dǎo)通和關(guān)斷。使MCT導(dǎo)通的MOSFET稱為ON-FET，使MCT關(guān)斷的MOSFET稱為OFF-FETMCT的元胞有兩種結(jié)構(gòu)類型，一種為N-MCT，另一種為P-MCT。三個(gè)電極稱為柵極G、陽極A和陰極K第六十九頁，共九十六頁，2022年，8月28日MCT的特點(diǎn)MOSFET與晶閘管的復(fù)合

MCT結(jié)合了二者的優(yōu)點(diǎn)：

MOSFET的高輸入阻抗、低驅(qū)動(dòng)功率、快速的開關(guān)過程。

晶閘管的高電壓大電流、低導(dǎo)通壓降。一個(gè)MCT器件由數(shù)以萬計(jì)的MCT元組成，每個(gè)元的組成為：一個(gè)PNPN晶閘管，一個(gè)控制該晶閘管開通的MOSFET，和一個(gè)控制該晶閘管關(guān)斷的MOSFET。MCT曾一度被認(rèn)為是一種最有發(fā)展前途的電力電子器件。因此，20世紀(jì)80年代以來一度成為研究的熱點(diǎn)。但經(jīng)過十多年的努力，其關(guān)鍵技術(shù)問題沒有大的突破，電壓和電流容量都遠(yuǎn)未達(dá)到預(yù)期的數(shù)值，未能投入實(shí)際應(yīng)用。第七十頁，共九十六頁，2022年，8月28日集成門極換流晶閘管IGCT集成門極換流晶閘管IGCT（IntegratedGateCommutatedThyristor）是1996年問世的一種新型半導(dǎo)體開關(guān)器件。該器件是將門極驅(qū)動(dòng)電路與門極換流晶閘管GCT集成于一個(gè)整體形成的。門極換流晶閘管GCT是基于GTO結(jié)構(gòu)的一種新型電力半導(dǎo)體器件，它不僅有與GTO相同的阻斷能力和低通態(tài)壓降，而且有與IGBT相同的開關(guān)性能，即它是GTO與IGBT相互取長(zhǎng)補(bǔ)短的結(jié)果，是一種較理想的兆瓦級(jí)、中壓開關(guān)器件，目前單只容量可達(dá)到4500V/4000A。在實(shí)際應(yīng)用中，電壓較低時(shí)可選用IGBT，電壓較高時(shí)可選用IGCT。第七十一頁，共九十六頁，2022年，8月28日集成門極換流晶閘管IGCT結(jié)構(gòu)圖的左側(cè)是GCT，右側(cè)是反并聯(lián)的二極管。第七十二頁，共九十六頁，2022年，8月28日注入增強(qiáng)門極晶體管IEGT為了克服IGBT的缺點(diǎn)（正向壓降較大），日本東芝公司于1999年推出4500V注入增強(qiáng)門極晶體管（IEGT），它屬于IGBT大類，又不同于常規(guī)的IGBT。IEGT是一種兼顧GTO優(yōu)點(diǎn)與IGBT優(yōu)點(diǎn)于一體的新型特大功率半導(dǎo)體器件。它的設(shè)計(jì)思路是在IGBT的基礎(chǔ)上，使其內(nèi)部的載流子分布趨近于GTO的注入增強(qiáng)結(jié)構(gòu)，從而大大降低其正向壓降。在IEGT中，MOS柵極結(jié)構(gòu)的作用如同具有高電子注入效率的發(fā)射極，并實(shí)現(xiàn)在發(fā)射極的N型高阻基區(qū)層中存儲(chǔ)大量載流子，使IEGT獲得類似于晶閘管的開態(tài)特性和低的正向壓降。目前IEGT的容量可達(dá)1500A/4500V。第七十三頁，共九十六頁，2022年，8月28日IEGT與IGBT的I/V特性比較第七十四頁，共九十六頁，2022年，8月28日IEGT的結(jié)構(gòu)與外形IEGT的結(jié)構(gòu)模壓封裝的IEGT外形第七十五頁，共九十六頁，2022年，8月28日功率集成電路功率集成電路(PIC)是指將功率半導(dǎo)體器件及其驅(qū)動(dòng)電路等組合在同一個(gè)芯片或封裝中，即把更多功能的控制部分、功率部分或保護(hù)電路都組合在一個(gè)器件中。采用PIC可以提高電路的功率密度，簡(jiǎn)化安裝工藝，提高電力電子裝置性能。目前，PIC內(nèi)部使用的功率器件通常為MOSFET或IGBT。PIC自20世紀(jì)80年代問世以來，發(fā)展十分迅速，已成為電力電子技術(shù)的重要發(fā)展方向。PIC有很多品種，如智能功率模塊(intelligentPowerModule簡(jiǎn)稱IPM)、用戶專用智能功率模塊(ApplicationSpecificIPM簡(jiǎn)稱ASIPM)、簡(jiǎn)單PIC等。IPM就是將電力電子器件與驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路、檢測(cè)電路等組成在一個(gè)芯片或模塊內(nèi)，使裝置更趨小型化、智能化。目前，IPM中的功率器件一般由IGBT充當(dāng)，主要用于交流傳動(dòng)系統(tǒng)的電動(dòng)機(jī)控制、家用電器等。IPM體積小、可靠性高、使用方便，得到了廣泛應(yīng)用。下面以IPM為例分析PIC的結(jié)構(gòu)、功能。第七十六頁，共九十六頁，2022年，8月28日功率集成電路IPM內(nèi)部多采用IGBT作為功率器件。根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同，IPM內(nèi)部可集成多個(gè)IGBT單元，常用的IPM內(nèi)部封裝了一個(gè)、二個(gè)、六個(gè)或七個(gè)IGBT。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣。典型的IPM功能框圖如下圖所示。IPM內(nèi)置驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路，隔離接口電路需用戶自己設(shè)計(jì)。第七十七頁，共九十六頁，2022年，8月28日功率集成電路IPM內(nèi)置有驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路。驅(qū)動(dòng)電路與功率器件可以更好地匹配，這使得功率器件工作更可靠。保護(hù)電路可以實(shí)現(xiàn)控制電壓欠壓保護(hù)、過熱保護(hù)、過流保護(hù)和短路保護(hù)。如果IPM模塊中有一種保護(hù)電路的動(dòng)作，IGBT柵極驅(qū)動(dòng)單元就合關(guān)斷門極電流并輸出一個(gè)故障信號(hào)。(1)控制電壓欠壓保護(hù)：IPM使用單一電源供電，若供電電壓低于規(guī)定值且時(shí)間超過設(shè)定值，則發(fā)生欠壓保護(hù)，封鎖門極驅(qū)動(dòng)電路，輸出故障信號(hào)。(2)過熱保護(hù)；在靠近IGBT芯片的絕緣基板上安裝了一個(gè)溫度傳感器，當(dāng)IPM溫度傳感器測(cè)出其基板的溫度超過規(guī)定溫度值時(shí)，發(fā)生過熱保護(hù)，封鎖門極驅(qū)動(dòng)電路，輸出故障信號(hào)。(3)過流保護(hù)：若流過IGBT的電流值超過規(guī)定過流動(dòng)作電流，且時(shí)間超過規(guī)定值，則發(fā)生過流保護(hù)，封鎖門極驅(qū)動(dòng)電路，輸出故障信號(hào)。IPM內(nèi)置的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路便系統(tǒng)硬件電路簡(jiǎn)單、可靠，縮短了系統(tǒng)開發(fā)時(shí)間，也提高了故障下的自保護(hù)能力。與普通的1GBT模塊相比，IPM在系統(tǒng)性能及可靠性方面都有進(jìn)一步的提高。第七十八頁，共九十六頁，2022年，8月28日電力電子器件的驅(qū)動(dòng)概述驅(qū)動(dòng)電路——主電路與控制電路之間的接口使電力電子器件工作在較理想的開關(guān)狀態(tài)，縮短開關(guān)時(shí)間，減小開關(guān)損耗，對(duì)裝置的運(yùn)行效率、可靠性和安全性都有重要的意義。對(duì)器件或整個(gè)裝置的一些保護(hù)措施也往往設(shè)在驅(qū)動(dòng)電路中，或通過驅(qū)動(dòng)電路實(shí)現(xiàn)。驅(qū)動(dòng)電路的基本任務(wù)：將信息電子電路傳來的信號(hào)按控制目標(biāo)的要求，轉(zhuǎn)換為加在電力電子器件控制端和公共端之間，可以使其開通或關(guān)斷的信號(hào)。

對(duì)半控型器件只需提供開通控制信號(hào)。對(duì)全控型器件則既要提供開通控制信號(hào)，又要提供關(guān)斷控制信號(hào)。第七十九頁，共九十六頁，2022年，8月28日GTO的幾種驅(qū)動(dòng)電路第八十頁，共九十六頁，2022年，8月28日MOSFET的一種驅(qū)動(dòng)電路第八十一頁，共九十六頁，2022年，8月28日IGBT的一種驅(qū)動(dòng)電路第八十二頁，共九十六頁，2022年，8月28日過電壓保護(hù)措施電力電子裝置可能發(fā)生的過電壓有外因過電壓和內(nèi)因過電壓兩類。外因過電壓主要由雷擊和系統(tǒng)操作過程等外部因素造成。雷擊過電壓指由雷電引起的過電壓。系統(tǒng)操作過電壓由分閘、合閘等開關(guān)操作引起。電力電子電路中通常含有變壓器、電感(包括線路等效電感)等器件。電路分間斷開電路的過程中，因電感電流不能突變，會(huì)在變壓器、電感等元件中產(chǎn)生感應(yīng)過電壓，這種電壓施加到電力電子器件上會(huì)形成操作過電壓。電路合閘瞬間，由于變壓器原、副邊分布電容的存在，高壓變壓器原邊電壓會(huì)直接傳遞到副邊，也會(huì)在電力電子器件上形成操作過電壓。內(nèi)因過電壓主要來自電力電子裝置內(nèi)部器件的開關(guān)過程。(1)換相過電壓：品閘管或與全控型器件反并聯(lián)的二極管在換相結(jié)束后，不能立即恢復(fù)反向阻斷能力，在外部電源作用下會(huì)有較大反向電流流過二極管，使內(nèi)部載流子恢復(fù)，PN結(jié)空間電荷層由導(dǎo)通